Acquisition of a Multi-User Thin Film Synthesis and Processing Facility

收购多用户薄膜合成和加工设施

基本信息

  • 批准号:
    9413763
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 50万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1994
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1994-09-15 至 1999-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

A state-of-the-art advanced materials synthesis and processing facility focusing on the growth and fabrication of ceramic- based thin film materials will be funded with the assistance of the Academic Research Infrastructure Program. The facility will include a multi-technique thin film materials synthesis chamber equipped with a microwave plasma source, effusion cells, electron beam evaporators, magnetron sputter sources, and a Kauffman ion source. Characterization capabilities will include in-situ reflection high energy electron diffraction (RHEED), mass spectrometry for controlling growth processes, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and a novel Hall probe for in- situ film characterization. Three major areas of research will be impacted significantly by the facility, namely 1) solid state micro-sensors, 2) nanomechanics of materials, and 3) surfaces and interfaces in hetero-epitaxial oxide systems. In the sensor work, which has connections with local industry, the synthesis and processing of well-defined doped metal-oxide films will be developed with the goal of understanding and controlling the molecular scale mechanisms by which surface microstructure, dopant type, and operating temperature influence sensor performance. A broad based advanced materials synthesis and processing facility for the growth and fabrication of ceramic-based thin films will be operated for the study of solid state microsensors based on metal-oxide ceramic films. The nanomechanics of these ceramic thin films will be studied, as well as the surfaces and interfaces occurring in heteroepitaxial oxide systems.
在学术研究基础设施计划的协助下,将资助一个最先进的先进材料合成和加工设施,重点是陶瓷基薄膜材料的生长和制造。该设施将包括一个多技术薄膜材料合成室,配备微波等离子体源,泻流细胞,电子束蒸发器,磁控溅射源,和考夫曼离子源。表征能力将包括原位反射高能电子衍射(RHEED),用于控制生长过程的质谱,X射线光电子能谱(XPS)和用于原位膜表征的新型霍尔探针。该设施将对三个主要研究领域产生重大影响,即1)固态微传感器,2)材料的纳米力学,以及3)异质外延氧化物系统中的表面和界面。在与当地工业有联系的传感器工作中,将开发定义明确的掺杂金属氧化物薄膜的合成和加工,目标是了解和控制表面微观结构、掺杂剂类型和工作温度影响传感器的分子尺度机制。性能。 一个基础广泛的先进材料合成和加工设施,用于生长和制造陶瓷基薄膜,将用于研究基于金属氧化物陶瓷膜的固态微传感器。将研究这些陶瓷薄膜的纳米力学,以及异质外延氧化物系统中发生的表面和界面。

项目成果

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