Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften von InGaNAs/GaAs Halbleiterheterostrukturen

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Ziel ist eine systematische Untersuchung des Einflusses von Temperaturbehandlungen auf das Kompositionsprofil von InGaNAs/GaAs-Heterostrukturen. InGaNAs/GaAs-Heterostrukturen werden als mögliches Materialsystem für die Fabrikation von Halbleiterlasern mit Emissionswellenlängen bei 1.3 µm bzw. 1.55 µm diskutiert, die in der Telekommunikationstechnologie benötigt werden. Mit reinen InGaAs/GaAs-Schichten ist es nach wie vor schwierig, eine Emissionswellenlänge von 1,3 µm zu erreichen. Durch Zugabe von N kann die Wellenlänge in InGaNAs- Schichten zu größeren Werten verschoben werden. Allerdings reduziert sich dadurch die Intensität der Lumineszenz. Die Intensität kann durch eine Temperung der Probe wieder verbessert werden, wobei sich die Lumineszenz allerdings wieder zu kürzeren Wellenlängen verschiebt.Mögliche Ursachen für dieses Verhalten werden in der Literatur kontrovers diskutiert. Durcheine detaillierte Studie der Zusammensetzung der Schichten in Abhängigkeit von einer Temperungsollen mittels quantitativer Methoden der Transmissionselektronenmikroskopie diejenigenProzesse identifiziert werden, die zu einer Verschiebung der Emissionwellenlänge führen. EinVerständnis dieser Mechanismen ist notwendig, um qualitativ hochwertige Laserdioden herstellenzu können, die im erforderlichen Spektralbereich Licht emittieren.