Modellierung von Nanodevices
纳米器件建模
基本信息
- 批准号:195215915
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Units
- 财政年份:2011
- 资助国家:德国
- 起止时间:2010-12-31 至 2014-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ziel des Teilprojektes 1 ist die Entwicklung von quantenmechanischen Simulationsmodellen zur Beschreibung von nanoskaligen Bauelementen als sogenannte Nanomodelle sowie deren Einbindung in kommerzielle, auf Kontinuumsbeschreibungen basierende Devicesimulatoren und im Teilprojekt 2 zu entwickelnde Kontinuumsmodelle. Neben der Untersuchung effizienter quantenmechanischer Simulationskonzepte für die Tran sporteigen schaffen und Anregungszustände beschichteter und dotierter CNTs steht daher die Entwicklung von standardisierten Schnittstellen zwischen quantenmechanischer Simulation und Devicesimulation im Zentrum des Forschungsprojektes.Ergebnisse quantenmechanischer ab initio Rechnungen sollen in parametrisierter Form zunächst in Devicesimulationen und damit schließlich in eine Beschreibung des Gesamtsystems auf höheren Skalen eingebracht werden, so dass im Zusammenwirken mit dem Teilprojekt 2 eine Simulationshierarchie von der Nanoskala bis zum Gesamtsystem entsteht.Quantenmechanische ab initio Simulationen mittels zeitabhängiger Dichtefunktionaltheorie (TDDFT) sollen wesentlich dazu beitragen, bekannte Sensorfunktionalitäten zu analysieren und zu optimieren, aber auch neuartige, auf Quanteneffekten in CNTs basierende Funktionskonzepte zu entwickeln. Von besonderem Interesse ist es dabei, zu untersuchen, inwieweit Technologieparameter bei der Herstellung der CNTs variiert werden können, um gezielt Sensoreigenschaften der in den Teilprojekten 5 und 9 zu entwickelnden Sensorstrukturen zu beeinflussen.
Teilprojektes 1是量子力学模拟模型的开发,用于对纳米结构元件进行研究,因此纳米模型可以在商业上进行结合,在基于设备模拟的连续性研究中进行,并在Teilprojekt 2中进行连续性模拟。在研究中心,对碳纳米管进行有效的量子力学仿真和设备仿真的研究,首先要解决设备仿真中的参数化形式问题,然后在一个面向高层建筑的系统中进行参数化设计因此,在韦尔登理论的指导下,我们可以通过对纳米结构的计算机模拟来进行研究。量子力学从头算模拟可以通过两种不同的方法来实现,传感器的功能可以通过分析和优化来实现,也可以通过在碳纳米管中进行量子效应来实现。从最基本的兴趣出发,在不同的韦尔登上安装技术参数,在Teilprojekten 5和9中安装传感器结构,以产生更好的影响。
项目成果
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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
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Professor Dr. Thomas Geßner (†)其他文献
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