Breitbandiger, hocheffizienter Photodetektor basierend auf dem SiGe-Materialsystem

Der Austausch MIT Hohen Datenraten auf elektrischen Leitungen wird Selbstüber Kurze Entfernungen zunehmmmpfung die SignalQuality ität Beeinträchtigen.我们的数据是最好的，也是最好的。Optische Verfahren köfnnten Breite Verwendung finden，wenn die Empfänger monolithisch MIT Silizium-Schaltungen Intrgriererden Können.硅-锗-光技术是一种新型的半导体材料，它是一种新型的半导体材料，它是一种新型的材料。我们吸收了大量的锗，并将其透明地放在一起。在DEM Vorhaben Sollen auf Silizium-Substren Increen中，对80Gbit/S和Darüber entwickelt进行了超灵敏的Ge-Photodeteren für Anwendungen Be 80Gbit/Darüber entwickelt。在Vorarbeiten Wurden bereits Ge-Pin-Photodioden MIT einer derzeit Weltweit einzigartigen Bandbreite von 39 GHz demstriert。他说：“我不知道你的名字是什么，我不知道你的名字是什么意思。”在此基础上进行了最大规模的模拟。[中英文摘要]硅衬底材料(MBE)。从德国到德国，再从德国到德国，再从德国到德国，从传统到现代，从技术到技术，从技术到服务，从技术到服务，从本质上来说，都是最大的问题。这是一种新的技术和技术，也是一种新的技术，也是一种新的技术。他说：“这是一件非常重要的事情。”

Der Austausch mit hohen Datenraten auf elektrischen Leitungen wird selbst über kurze Entfernungen zunehmend problematisch, weil Dispersion und Dämpfung die Signalqualität beeinträchtigen. Bei der Datenübertragung über optische Medien treten diese Effekte erst bei ungleich höheren Geschwindigkeiten auf. Optische Verfahren könnten breite Verwendung finden, wenn die Empfänger monolithisch mit Silizium-Schaltungen integriertwerden können. Silizium-Germanium-Photodetektoren sind vielversprechende Empfangselemente mit hohem Integrationspotential, weil Germanium ebenso wie Silizium zu den Gruppe IVHalbleitern gehört und bereits zur industriellen Herstellung von sehr schnellen Hetero- Bipolartransistoren verwendet wird. Außerdem besitzt Germanium im Vergleich zu Silizium ein wesentlich höheres Absorptionsvermögen im infraroten Spektralbereich der optischen Nachrichtentechnik, während Silizium dort nahezu transparent ist. In dem Vorhaben sollen auf Silizium-Substraten integrierte, ultraschnelle Germanium- Photodetektoren für Anwendungen bei 80 Gbit/s und darüber entwickelt werden. In Vorarbeiten wurden bereits Germanium-PIN-Photodioden mit einer derzeit weltweit einzigartigen Bandbreite von 39 GHz demonstriert. Darauf aufbauend sollen Detektoren für den vertikalen Lichteinfall realisiert werden, die konkurrierende Anforderungen nach großer Bandbreite und hoher Quanteneffizienz bei einfacher optischer Einkopplung möglichst gut erfüllen. Diese Ziele erfordern neuartige Ansätze sowohl beim Wachstum als auch beim simulationsgestützten Entwurf. Das Wachstum erfolgt mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf Silizium-Substraten. Schwerpunkte der Forschung sind hier die Herstellung abrupter Dotierübergänge in Germanium für den schnellen, feldgetriebenen Transport der photogenerierten Ladungsträger, die gezielte Anpassung der Gitterkonstanten von Ge und Si mit dünnen, integrationsfreundlichen virtuellen Substrattechniken, die Untersuchung von Quantenstrukturen mit gezielter elastischer Verspannung und von intrinsischen Schichten mit Kohlenstoff (C)-Dotierung und der Entwurf und die Realisierung von Bauelementen mit niedrigen Serienwiderständen. Wellenoptische Simulationen zielen auf den Entwurf von technologisch realisierbaren Einkoppelstrukturen, die bei vertikalem Lichteinfall eine Wellenausbreitung parallel zur Waferoberfläche im Absorber bewirken und somit die Quanteneffizienz steigern. Die Erstellung eines physikalisch motivierten Photodiodenmodells steht im Mittelpunkt einer optoelektronischen Charakterisierung bis in den Höchstfrequenzbereich.