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Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern

Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern
可调谐平面/共面 DGS 滤波器的设计、优化、CMOS 兼容制造和表征
批准号:
130543330
负责人:
Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2009
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2008-12-31 至 2013-12-31

项目摘要

项目成果

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Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts sind Entwurf, Optimierung, Herstellung und messtechnische Charakterisierung von abstimmbaren HF-MEMS Strukturen, wie Filter oder Resonatoren, mit Hilfe der Dünnschicht-MEMS-Technologie. So sollen „Defected Ground Structures“ in kooperativen und konkurrierenden dynamischen Umgebungen entwickelt werden. Derartige neue Bauelementstrukturen kompakter Geometrie sollen unter Verwendung von MEMS-Schaltern realisiert und untersucht werden, um so räumlich kleine, verlustarme Resonatoren herzustellen und in HF-Filterstrukturen anzuwenden.Im Rahmen des vorgeschlagenen Forschungsvorhabens sollen Methoden entwickelt und untersucht werden, die es ermöglichen, zuverlässige HF-Filterstrukturen herzustellen, mit deren Hilfe sowohl dämpfungsarme Durchlassbereiche als auch kontrollierbare Sperrbereiche realisiert werden können. Dabei werden verschiedene HF-Filtertheorien, wie die Kopplungstheorie und die konventionelle Mikrowellen-Netzwerksynthese, für die Simulation eingesetzt. Parallel dazu sollen auch neue HF-MEMS-Schalter mit niedriger Betätigungsspannung, hohem HF-Leistungsvermögen und hoher Lebensdauer entworfen, simuliert und in Dünnschicht-MEMS-Technologie CMOS-kompatibel realisiert werden. Die Charakteristiken von koplanaren und Mikrostreifen-Leitungen, die auf Siliziumsubstraten aufgebracht sind, sollen mittels MEMS Technologie maßgeblich verbessert werden.In diesem Zusammenhang sind die zur Herstellung der HF-Strukturen erforderlichen Dünnschicht-MEMS-Prozesse zu entwickeln und anhand der erzielten Ergebnisse zu optimieren.
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会议论文
Atomic layer deposited dopant oxide films for doping of germanium and silicon-germanium substrates: Deposition – Flash Lamp Annealing – SIMS metrology
  • 批准号:
    397771392
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Atomic Layer Deposition of Germanium-Antimony-Telluride
  • 批准号:
    288136928
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Capacitive and ohmic microelectromechanical switches with bridges made of spring stell, especially for application in high frequency systems
  • 批准号:
    233756290
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
Chemische Gasphasenabscheidung von super-harten Ruthenium-Diborid-Schichten
  • 批准号:
    216711612
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
  • 依托单位:
海外基金