Materials World Network: Investigation of Coherent Spin Transport in the Persistent Photoconductor AlGaAs Using All-Electronic Spin Injection and Detection
材料世界网络:利用全电子自旋注入和检测研究持久光电导体 AlGaAs 中的相干自旋输运
基本信息
- 批准号:0908625
- 负责人:
- 金额:$ 45万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2009
- 资助国家:美国
- 起止时间:2009-08-15 至 2013-07-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This award is funded under the American Recovery and Reinvestment Act of 2009 (Public Law 111-5).Spin coherence and spin transport are two of the core issues facing semiconductor spintronics and quantum information science today. The central aim of this project is to examine in detail the electronic spin transport and spin coherence in a semiconductor as a function of its carrier concentration. This investigation is expected to yield a precise and definitive view of these mechanisms in semiconductors, which will inspire new theoretical understanding and provide useful guidelines for spintronics devices. The results may even provide a new approach to deciphering various spin decoherence processes in semiconductors. This Materials World Network (MWN) award supports a collaborative effort between the Florida State University (FSU) and the Institute of Semiconductors (IoS), Chinese Academy of Sciences, which is the first formal MWN partnership with China. Heterostructures with ferromagnet/semiconductor junctions and a semiconductor spin-transport channel will be grown by MBE and their structural and magnetic properties characterized at IoS; the device fabrication and spin detection measurements will be performed at FSU. A unique aspect of this research is the use of a semiconductor channel with tunable carrier densities, which will allow all the measurements to be carried out in situ and in only one sample at varying carrier concentrations, even through the metal-insulator transition. One of the broader impacts of this joint venture is that it will provide extensive experience in condensed matter experimental techniques in both semiconductor physics and magnetism to the graduate students involved. The planned exchange program will afford the trainees first-hand exposure to materials research in a premier Chinese institution.This research is supported by DMR-CMP and DMR-OSP.
该奖项是根据2009年美国复苏和再投资法案(公法111-5)资助的。自旋相干和自旋输运是当今半导体自旋电子学和量子信息科学面临的两个核心问题。 这个项目的主要目的是详细研究半导体中电子自旋输运和自旋相干性随载流子浓度的变化。 这项研究有望对半导体中的这些机制产生精确和明确的看法,这将激发新的理论理解,并为自旋电子学器件提供有用的指导。 这些结果甚至可能为解释半导体中的各种自旋退相干过程提供一种新的方法。 该材料世界网络(MWN)奖支持佛罗里达州立大学(FSU)和中国科学院半导体研究所(IoS)之间的合作,这是MWN与中国的第一个正式合作伙伴关系。 具有铁磁/半导体结和半导体自旋传输通道的异质结构将通过MBE生长,其结构和磁性特性将在IoS表征;器件制造和自旋检测测量将在FSU进行。 这项研究的一个独特的方面是使用具有可调载流子密度的半导体通道,这将允许所有的测量在原位进行,并且在不同的载流子浓度下仅在一个样品中进行,即使是通过金属-绝缘体过渡。 该合资企业的更广泛影响之一是,它将为相关研究生提供半导体物理和磁学领域凝聚态实验技术的丰富经验。 计划中的交流项目将为学员提供在中国一流机构进行材料研究的第一手经验。这项研究得到了DMR-CMP和DMR-OSP的支持。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
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