Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern
Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern
批准号:
130543330
负责人:
Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2009
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2008-12-31 至 2013-12-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts sind Entwurf, Optimierung, Herstellung und messtechnische Charakterisierung von abstimmbaren HF-MEMS Strukturen, wie Filter oder Resonatoren, mit Hilfe der Dünnschicht-MEMS-Technologie. So sollen „Defected Ground Structures“ in kooperativen und konkurrierenden dynamischen Umgebungen entwickelt werden. Derartige neue Bauelementstrukturen kompakter Geometrie sollen unter Verwendung von MEMS-Schaltern realisiert und untersucht werden, um so räumlich kleine, verlustarme Resonatoren herzustellen und in HF-Filterstrukturen anzuwenden.Im Rahmen des vorgeschlagenen Forschungsvorhabens sollen Methoden entwickelt und untersucht werden, die es ermöglichen, zuverlässige HF-Filterstrukturen herzustellen, mit deren Hilfe sowohl dämpfungsarme Durchlassbereiche als auch kontrollierbare Sperrbereiche realisiert werden können. Dabei werden verschiedene HF-Filtertheorien, wie die Kopplungstheorie und die konventionelle Mikrowellen-Netzwerksynthese, für die Simulation eingesetzt. Parallel dazu sollen auch neue HF-MEMS-Schalter mit niedriger Betätigungsspannung, hohem HF-Leistungsvermögen und hoher Lebensdauer entworfen, simuliert und in Dünnschicht-MEMS-Technologie CMOS-kompatibel realisiert werden. Die Charakteristiken von koplanaren und Mikrostreifen-Leitungen, die auf Siliziumsubstraten aufgebracht sind, sollen mittels MEMS Technologie maßgeblich verbessert werden.In diesem Zusammenhang sind die zur Herstellung der HF-Strukturen erforderlichen Dünnschicht-MEMS-Prozesse zu entwickeln und anhand der erzielten Ergebnisse zu optimieren.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Atomic layer deposited dopant oxide films for doping of germanium and silicon-germanium substrates: Deposition – Flash Lamp Annealing – SIMS metrology
-
批准号:397771392
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2018
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Atomic Layer Deposition of Germanium-Antimony-Telluride
-
批准号:288136928
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2016
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Capacitive and ohmic microelectromechanical switches with bridges made of spring stell, especially for application in high frequency systems
-
批准号:233756290
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2013
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Chemische Gasphasenabscheidung von super-harten Ruthenium-Diborid-Schichten
-
批准号:216711612
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2012
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid
-
批准号:188543373
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2011
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
MOCVD von Strotium-Bismut-Tantalat / Bismut-Tantalat-Niobat - Schichten und ferroelektrische Speicherkondensatoren
-
批准号:129002737
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2010
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Ruthenium-Nanostäbe als Bodenelektrode für dreidimensional aufgebaute Kondensatoren
-
批准号:53470039
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2008
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Herstellung und Charakterisierung von silberhaltigen dünnen Germanium-Selen Schichten
-
批准号:25145806
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2006
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Metallorganische Gasphasenabscheidung von dünnen Germanium-Antimon-Tellurid-Schichten
-
批准号:21358569
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2006
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Herstellung ultraflacher pn-Übergänge in Silizium durch Kurzzeit-Diffusion aus einer durch Atomic Layer Deposition abgeschiedenen Dotierstoffquelle
-
批准号:21481364
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2005
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Herstellung und Charakterisierung der ferroelektrischen Schichten Strontium-Bismut-Tantalat aus Ein- und Zweikomponenten-Precursoren
-
批准号:5261575
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2001
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Chemische Gasphasenabscheidung dünner Silberschichten aus metallorganischen Precursoren
-
批准号:5313459
-
项目类别:Priority Programmes
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:2001
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
Kurzzeit-Gasphasendotierung von Silizium
-
批准号:5203824
-
项目类别:Research Grants
-
资助金额:$0.0万
-
财政年份:1999
-
负责人:Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
-
依托单位:
海外基金