权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Analyse und Entwurf von integrierter CMOS Hochvoltelektronik in Niedervolttechnologien

低压技术中集成 CMOS 高压电子器件的分析和设计

基本信息

批准号：
207214355
负责人：
Professor Dr.-Ing. Dirk Killat
金额：
--
依托单位：
Institut für Mikroelektronik (Mikro)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2011
资助国家：
德国
起止时间：
2010-12-31 至 2014-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/207214355?language=en
关键词：
Analyse und Entwurf von integrierter

项目摘要

Moderne CMOS Technologien stoßen immer weiter in Richtung des physikalisch machbaren vor, getrieben von der Integration digitaler Schaltungen und Speicher. Stand der Technik sind 28nm [28], Stand der Forschung 22nm CMOS Transistoren. Mit 1-2 Technologieknoten Abstand folgt den digitalen Technologieoptionen auch die analoge Schaltungstechnik (zur Zeit 45/65nm), die z.B. zur Realisierung der Schnittstellen sowie für echte „Integrierte Systeme“ (SOCs) wie RF-Transceiver benötigt werden. Weitere 1-2 Technologieknoten entfernt (zur Zeit 130/180nm) werden die vorhandenen Prozesse um weitere Optionen verbessert, wie z.B. hochvolt-fähige Transistoren. Diese erweiterte Auswahl an Schaltungen ist heute unter dem Begriff „more than Moore“ bekannt – also die Erweiterung des Einsatzgebietes von CMOS Technologien.Der Nachteil dieser Prozessentwicklung ist, dass solche Technologieoptionen erst Jahre nach der Einführung des Technologieknotens zur Verfügung stehen. Um die Möglichkeiten insbesondere hochvoltfähiger Schaltungen vorher nutzen zu können, wurden in den vergangenen Jahren Schaltungstechniken eingeführt, die – unter anderem durch angepasste Arbeitspunkteinstellung und gegen Überspannung selbstschützende Strukturen – HV Schaltungen in Niedervolt-Technologien ermöglichen.Diese Techniken wurden jedoch nur für die jeweilig benutzte Technologie realisiert, und es fehlt maßgeblich an einer durchgängigen Entwurfsmethodik, die optimalerweise auf alle Technologien reproduzierbar anwendbar ist.Diesem Anspruch soll das vorgeschlagene Projekt Rechnung tragen. Wir wollen ausgehend von den Erfahrungen der Antragsteller im Bereich des HV Entwurfs einen grundlegenden Beitrag zur Systematisierung des HV Schaltungsentwurfs in LV Technologien erarbeiten. Dazu werden wir technologieübergreifende Parameter definieren, und diese zur HV Realisierung von elektronischen Grundschaltungen heranziehen – was in einfachen oder sogar automatisierbaren Entwurfsregeln mündet. Die Grundschaltungen werden danach in komplexere analoge HV Schaltungen überführt, und deren HV Tauglichkeit bei Einhaltung der gefundenen Regeln validiert. Bei diesem Vorgehen werden wir außerdem eine Methode zur simulatorischen Überprüfung vorgegebener Stressparameter entwickeln, die möglichst allgemeingültig in verschiedenen CMOS Technologien einsetzbar ist. Diese Arbeiten werden eine allgemein einsetzbare Kombination von aggressiver CMOS Skalierung mit neuen HV Funktionalitäten im Sinne des „More than Moore“ erlauben.Die Zusammenführung der Expertisen der Antragsteller auf dem Gebiet HV CMOS Schaltungen im Bereich drahtloser, integrierter Systeme sowie Modellierung mit Beschreibungssprachen (Ortmanns) und HV Kompatibilität in LV Technologien sowie Power Management (Killat) ermöglicht dabei eine grundlegende und thematisch übergreifende Arbeit in dem vorgeschlagenen Forschungsprojekt.

现代CMOS技术在Richtung des physikalisch machbaren vor， getrieben von der Integration digital Schaltungen and Speicher。Stand der Technik s28nm [28]， Stand der Forschung 22nm CMOS晶体管。麻省理工学院（Mit） 1-2技术学院（Mit）技术学院（Mit）数字技术学院（Mit）数字技术学院（Mit）数字技术学院（Mit）数字技术学院（Mit）Weitere 1-2 technology knotenentent (zur Zeit 130/180nm) werden die vorhandenen Prozesse um Weitere Optionen verbessert, wie z.B. hochvolt-fähige晶体管。“超越摩尔”（more than Moore），也就是“超越摩尔”（more than Moore）。在德国，技术解决方案（technical solutions）与技术解决方案（technical optiontionen）都是由德国技术解决方案（technical solutions）和德国技术解决方案（technical solutions）组成的。Um die Möglichkeiten insbesonere hochvoltfähiger Schaltungen vorher nutzen zu können, wurden in den vergangenen Jahren Schaltungstechniken eingefhrt, die - unter anderem durch angepasste Arbeitspunkteinstellung und gegen Überspannung selbstsch<s:1> tzende Strukturen - HV Schaltungen in Niedervolt-Technologien ermöglichen。Diese Techniken wurden jedoch nur r die jeweilig benutzte Technologie realisiert, and es fehlt maßgeblich and einer durchgängigen Entwurfsmethodik, die optimalerweise aufalle Technologien ereduzierbar and wendbar ist。研究表明，该项目具有良好的生态环境保护作用。在低压技术研究中，为研究高压技术研究提供了一个系统的方法和方法。大津werden wir technology， bergreifende Parameter definien, and disese zur HV Realisierung von elektronischen Grundschaltungen heranziehen - in infacfachen der sotiautomatische erbaren Entwurfsregeln mndet。在复杂模拟HV Schaltungen <s:1> berf<e:1>的基础上，对HV Tauglichkeit进行了研究。仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器仿真器。Diese arbeden werden allgemein einsetzbare组合的侵略性CMOS Skalierung的新HV Funktionalitäten在Sinne的“超越摩尔”erlauben。在低压技术方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面，在电源管理方面。