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Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten

Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten
在结构化基底上横向生长 Si 和 SiGe LPE 层
批准号：
5446216
负责人：
Privatdozent Dr. Michael Hanke
金额：
$0.0万
依托单位：
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2005
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2004-12-31 至 2008-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5446216?language=en
关键词：
LateralesWachstumvonSiund

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