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Continuous Czochralski Growth of Silicon Single Crystals
硅单晶的连续直拉法生长
基本信息
- 批准号：9396061
- 负责人：
- 金额：$ 18.26万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1993
- 资助国家：美国
- 起止时间：1993-01-01 至 1995-08-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Collaborative Research: Supercritical Fluids and Heat Transfer - Delineation of Anomalous Region, Ultra-long Distance Gas Transport without Recompression, and Thermal Management
合作研究：超临界流体与传热——异常区域的描绘、无需再压缩的超长距离气体传输以及热管理
- 批准号：
2327571 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
EAGER: Experimental Methods and Measurements of Anomalous Properties of Supercritical Fluids and their Mixtures
EAGER：超临界流体及其混合物反常性质的实验方法和测量
- 批准号：
2231393 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Modernization of Multi-Scale Characterization, Analysis, and Synthesis Facility for Materials and Devices
材料和器件多尺度表征、分析和合成设施的现代化
- 批准号：
0963509 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
The Biomedical Engineering Partnership Program at FIU: Fostering Technology Entrepreneurship, Commercialization, and Clinical Implementation
佛罗里达国际大学生物医学工程合作伙伴计划：促进技术创业、商业化和临床实施
- 批准号：
0227869 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Travel Support for Young Scientists to Participate in the Fifth ISHMT-ASME Heat and Mass Transfer Conference (India) and Expand Global Research Perspectives
为年轻科学家参加第五届 ISHMT-ASME 传热传质会议（印度）并拓展全球研究视野提供差旅支持
- 批准号：
0109394 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Group Travel to Participate in the Fourth ISHMT-ASME Heat and Mass Transfer Conference and Expand Research Interaction, January 2000, Pune, India
团体旅行参加第四届 ISHMT-ASME 传热传质会议并扩大研究互动，2000 年 1 月，印度浦那
- 批准号：
9906952 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Support for 3rd International Workshop on Modeling in Crystal Growth at Stony Brook: Expanding the Research Base and Student Participation
支持石溪第三届晶体生长建模国际研讨会：扩大研究基础和学生参与
- 批准号：
9910538 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Workshop on Thermal Aspects of Manufacturing and Materials Processing: Emerging Technologies and Research Issues
制造和材料加工热学问题研讨会：新兴技术和研究问题
- 批准号：
9807074 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Continuous Czochralski Growth of Silicon Single Crystals
硅单晶的连续直拉法生长
- 批准号：
9414606 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Continuing Grant
Postdoc: Parallel Multizone Adaptive Scheme for Multiphase Systems with Free and Moving Boundaries
博士后：具有自由和移动边界的多相系统的并行多区域自适应方案
- 批准号：
9503988 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
相似国自然基金
多力场耦合驱动下液封Czochralski结构内双层流体流动稳定性及调控机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
多力场耦合驱动下Czochralski结构液池内双组分流体流动稳定性及耗散结构研究
- 批准号：51406019
- 批准年份：2014
- 资助金额：25.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Development of reactive Czochralski method for nitride crystal growth
氮化物晶体生长反应直拉法的发展
- 批准号：
20K21071 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
The measurements of Czochralski melt flow under the rotational magnetic field and the electromagnetic field for the high quality crystal growth.
在旋转磁场和电磁场下测量直拉熔体流动，以实现高质量晶体生长。
- 批准号：
26420151 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Mechanism of oxygen transportation in Czochralski Ge crystal growth from the melt covered by B_2O_3
B_2O_3覆盖熔体中直拉Ge晶体生长的氧传输机制
- 批准号：
22686002 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Formation mechanism of grown-in defects in Czochralski germanium crystal growth
直拉锗晶体生长中生长缺陷的形成机制
- 批准号：
20760003 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
3D modeling and simulation of the triple junction line movement in Czochralski crystal growth
直拉晶体生长中三重连接线运动的 3D 建模和模拟
- 批准号：
34506764 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Research Grants
Study of non-equilibrium thermochemical reaction between Si melt and silica glass at high temperature in Czochralski Si crystal growth
直拉硅晶体生长中高温硅熔体与石英玻璃非平衡热化学反应研究
- 批准号：
13450010 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Growth of single crystals of oxides with calcium-gallium-germanate (Ca3Ga2Ge4O14) structure by Czochralski-technique
直拉法生长锗酸钙镓 (Ca3Ga2Ge4O14) 结构氧化物单晶
- 批准号：
5254431 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Research Grants
SBIR Phase I: Growth of CdGeAs2 Single Crystals by the Czochralski Technique
SBIR 第一阶段：采用直拉技术生长 CdGeAs2 单晶
- 批准号：
9860740 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Standard Grant
Crystal Growth by a Modified Liquid-Encapsulated Czochralski Process
通过改进的液体封装直拉工艺进行晶体生长
- 批准号：
9709944 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Continuing Grant
Remote sensing of Induced Current in Magnetic Czochralski Crystal Growth
磁直拉晶体生长中感应电流的遥感
- 批准号：
09650012 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 18.26万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)