Herstellung und Charakterisierung von Volumenkristallen aus der Mischkristallreihe (AIN)x(SiC)1-x

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Mischkristalle der Reihe (AlN)x(SiC)1–x verbinden die in der Opto- und Leistungselektronik wichtigen Materialien AlN und SiC und besitzen eine Reihe interessanter Eigenschaften als Halbleiter großer Bandlücke. Bisher ist es nicht gelungen, entsprechende Volumeneinkristalle herzustellen, da die beiden wichtigsten Voraussetzungen, Materialkompatibilität bei der Gasphasenzüchtung bei über 2000°C und effektive Kontrolle der Segregation, in ihrer Umsetzung technologisch sehr anspruchsvoll sind. Die Verwendung von nahezu dicht gesinterten Tiegeln aus Tantalkarbid sowie die jahrelange Erfahrung in der Hochtemperatur-Kristallzüchtung von SiC und AlN eröffnen nun die Möglichkeit, ausgehend von der Züchtung von AlN mittels Gasphasentransport von AlN-SiC-Pulvermischungen einen stabilen Prozess zur Herstellung von (AlN)x(SiC)1–x- Volumenkristallen zu entwickeln, auszubauen und schließlich die Anwendbarkeit als Substrat für nitridische Halbleiter zu untersuchen.