Herstellung und Charakterisierung von vertikalen Pillar-Tunnel-Transistoren für eine neue Generation
新一代垂直柱隧道晶体管的制造和表征
基本信息
- 批准号:211502251
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2011
- 资助国家:德国
- 起止时间:2010-12-31 至 2015-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Das Forschungsprojekt beschäftigt sich mit der Herstellung von vertikalen Tunneltransistoren mit Mesa-Durchmessern im Sub-50-nm-Bereich (Pillar-TFET-Strukturen), mit dem Ziel, die prinzipielle Frage zu klären, ob Tunneltransistoren hergestellt werden können, die zum einen den Anforderungen der Halbleiterindustrie an einen möglichen MOSFET-Nachfolger genügen und zum anderen mit einem Subthreshold Swing von < 60mV /dec gleichzeitig den MOSFET hinsichtlich seiner Leistungsfähigkeit übertreffen.Zwar sind Tunneltransistoren mögliche Kandidaten, mittelfristig das MOSFET-Konzept zu ersetzen, experimentelle Realisierungen erzielen bisher jedoch nicht die geforderten On-Ströme. Simulationen legen nahe, dass dieses Ziel nur mithilfe von Geometrie- und Materialvariationen wie etwa der Einbringung von SiGe-Heteroübergängen erreicht werden kann, die extrem hohe Anforderungen hinsichtlich Dotier- und Heteroprofilen an eine laterale Technologie stellen würden. Es sollen daher die bisher nur in Simulationen betrachteten Geometrie- und Materialvariationen hinsichtlich ihres Potentials zur Leistungssteigerung bei Tunneltransistoren systematisch experimentell untersucht werden. Dies soll in einer vertikalen Realisierung mittels Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie geschehen, die es erlaubt, extrem scharfe Dotier- und Heteroübergänge sowie kurze Kanallängen zu erzielen.
从台面到台面的垂直晶体管都是这样的:60mv/dec gleichzeitig motzeig modezielle Frage zu Klären;60mv/dec gleichzeitig motzeig modndlenn;60mv/dec gleichzeitig motzeig MODIZEINGREN;60mV/dec gleichzeig mmotzeig mtn;60mv/dec gleichzeig mmotzeig mlenn;60mv/dec gleichzeizeig MODUGLINGREN;60mV/dec gleichzeig mmotzeig MODIREN;60mV/dec gleichzeitig MODIZEHING MODILENLINEL;60mV/Dec gleichzeizeig MODHINGINEL;60mV/Dec gleichzeig MODZEHING MODILENTIELN FILEGINGUE FIREGING FIREGING FIGHINGINE HLISTHINK;60mV/Dec gleichichzeig MOTHNETHINEMEGINGING MOSFETHINEMEGHANDHANDHANDHANDHANDHERFINGRED与之相似的是,我们的几何形状和材料的变化也是如此,这是一种新的技术形式。在几何形状和材料变化的模拟中,我们进行了系统的实验研究。死在最低温度和最低温度的手套里,死在错误的地方,最坏的地方是库尔兹·卡纳兰根和他的儿子。
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Device performance tuning of Ge gate-all-around tunneling field effect transistors by means of GeSn: Potential and challenges
利用 GeSn 调节 Ge 环栅隧道场效应晶体管的器件性能:潜力与挑战
- DOI:10.23919/mipro.2017.7973391
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:E. Rolseth;A. Blech;I. A. Fischer;Y. Hashad;R. Koerner;K. Kostecki;A. Kruglov;V.S. Senthil Srinivasan;M. Weiser;T. Wendav;K. Busch;J. Schulze
- 通讯作者:J. Schulze
Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge0.92Sn0.08-δ-Layers at the tunneling junction
垂直 Ge 异质结栅绕隧道场效应晶体管,隧道结处具有 Ge0 92Sn0 08-δ 层
- DOI:10.1109/istdm.2014.6874652
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. Schulze;A. Blech;I. A. Fischer;D. Hahnel;S. Naasz;E. M. Tropper
- 通讯作者:E. M. Tropper
Silicon Tunneling Field-Effect Transistors With Tunneling in Line With the Gate Field
- DOI:10.1109/led.2012.2228250
- 发表时间:2013-02-01
- 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:Fischer, Inga A.;Bakibillah, A. S. M.;Schulze, Joerg
- 通讯作者:Schulze, Joerg
Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field
具有与栅极场一致的隧道效应的硅隧道场效应晶体管
- DOI:10.1109/istdm.2012.6222411
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. A. Fischer;D. Hahnel;H. Isemann;A. Kottantharayil;G. Murali;M. Oehme;J. Schulze
- 通讯作者:J. Schulze
Tuning the Ge(Sn) Tunneling FET: Influence of Drain Doping, Short Channel, and Sn Content
- DOI:10.1109/ted.2014.2371065
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:Daniel Haehnel;I. Fischer;A. Hornung;Ann-Christin Koellner;J. Schulze
- 通讯作者:Daniel Haehnel;I. Fischer;A. Hornung;Ann-Christin Koellner;J. Schulze
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