Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten

在结构化基底上横向生长 Si 和 SiGe LPE 层

• 批准号: 5446210
• 负责人: Professor Dr. Wolfgang Neumann, since 4/2007
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5446210?language=en
• 关键词: Laterales; Wachstum; von; Si; und

Eine zur Zeit sehr intensiv diskutierte Möglichkeit, Versetzungsdichten in kristallinen Halbleitern wie beispielsweise GaN von Werten um 109 cm 2 [RFS03] auf nahezu Null (!) zu senken - und das selbst für sehr imperfekte Trägersubstrate wie Korund - basiert auf einem schon seit längerem bekannten züchterischen Kunstgriff dem lateralen epitaktischen Überwachsen (epitaxial lateral overgrowth - ELO) aus sogenannten Saatfenstern. Dazu wird das Substrat zunächst mit einer in der Regel amorphen Zwischenschicht bedeckt, die anschließend durch Lithographieverfahren in zumeist linienhaft ausgedehnten Fenstern abgetragen wird. Ein nachfolgendes epitaktisches Kristallwachstum startet innerhalb der Fenster und kann sich dann, sobald die Höhe der aufwachsenden Schicht die Dicke der Zwischenschicht überschreitet, lateral fortsetzen. Dabei kann unter günstigen Voraussetzungen das laterale Wachstum weitgehend defektfrei erfolgen. Das bislang im Detail noch nicht verstandene Haupthindernis für die Herstellung durchgehender einkristalliner Schichten mit dieser Technologie bleibt eine Krümmung bzw. Verkippung der aufwachsenden Lamelle. Diese Verkippung tritt dann auf, wenn die einkristalline Unterlage, auf der das epitaktische Wachstum beginnt, eine hohe Versetzungsdichte aufweist. Die Krümmung ist auch bei perfekter Unterlage zu beobachten. Es ist aber nicht auszuschließen, dass dasselbe Phänomen, das zur Krümmung führt, auch die Verkippung auslöst. Im Rahmen des vorliegenden Projektes soll nach Möglichkeiten gesucht werden, die die Krümmung vermeiden helfen oder zumindest deren zielgerichtete Beeinflussung ermöglichen. Hierfür werden verschiedene Zwischenschichten definierter Zusammensetzung, Kristallinität und Dicke hinsichtlich ihres Einflusses auf das laterale Überwachsen sowohl mittels hochaufgelöster Röntgentopographie als auch mit verschiedenen Rastersondenverfahren untersucht. Silizium- bzw. SiGe-Schichten, die mittels Flüssigphasenepitaxie auf beschichteten und maskierten Siliziumsubstraten aufgebracht werden, bieten sich hierfür als ein Modellsystem an.

Eine zur Zeit sehr intensiv diskutierte Möglichkeit，Versetzungssetten in kristallinen Halbleitern wie beispielsweise GaN von Werten um 109 cm 2 [RFS03] auf nahezu（！）zu senken - und das selbst für sehr imperfekte Trägersubstrate wie Korund - basiert auf einem schon seit längerem bekannten züchterischen Kunstgriff dem lateralen epitaktischen Überwachsen（epitaxial lateral overgrowth - ELO）aus sogenannten Saatfenstern.大足将采用一种规则的无定形Zwischenschicht装饰的基底，通过在Zumeist linienhaft中的光刻法将该基底固定在一起。一个后来的墓志铭Kristallwachstum开始在Fenster的内部，并可以这样做，sobald die Höhe der aufwachsenden Schicht die迪凯der Zwischenschicht überschür，lateral fortsetzen。Dabei kann unter günstigen Voraussetzungen das laterale Wachstum weitgehend defektfrei erfolgen. Das bislang im Detail noch nicht verstandene Haupthindernis für die Herstellung durchgehender einkristalliner Schichten mit dieser Technologie bleibt eine Krümmung bzw. Verkippung der aufwachsenden Lamelle.如果有一个基督教的解释，这个解释就在这个墓志铭的基础上，一个更高的解释就在这个基础上。这场战争也是最好的战争。但这并不意味着我们可以用一种方法来解决问题，也可以用另一种方法来解决。在将项目提交给Möglichkeiten韦尔登之前，该项目将帮助或促进该项目的实施。最后，韦尔登确定了Zwischenschichten定义Zusammensetzung，Kristallinität和迪凯本人认为，这些影响对侧部超声波的影响是通过对Röntgentopographie的测量来实现的。硅- bzw。SiGe-Schichten，die mittels Flüssigphasenepitaxie auf beschichteten and maskierten Silizium substraten aufgebracht韦尔登werden，bieten sich hierfür als an Modellsystem an.