Herstellung und Charakterisierung von vertikalen Pillar-Tunnel-Transistoren für eine neue Generation

新一代垂直柱隧道晶体管的制造和表征

• 批准号: 211502251
• 负责人: Professorin Dr. Inga Fischer
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Experimentalphysik und funktionale Materialien
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/211502251?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; von; vertikalen

Das Forschungsprojekt beschäftigt sich mit der Herstellung von vertikalen Tunneltransistoren mit Mesa-Durchmessern im Sub-50-nm-Bereich (Pillar-TFET-Strukturen), mit dem Ziel, die prinzipielle Frage zu klären, ob Tunneltransistoren hergestellt werden können, die zum einen den Anforderungen der Halbleiterindustrie an einen möglichen MOSFET-Nachfolger genügen und zum anderen mit einem Subthreshold Swing von < 60mV /dec gleichzeitig den MOSFET hinsichtlich seiner Leistungsfähigkeit übertreffen.Zwar sind Tunneltransistoren mögliche Kandidaten, mittelfristig das MOSFET-Konzept zu ersetzen, experimentelle Realisierungen erzielen bisher jedoch nicht die geforderten On-Ströme. Simulationen legen nahe, dass dieses Ziel nur mithilfe von Geometrie- und Materialvariationen wie etwa der Einbringung von SiGe-Heteroübergängen erreicht werden kann, die extrem hohe Anforderungen hinsichtlich Dotier- und Heteroprofilen an eine laterale Technologie stellen würden. Es sollen daher die bisher nur in Simulationen betrachteten Geometrie- und Materialvariationen hinsichtlich ihres Potentials zur Leistungssteigerung bei Tunneltransistoren systematisch experimentell untersucht werden. Dies soll in einer vertikalen Realisierung mittels Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie geschehen, die es erlaubt, extrem scharfe Dotier- und Heteroübergänge sowie kurze Kanallängen zu erzielen.

从台面到台面的垂直晶体管都是这样的：60mv/dec gleichzeitig motzeig modezielle Frage zu Klären；60mv/dec gleichzeitig motzeig modndlenn；60mv/dec gleichzeitig motzeig MODIZEINGREN；60mV/dec gleichzeig mmotzeig mtn；60mv/dec gleichzeig mmotzeig mlenn；60mv/dec gleichzeizeig MODUGLINGREN；60mV/dec gleichzeig mmotzeig MODIREN；60mV/dec gleichzeitig MODIZEHING MODILENLINEL；60mV/Dec gleichzeizeig MODHINGINEL；60mV/Dec gleichzeig MODZEHING MODILENTIELN FILEGINGUE FIREGING FIREGING FIGHINGINE HLISTHINK；60mV/Dec gleichichzeig MOTHNETHINEMEGINGING MOSFETHINEMEGHANDHANDHANDHANDHANDHERFINGRED与之相似的是，我们的几何形状和材料的变化也是如此，这是一种新的技术形式。在几何形状和材料变化的模拟中，我们进行了系统的实验研究。死在最低温度和最低温度的手套里，死在错误的地方，最坏的地方是库尔兹·卡纳兰根和他的儿子。

项目成果

Device performance tuning of Ge gate-all-around tunneling field effect transistors by means of GeSn: Potential and challenges

利用 GeSn 调节 Ge 环栅隧道场效应晶体管的器件性能：潜力与挑战

• DOI: 10.23919/mipro.2017.7973391
• 发表时间: 2017
• 期刊: 2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)
• 作者: E. Rolseth;A. Blech;I. A. Fischer;Y. Hashad;R. Koerner;K. Kostecki;A. Kruglov;V.S. Senthil Srinivasan;M. Weiser;T. Wendav;K. Busch;J. Schulze
• 通讯作者: J. Schulze

Vertical Ge heterojunction gate-ail-around Tunneling Field Effect Transistors with Ge0.92Sn0.08-δ-Layers at the tunneling junction

垂直 Ge 异质结栅绕隧道场效应晶体管，隧道结处具有 Ge0 92Sn0 08-δ 层

• DOI: 10.1109/istdm.2014.6874652
• 发表时间: 2014
• 期刊: 2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
• 作者: J. Schulze;A. Blech;I. A. Fischer;D. Hahnel;S. Naasz;E. M. Tropper
• 通讯作者: E. M. Tropper

Silicon Tunneling Field-Effect Transistors With Tunneling in Line With the Gate Field

• DOI: 10.1109/led.2012.2228250
• 发表时间: 2013-02-01
• 期刊: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
• 影响因子: 4.9
• 作者: Fischer, Inga A.;Bakibillah, A. S. M.;Schulze, Joerg
• 通讯作者: Schulze, Joerg

Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field

具有与栅极场一致的隧道效应的硅隧道场效应晶体管

• DOI: 10.1109/istdm.2012.6222411
• 发表时间: 2012
• 期刊: 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
• 作者: I. A. Fischer;D. Hahnel;H. Isemann;A. Kottantharayil;G. Murali;M. Oehme;J. Schulze
• 通讯作者: J. Schulze

Tuning the Ge(Sn) Tunneling FET: Influence of Drain Doping, Short Channel, and Sn Content

• DOI: 10.1109/ted.2014.2371065
• 发表时间: 2015
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices
• 影响因子: 3.1
• 作者: Daniel Haehnel;I. Fischer;A. Hornung;Ann-Christin Koellner;J. Schulze