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Herstellung und Charakterisierung von vertikalen Pillar-Tunnel-Transistoren für eine neue Generation

新一代垂直柱隧道晶体管的制造和表征

基本信息

批准号：
211502251
负责人：
Professorin Dr. Inga Fischer
金额：
--
依托单位：
Fachgebiet Experimentalphysik und funktionale Materialien
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2011
资助国家：
德国
起止时间：
2010-12-31 至 2015-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/211502251?language=en
关键词：
Herstellung und Charakterisierung von vertikalen

项目摘要

Das Forschungsprojekt beschäftigt sich mit der Herstellung von vertikalen Tunneltransistoren mit Mesa-Durchmessern im Sub-50-nm-Bereich (Pillar-TFET-Strukturen), mit dem Ziel, die prinzipielle Frage zu klären, ob Tunneltransistoren hergestellt werden können, die zum einen den Anforderungen der Halbleiterindustrie an einen möglichen MOSFET-Nachfolger genügen und zum anderen mit einem Subthreshold Swing von < 60mV /dec gleichzeitig den MOSFET hinsichtlich seiner Leistungsfähigkeit übertreffen.Zwar sind Tunneltransistoren mögliche Kandidaten, mittelfristig das MOSFET-Konzept zu ersetzen, experimentelle Realisierungen erzielen bisher jedoch nicht die geforderten On-Ströme. Simulationen legen nahe, dass dieses Ziel nur mithilfe von Geometrie- und Materialvariationen wie etwa der Einbringung von SiGe-Heteroübergängen erreicht werden kann, die extrem hohe Anforderungen hinsichtlich Dotier- und Heteroprofilen an eine laterale Technologie stellen würden. Es sollen daher die bisher nur in Simulationen betrachteten Geometrie- und Materialvariationen hinsichtlich ihres Potentials zur Leistungssteigerung bei Tunneltransistoren systematisch experimentell untersucht werden. Dies soll in einer vertikalen Realisierung mittels Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie geschehen, die es erlaubt, extrem scharfe Dotier- und Heteroübergänge sowie kurze Kanallängen zu erzielen.

在亚50 nm波长范围内，垂直隧道晶体管和台面的研究是非常重要的（Pillar-TFET-Strukturen），mit dem Ziel，die prinzipielle Frage zu klären，ob Tunneltransistoren hergestellt韦尔登können，半导体工业的一个新的发展方向是一个更大的半导体器件-Nachfolger genügen und zum anderen，其亚阈值摆幅<60 mV/dec gleichzeitig den MOSFET hinsichtlich seiner Leistungsfähigkeit übertreffen.Zwar sind Tunneltransistoren mögliche Kandidaten，mittelfristig das EQUET-Konzept zu ersetzen，experimentelle Realisierungen erzielen bisher jedoh die geforderten On-Ströme.传统的模拟方法，如引入SiGe异质结韦尔登，只对几何和材料的变化进行模拟，这种极端的多晶和异质结的设计方法和一种横向的技术是可行的。这是唯一能在隧道系统试验中揭示其潜在的几何和材料变化的模拟方法，韦尔登试验是成功的。Dies soll in einer vertikalen Realisierung mittels Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie geschehen，die es erlaubt，extreme scharfe Dotier- und Heteroübergänge sowie kurze Kanallängen zuerzielen.

项目成果

期刊论文数量（5）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Device performance tuning of Ge gate-all-around tunneling field effect transistors by means of GeSn: Potential and challenges

利用 GeSn 调节 Ge 环栅隧道场效应晶体管的器件性能：潜力与挑战

DOI：
10.23919/mipro.2017.7973391
发表时间：
2017
期刊：
2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)
影响因子：
0
作者：
E. Rolseth;A. Blech;I. A. Fischer;Y. Hashad;R. Koerner;K. Kostecki;A. Kruglov;V.S. Senthil Srinivasan;M. Weiser;T. Wendav;K. Busch;J. Schulze
通讯作者：
J. Schulze

Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge0.92Sn0.08-δ-Layers at the tunneling junction

垂直 Ge 异质结栅绕隧道场效应晶体管，隧道结处具有 Ge0 92Sn0 08-Î´ 层

DOI：
10.1109/istdm.2014.6874652
发表时间：
2014
期刊：
2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
影响因子：
0
作者：
J. Schulze;A. Blech;I. A. Fischer;D. Hahnel;S. Naasz;E. M. Tropper
通讯作者：
E. M. Tropper

Silicon Tunneling Field-Effect Transistors With Tunneling in Line With the Gate Field

DOI：
10.1109/led.2012.2228250
发表时间：
2013-02-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
Fischer, Inga A.;Bakibillah, A. S. M.;Schulze, Joerg
通讯作者：
Schulze, Joerg

Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field

具有与栅极场一致的隧道效应的硅隧道场效应晶体管

DOI：
10.1109/istdm.2012.6222411
发表时间：
2012
期刊：
2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
影响因子：
0
作者：
I. A. Fischer;D. Hahnel;H. Isemann;A. Kottantharayil;G. Murali;M. Oehme;J. Schulze
通讯作者：
J. Schulze

Tuning the Ge(Sn) Tunneling FET: Influence of Drain Doping, Short Channel, and Sn Content