Herstellung und Charakterisierung transparenter und leitfähiger ZnSnxOy-Mischoxidschichten

透明导电 ZnSnxOy 混合氧化物层的生产和表征

• 批准号: 163313481
• 负责人: Professor Dr. Xin Jiang
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Oberflächen- und Werkstofftechnologie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/163313481?language=en
• 关键词: Herstellung; und; Charakterisierung; transparenter; leitf

Das Ziel dieses Projekts ist die Präparation dotierter ZnSnxOy-Schichten mit definierter Zusammensetzung und Phasenreinheit unter Verwendung des PVD Beschichtungsprozesses sowie die Untersuchung der strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften der Schichten in Abhängigkeit von den Herstellungsbedingungen.Zur Dotierung der Schichten soll sowohl die Substitution des Kationen-Untergitters durch Einbau von Sb für ZnSnxOy-Schichten als auch des Anionen-Untergitters durch Einbau von N, F und Cl untersucht werden. Ausgangspunkt ist dabei stets das reaktive Radiofrequenz- Magnetronsputtern (RFMS) von metallischen Targets, wobei die schichtbildenden Teilchenstromdichten stetig verändert werden können.Die grundlegenden Zusammenhänge zwischen den elektrischen und optischen Eigenschaften und den strukturellen Eigenschaften der Schichten werden aufgeklärt. Dazu werden systematische Untersuchungen der Substitutionschemie für die dotierten ZnSnxOy-Schichten, ihrem strukturellem Aufbau und ihren elektrischen und optischen Eigenschaften in Abhängigkeit der Herstellungsbedingungen durchgeführt.Die Kenntnis dieser Zusammenhänge verspricht die Möglichkeit, potentielle Einsatzgebiete dieser Materialien bereits im Vorfeld zu definieren, um dann Schichen mit den jeweils erforderlichen Eigenschaften synthetisieren zu können.

本课题主要是通过PVD工艺制备ZnSnxOy-Schichten薄膜，并对薄膜的结构、电性能和光学性能进行研究，通过Sb对ZnSnxOy-Schichten薄膜的结构、电性能和光学性能的影响，以及通过N，F und Cl untersucht韦尔登。在金属靶上的反应性射频磁控管（RFMS），可通过韦尔登传感器测量。该传感器的基本组成部分包括电特性和光特性以及电磁韦尔登传感器的结构特性。韦尔登系统地研究了ZnSnxOy-Schichten替代方案、结构设计、电性能和光性能的影响因素，并对材料的性能进行了测试，结果表明，该替代方案能有效地提高材料的综合性能。

项目成果

Room temperature fabrication of p-channel Cu2O thin-film transistors on flexible polyethylene terephthalate substrates

在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上室温制备 p 沟道 Cu2O 薄膜晶体管

• DOI: 10.1063/1.4739524
• 发表时间: 2012-07-23
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Yao, Z. Q.;Liu, S. L.;Shao, G.
• 通讯作者: Shao, G.