Design der chemischen Reaktivität von nanokristallinem Silicium im Zusammenhang mit seiner Defektstruktur

Eine中性变量合成eröffnet den Weg - zu纳米晶硅。明信片chemische Oberflachenmodifizierung des nk-Si schließt西奇entweder unmittelbar奥得河去der Si-Separierung来自民主党Templat。Das modifizierbare nk-Si wend也model - substanz genutzz， um in tieferes Verständnis von elektronischen Si-Oberflächeneffekten zu erzielen。研究进展：以化学与物理为基础，采用非化学修饰方法制备了一种新型的非化学改性的纳米硅材料。Neuartige festkörperphysikalische Methoden, insbesonere microwellen -detektierte PICTS, werden zum Einsatz kommen, um Leitfähigkeitsmechanismen mit Defekteigenschaften (z. B. aktivierungsenerggie) in Verbindung zu setzen。本文介绍了各种化学鉴定方法的研究进展können，采用了photoepr - transient - spektroskie方法。Ein grundlegendes Verständnis der defkte and transportmechanitist die Voraussetzung dafr, effiziente Bauelemente auder Basis von nk-Si herstellen and gezielt optimieren zu können。研究方向：-研究方向：<s:1>合成与反应研究方向：<s:1>合成与反应研究方向：Zusammenhänge研究方向：ink - si特征研究方向：Größe研究方向：粒子与形态研究方向：Größenverteilung研究方向：einstein in den培养机制（smechanismus sollen abgelet werden）- die Identifizierung and klassiierung der inhärenten elektronischen Oberflächendefekte, ihre relainz die Möglichkeiten, Reaktionen auder Oberfläche izieren and damit die Eigenschaften des Materials gezielt modifiieren zu können；- die interschiedlichen elektronischen Oberflächenzustände in Relation zu der Reaktivität sowie Stabilität des nk-Si；-动力学和热力学skaliering under Reaktivität des nk-Si；- die Leitfähigkeitsmechanismen innerhalb der nanokristle und zwischen ihnen in iner Schicht, die Verallgemeinerung der Erkenntnisse f<e:1>, die Übertragung auf analog Prozesse auf Si-Waferoberflächen bzw。verwandte halbleitende材料。

Eine neuartige variable Synthese eröffnet den Weg zu nano-kristallinem Silicium (nk-Si). Eine chemische Oberflächenmodifizierung des nk-Si schließt sich entweder unmittelbar oder nach der Si-Separierung aus dem Templat an. Das modifizierbare nk-Si wird als Modellsubstanz genutzt, um ein tieferes Verständnis von elektronischen Si-Oberflächeneffekten zu erzielen. Mit einem interdisziplinären Methodenansatz zwischen Chemie und Physik soll das unterschiedlich modifizierte nk-Si umfassend charakterisiert werden. Neuartige festkörperphysikalische Methoden, insbesondere mikrowellen-detektierte PICTS, werden zum Einsatz kommen, um Leitfähigkeitsmechanismen mit Defekteigenschaften (z. B. Aktivierungsenergie) in Verbindung zu setzen. Um diese Defekte auch chemisch identifizieren zu können, soll die Methode zur Photo-EPR-Transienten-Spektroskopie erweitert werden. Ein grundlegendes Verständnis der Defekte und Transportmechanismen ist die Voraussetzung dafür, effiziente Bauelemente auf der Basis von nk-Si herstellen und gezielt optimieren zu können. Im Fokus des Projektes stehen: - Schlüsselreaktionen und Steuerung der Syntheseprozesse und ihre Zusammenhänge mit den Eigenschaften des nk-Si, insbesondere die Kontrolle der Größe und Größenverteilung der Partikel sowie der Morphologie. Einsichten in den Bildungsmechanismus sollen abgeleitet werden; - die Identifizierung und Klassifizierung der inhärenten elektronischen Oberflächendefekte, ihre Relevanz für die Möglichkeiten, Reaktionen auf der Oberfläche zu initiieren und damit die Eigenschaften des Materials gezielt modifizieren zu können; - die unterschiedlichen elektronischen Oberflächenzustände in Relation zu der Reaktivität sowie Stabilität des nk-Si; - kinetische und thermodynamische Skalierung der Reaktivität des nk-Si; - die Leitfähigkeitsmechanismen innerhalb der Nanokristalle und zwischen ihnen in einer Schicht, die Verallgemeinerung der Erkenntnisse für die Übertragung auf analoge Prozesse auf Si-Waferoberflächen bzw. verwandte halbleitende Materialien.