Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten

Eine zur Zeit sehr intensiv diskutierte Möglichkeit, Versetzungsdichten in kristallinen halbleinteren beispielsweise GaN von Werten um 109 cm 2 [RFS03] auf nahezu Null (!) zu senken - und das selbst f<e:1> r sehr imperfekte Trägersubstrate bekannten zchterischen Kunstgriff dem lateralen epitaktischen Überwachsen（外延横向过度生长- ELO） aus sogenannten Saatfenstern。Dazu wind das substrate zunächst mit einer in der Regel amorphen Zwischenschicht bedeckt, die anschließend durch Lithographieverfahren in zumeist linienhaft ausgedehnten Fenstern abgetragen wind。in nachfolgendes epitaktisches Kristallwachstum starth innerhalb der Fenster und kann siich dann, sobald die Höhe der aufwachsenden Schicht die Dicke der Zwischenschicht berschreitet, lateral forsetzen。大北康宁研究<s:1>微生物学研究进展与研究进展。该技术在德国的应用前景非常好，在德国的应用前景非常好，在德国的应用前景也非常好。Verkippung der aufwachsenden Lamelle。Diese Verkippung tritt dann auf，当die einkstalline unterage， auder das epitaktische Wachstum开始时，eese Verkippung sdichte auweist。Die krmunmunist auch bei perfeckter unterage zu beobachten。Es ist aber夜auszuschließen， dass dasselbe Phänomen, das zur kr<s:1> mmung f<e:1> hrt, auch die Verkippung auslöst。1 .在德国，人们对未来发展计划的期望达到了Möglichkeiten，在德国，人们对未来发展计划的期望达到了ermöglichen。hierfgr werden verschiedene Zwischenschichten definiterter Zusammensetzung， Kristallinität和Dicke hinsichtlich ihres ininflusses aufdas laterale Überwachsen sowohl mittelels hochaufgelöster Röntgentopographie也为verschiedenen Rastersondenverfahren untersucht。Silizium -、SiGe-Schichten， die mittelels fligphasenepitaxxie auf beschichteten和maskierten siliziumsubstrate aufgebracht werden， bitensihierf<s:1>在模型系统和。

Eine zur Zeit sehr intensiv diskutierte Möglichkeit, Versetzungsdichten in kristallinen Halbleitern wie beispielsweise GaN von Werten um 109 cm 2 [RFS03] auf nahezu Null (!) zu senken - und das selbst für sehr imperfekte Trägersubstrate wie Korund - basiert auf einem schon seit längerem bekannten züchterischen Kunstgriff dem lateralen epitaktischen Überwachsen (epitaxial lateral overgrowth - ELO) aus sogenannten Saatfenstern. Dazu wird das Substrat zunächst mit einer in der Regel amorphen Zwischenschicht bedeckt, die anschließend durch Lithographieverfahren in zumeist linienhaft ausgedehnten Fenstern abgetragen wird. Ein nachfolgendes epitaktisches Kristallwachstum startet innerhalb der Fenster und kann sich dann, sobald die Höhe der aufwachsenden Schicht die Dicke der Zwischenschicht überschreitet, lateral fortsetzen. Dabei kann unter günstigen Voraussetzungen das laterale Wachstum weitgehend defektfrei erfolgen. Das bislang im Detail noch nicht verstandene Haupthindernis für die Herstellung durchgehender einkristalliner Schichten mit dieser Technologie bleibt eine Krümmung bzw. Verkippung der aufwachsenden Lamelle. Diese Verkippung tritt dann auf, wenn die einkristalline Unterlage, auf der das epitaktische Wachstum beginnt, eine hohe Versetzungsdichte aufweist. Die Krümmung ist auch bei perfekter Unterlage zu beobachten. Es ist aber nicht auszuschließen, dass dasselbe Phänomen, das zur Krümmung führt, auch die Verkippung auslöst. Im Rahmen des vorliegenden Projektes soll nach Möglichkeiten gesucht werden, die die Krümmung vermeiden helfen oder zumindest deren zielgerichtete Beeinflussung ermöglichen. Hierfür werden verschiedene Zwischenschichten definierter Zusammensetzung, Kristallinität und Dicke hinsichtlich ihres Einflusses auf das laterale Überwachsen sowohl mittels hochaufgelöster Röntgentopographie als auch mit verschiedenen Rastersondenverfahren untersucht. Silizium- bzw. SiGe-Schichten, die mittels Flüssigphasenepitaxie auf beschichteten und maskierten Siliziumsubstraten aufgebracht werden, bieten sich hierfür als ein Modellsystem an.