Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften von InGaNAs/GaAs Halbleiterheterostrukturen

InGaNAs/GaAs半导体异质结构的结构和光学性质研究

基本信息

项目摘要

Ziel ist eine systematische Untersuchung des Einflusses von Temperaturbehandlungen auf das Kompositionsprofil von InGaNAs/GaAs-Heterostrukturen. InGaNAs/GaAs-Heterostrukturen werden als mögliches Materialsystem für die Fabrikation von Halbleiterlasern mit Emissionswellenlängen bei 1.3 µm bzw. 1.55 µm diskutiert, die in der Telekommunikationstechnologie benötigt werden. Mit reinen InGaAs/GaAs-Schichten ist es nach wie vor schwierig, eine Emissionswellenlänge von 1,3 µm zu erreichen. Durch Zugabe von N kann die Wellenlänge in InGaNAs- Schichten zu größeren Werten verschoben werden. Allerdings reduziert sich dadurch die Intensität der Lumineszenz. Die Intensität kann durch eine Temperung der Probe wieder verbessert werden, wobei sich die Lumineszenz allerdings wieder zu kürzeren Wellenlängen verschiebt.Mögliche Ursachen für dieses Verhalten werden in der Literatur kontrovers diskutiert. Durcheine detaillierte Studie der Zusammensetzung der Schichten in Abhängigkeit von einer Temperungsollen mittels quantitativer Methoden der Transmissionselektronenmikroskopie diejenigenProzesse identifiziert werden, die zu einer Verschiebung der Emissionwellenlänge führen. EinVerständnis dieser Mechanismen ist notwendig, um qualitativ hochwertige Laserdioden herstellenzu können, die im erforderlichen Spektralbereich Licht emittieren.
本文系统地研究了InGaNAs/GaAs异质结组分分布对温度控制的影响。InGaNAs/GaAs异质结构韦尔登是用于制造具有1.3 µm bzw发射率的半导体激光器的多功能材料系统。1.55在电信技术领域,这是一个很好的韦尔登。再加上InGaAs/GaAs-Schichten is nach wie vor schwierig,eine Emissionswellenlänge von 1,3 µm zu erreichen. N的Zugabe博士可以在InGaNAs- Schichten zu größeren Werten verschoben韦尔登中进行健康测试。所有这些都降低了发光强度。Die Intensität kann durch eine Temperung der Probe wieder verbessert韦尔登,wobei sich die Lumineszenz allerdings wieder zueder zurzeren Wellenlängen verbest.Mögliche Ursachen für dieses Verhalten韦尔登in der Literatur kontrovers diskutiert.通过对透射电子显微镜的定量识别方法韦尔登的温度测量方法的详细研究,确定了发射波长的测量方法。这一机制并不意味着,高质量的激光二极管可以发射出更高质量的光。

项目成果

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Scattering amplitudes and static atomic correction factors for the composition-sensitive 002 reflection in sphalerite ternary III-V and II-VI semiconductors.
闪锌矿三元 III-V 和 II-VI 半导体中成分敏感 002 反射的散射幅度和静态原子校正因子
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