Herstellung und Charakterisierung von Volumenkristallen aus der Mischkristallreihe (AIN)x(SiC)1-x

混杂的AlN(AlN)x(SIC)1-x Verbinded De in der Opto-und Leistungselektronik Wichtigen Materiallen AlN and Sic and be itzen eine eine Interessanter Eigenschaften ALS Halbleiter groçer Bandlücke.在较高的技术条件下，这些设备必须在2000°C的温度和有效的隔离条件下，才能与其他材料兼容。在德国-克里斯滕省-克里斯滕省-克里斯特尔茨州和阿尔纳夫宁省，所有的国家和地区都是这样的国家和地区，这些国家和地区都有自己的国家和地区，这些国家和地区都有自己的国家和地区。

Mischkristalle der Reihe (AlN)x(SiC)1–x verbinden die in der Opto- und Leistungselektronik wichtigen Materialien AlN und SiC und besitzen eine Reihe interessanter Eigenschaften als Halbleiter großer Bandlücke. Bisher ist es nicht gelungen, entsprechende Volumeneinkristalle herzustellen, da die beiden wichtigsten Voraussetzungen, Materialkompatibilität bei der Gasphasenzüchtung bei über 2000°C und effektive Kontrolle der Segregation, in ihrer Umsetzung technologisch sehr anspruchsvoll sind. Die Verwendung von nahezu dicht gesinterten Tiegeln aus Tantalkarbid sowie die jahrelange Erfahrung in der Hochtemperatur-Kristallzüchtung von SiC und AlN eröffnen nun die Möglichkeit, ausgehend von der Züchtung von AlN mittels Gasphasentransport von AlN-SiC-Pulvermischungen einen stabilen Prozess zur Herstellung von (AlN)x(SiC)1–x- Volumenkristallen zu entwickeln, auszubauen und schließlich die Anwendbarkeit als Substrat für nitridische Halbleiter zu untersuchen.