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Charakterisierung von strukturierten Materialien der Halbleitertechnologie mittels aperturloser Streulicht-Rasternahfeldmikroskopie

使用无孔径散射光扫描近场显微镜表征半导体技术中的结构化材料

基本信息

批准号：
120750076
负责人：
Dr. Dmitry Kazantsev
金额：
--
依托单位：
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2009
资助国家：
德国
起止时间：
2008-12-31 至 2013-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/120750076?language=en
关键词：
Charakterisierung von strukturierten Materialien der

项目摘要

Ziel des Projektes ist die Abbildung elektromagnetischer Eigenschaften von Halbleiterstrukturen mittels aperturloser Streulicht-Rasternahfeldmikroskopie (s-SNOM) im mittleren Infrarotbereich (λ = 7-10 µm). Eine metallische AFM-Spitze streut dazu eine externe elektromagnetische Strahlung, Amplitude und Phase der gestreuten Strahlung hängen von der komplexen Dielektrizitätszahl der Probe ab. Somit können sowohl Materialien als auch unterschiedliche Phasen von hoch-ε-Dielektrika oder Bereiche mit unterschiedlicher Ladungsträgerkonzentration im Halbleiter eindeutig identifiziert werden. Das schwache optische Signal, das von der Spitze gestreut wird, wird über ein Interferometer detektiert und die höheren harmonischen Anteile der Schwingungsfrequenz der Spitze werden demoduliert. Unabhängig von der Anregungswellenlänge werden für die laterale Auflösung des Verfahrens 10-30 nm erwartet. Die Herstellung geeigneter Proben und Rasterkraftspitzen wird mittels fokussierter lonenstrahlen (FIB) durchgeführt und optimiert, um maximale Empfindlichkeit, Ortsauf¬lösung und Kontrast zu erreichen. Als neuer Ansatz wird dabei die Herstellung von schrägen Querschnitten mittels FIB zur Erhöhung der Tiefenauflösung verfolgt. Die Messergebnisse werden mit alternativen Rasterkraftmethoden (SSRM, SCM) bzw. konventionellen Analysemethoden (REM, SIMS) verglichen.

Ziel des Projektes ist die Abbildung eletromagnetischer Eigenschaften von halbleiterstruckturen mittelels aperturloser Streulicht-Rasternahfeldmikroskopie (s-SNOM) im mittleren Infrarotbereich （λ = 7-10µm）。e metallische AFM-Spitze streut dazu Eine external electromagnetische Strahlung, Amplitude and Phase der gestreuten Strahlung hängen von der komplexen Dielektrizitätszahl der Probe ab. Somit können sowohl materials auth unterschiedliche Phasen von hoch-ε-Dielektrika oder Bereiche mit unterschiedlicher Ladungsträgerkonzentration im Halbleiter eindeidentifiziert werden。schwache optical Signal, Das von der Spitze gestreut wind, wind， german干涉仪检测器和die höheren harmonischen steile der schitze werden demoduliert。Unabhängig von der Anregungswellenlänge werden f<e:1> r die lateral Auflösung des Verfahrens 10-30 nm erwaret。[2] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]同样的，在德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国。本文介绍了一种可选栅格绘图方法（SSRM， SCM）。常规分析方法（REM， SIMS）