Design der chemischen Reaktivität von nanokristallinem Silicium im Zusammenhang mit seiner Defektstruktur

一个中性变量Synthese eröffnet den Weg zu nano-kristallinem Silicium（nk-Si）.一种nk-Si的化学改性剂可以从模板上分离或从模板上分离。Das modifizierbare nk-Si wird als Modellsubstanz genutzt，um ein tieferes Verständnis von elektronischen Si-Oberflächeneffekten zu erzielen.一种化学和物理学方法的相互作用使硅的化学性质得到了进一步的改进，这是韦尔登的一个重要特征。Neuartige festkörperphysikalische Methoden，insbesondere mikrowellen-detektierte PICTS，韦尔登zum Einquilkommen，um Leitfähigkeitsmechanismen mit Defekteigenschaften（z. B。Aktivierungsenergie）in Verbindung zu setzen.这种缺陷也可通过化学方法进行鉴别，因此可采用光-EPR-瞬态光谱法。Ein grundependence des Verständnis der Defekte und Transportmechanismen ist die Voraussetzung dafür，effiziente Bauelemente auf der Basis von nk-Si herstellen und gezielt optimieren zu können. Im Fokus des Projektes stehen：- Schlüsselreaktionen und Steuerung der Syntheseprozesse und ihre Zusammenhänge mit den Eigenschaften des nk-Si，insbesondere die Kontrolle der Größe und Größenvertelung der Partikel sowie der Morphologie.韦尔登在儿童成长机制中的作用：--对儿童电子飞行器的识别和分类，与儿童的记忆有关，对儿童电子飞行器的初始反应和对儿童电子飞行器材料特性的影响; --儿童电子飞行器的非常规特性与儿童硅的反应稳定性的关系;- nk-Si反应性的动力学和动力学特性; -纳米晶体和其在一个Schicht中的相互作用的Leitfähigkeitsmechanismen innerhalb，用于Si-Waferflächen bzw模拟过程的Erkenntnisse的Verallgemeinerung。我们的材料都很好。

Eine neuartige variable Synthese eröffnet den Weg zu nano-kristallinem Silicium (nk-Si). Eine chemische Oberflächenmodifizierung des nk-Si schließt sich entweder unmittelbar oder nach der Si-Separierung aus dem Templat an. Das modifizierbare nk-Si wird als Modellsubstanz genutzt, um ein tieferes Verständnis von elektronischen Si-Oberflächeneffekten zu erzielen. Mit einem interdisziplinären Methodenansatz zwischen Chemie und Physik soll das unterschiedlich modifizierte nk-Si umfassend charakterisiert werden. Neuartige festkörperphysikalische Methoden, insbesondere mikrowellen-detektierte PICTS, werden zum Einsatz kommen, um Leitfähigkeitsmechanismen mit Defekteigenschaften (z. B. Aktivierungsenergie) in Verbindung zu setzen. Um diese Defekte auch chemisch identifizieren zu können, soll die Methode zur Photo-EPR-Transienten-Spektroskopie erweitert werden. Ein grundlegendes Verständnis der Defekte und Transportmechanismen ist die Voraussetzung dafür, effiziente Bauelemente auf der Basis von nk-Si herstellen und gezielt optimieren zu können. Im Fokus des Projektes stehen: - Schlüsselreaktionen und Steuerung der Syntheseprozesse und ihre Zusammenhänge mit den Eigenschaften des nk-Si, insbesondere die Kontrolle der Größe und Größenverteilung der Partikel sowie der Morphologie. Einsichten in den Bildungsmechanismus sollen abgeleitet werden; - die Identifizierung und Klassifizierung der inhärenten elektronischen Oberflächendefekte, ihre Relevanz für die Möglichkeiten, Reaktionen auf der Oberfläche zu initiieren und damit die Eigenschaften des Materials gezielt modifizieren zu können; - die unterschiedlichen elektronischen Oberflächenzustände in Relation zu der Reaktivität sowie Stabilität des nk-Si; - kinetische und thermodynamische Skalierung der Reaktivität des nk-Si; - die Leitfähigkeitsmechanismen innerhalb der Nanokristalle und zwischen ihnen in einer Schicht, die Verallgemeinerung der Erkenntnisse für die Übertragung auf analoge Prozesse auf Si-Waferoberflächen bzw. verwandte halbleitende Materialien.