The Structure and Reactivity of Silicon/Silicon Oxide Interfaces

硅/二氧化硅界面的结构和反应性

基本信息

项目摘要

9727166 Banaszak-Holl This project explores the synthesis and study of simple molecules that can provide models of silicon/silicon oxide device interfaces consisting of 1-4 layers of silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride on silicon. The models will be used to properly interpret the infrared (IR) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of 6-16 Angstroms thick stoichiometric interface regions. Also, physisorbed, well-defined cluster molecules will allow an additional 10-30 Angstroms of silicon oxide to be placed on top of the model interface to make a crude model of stoichiometric silicon dioxide in close proximity to the interface. XPS and surface IR spectra of the stoichiometric model, and the stoichiometric interface model covered by additional oxide, can be obtained over the full range of actual electronic device dimensions. %%% The scaling of device dimensions has resulted in commercial gate oxide thicknesses ranging from 100 Angstroms to as thin as 20-50 Angstroms. These extremely thin oxide films are primarily interfacial in nature, with the stoichiometric silicon dioxide exhibiting different properties from bulk silicon dioxide. The growth and optimization of these nanostructured thin films are crucial for the overall optimization of electronic device performance. ***
小行星9727166 该项目探索简单分子的合成和研究, 可以 提供硅/氧化硅模型 由硅上的1-4层氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的器件界面。这些模型将用于 到 正确解释红外线(IR), x射线光电子能 6-16的X射线光电子能谱(XPS) 埃 厚的化学计量界面区。此外,物理吸附的、明确定义的簇分子将允许额外的10-30埃的氧化硅被放置在模型界面的顶部上,以形成 接近界面的化学计量二氧化硅的粗糙模型。XPS和表面IR光谱的化学计量模型,和化学计量界面模型覆盖的额外的氧化物,可以得到在整个范围内的实际电子器件尺寸。 器件尺寸的缩小已经导致商业栅极氧化物厚度范围从100埃到薄至20-50埃。 这些极薄的氧化膜 本质上主要是界面的,化学计量的二氧化硅表现出与本体二氧化硅不同的性质。 这些纳米结构薄膜的生长和优化对于电子器件的整体优化至关重要。 设备性能。 ***

项目成果

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