Herstellung und Charakterisierung von Niobpentoxid-Schichten mit schaltbarer elektrischer Leitfähigkeit

具有可切换电导率的五氧化二铌层的生产和表征

基本信息

项目摘要

Im Rahmen des gemeinsamen Projektes des Institutes für Elektronik- und Sensormaterialien und des Institutes für Werkstoffwissenschaft soll Nb2O5 mit Hilfe der physikalischen Schichtabscheidung (PVD) hergestellt und in Metall-Isolator-Metall-Strukturen integriert werden. Zunächst sollen dabei Elektro-nenstrahl verdampfte Schichten und in der zweiten Phase gesputterte Schichten verwendet werden. Durch eine Kombination von mikrostrukturanalytischen und elektrischen Charakterisierungsmethoden soll der Schaltmechanismus in Nb2O5 geklärt werden. Insbesondere soll dabei der Zusammenhang zwischen den Herstellungsbedingungen des Nioboxides und des Elektrodenmaterials der Phasensta-bilität und der Mikrostruktur der Schichten, der Morphologie der Grenzflächen zwischen Metall und Isolator und den elektrischen Kennwerten des Schaltprozesses herausgearbeitet werden. Die Ergebnisse des Forschungsprojektes tragen ebenfalls zur Klärung der Alterungsmechanismen in Nb2O5-basierten Metall-Isolator-Metall-Strukturen bei.
Im Rahmen des gemeinsamen Projektes des Institutes für Elektronik- und Sensormaterialien und des Institutes für Werkstoffwissenschaft soll Nb 2O 5 mit Hilfe der Physicalischen Schichtabscheidung(PVD)hergestelt und in Metall-Isolator-Metall-Strukturen integriert韦尔登. Zunächst sollen dabei Elektro-nenstrahl verdampfte Schichten und in der zweiten Phase gesputterte Schichten verwendet韦尔登。提出了一种基于铌韦尔登烧结机理的微结构分析与电特性分析相结合的方法。因此,必须对铌氧化物和电介质材料的相结构和微结构、金属和绝缘体的晶界形态学以及韦尔登酸盐工艺的电性能进行研究。研究项目的成果可用于Nb 2 O 5基金属-绝缘体-金属-结构的交替机制。

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Filamentary resistive switching in amorphous and polycrystalline Nb2O5 thin films
  • DOI:
    10.1016/j.sse.2012.01.005
  • 发表时间:
    2012-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick
  • 通讯作者:
    H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick
Analog resistive switching behavior of Al/Nb2O5/Al device
  • DOI:
    10.1088/0268-1242/29/10/104002
  • 发表时间:
    2014-10-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.9
  • 作者:
    Maehne, H.;Wylezich, H.;Mikolajick, T.
  • 通讯作者:
    Mikolajick, T.
Thermally activated crystallization of Nb2O5 grown on Pt electrode
Pt 电极上生长的 Nb2O5 的热激活结晶
  • DOI:
    10.1007/s00339-012-6905-7
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    L. Berger;H. Mähne;V. Klemm;A. Leuteritz;T. Mikolajick;D. Rafaja
  • 通讯作者:
    D. Rafaja
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Professor Dr.-Ing. Thomas Mikolajick其他文献

Professor Dr.-Ing. Thomas Mikolajick的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Thomas Mikolajick', 18)}}的其他基金

New wide-gap semiconductor materials for opto-electronics and for fundamental research
用于光电子学和基础研究的新型宽禁带半导体材料
  • 批准号:
    405782347
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Role of Carbon on the electrical, optical and structural properties of GaN
碳对 GaN 电学、光学和结构特性的作用
  • 批准号:
    348524434
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Locally active memristive data processing (LAMP)
本地主动忆阻数据处理 (LAMP)
  • 批准号:
    273537230
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Ferroelectric Hafnium Oxide Material Enhanced Reliability
铁电氧化铪材料增强了可靠性
  • 批准号:
    430054035
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Neurotransistor-based Memristive Crossbar Memcomputing (NeuroMCross)
基于神经晶体管的忆阻交叉记忆计算 (NeuroMCross)
  • 批准号:
    441898364
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Priority Programmes

相似海外基金

Herstellung und Charakterisierung von TiN-Solarabsoberschichten
TiN 太阳能吸收器顶层的生产和表征
  • 批准号:
    214379229
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Herstellung und Charakterisierung von vertikalen Pillar-Tunnel-Transistoren für eine neue Generation
新一代垂直柱隧道晶体管的制造和表征
  • 批准号:
    211502251
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Studien zur Herstellung, Charakterisierung und Anwendung von elektronenstrahlgehärteten polymeren Cryogelen
电子束固化聚合物冷冻凝胶的制备、表征及应用研究
  • 批准号:
    193749100
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Anlage zur Herstellung und Charakterisierung strukturierter Nanopartikel
结构化纳米粒子的生产和表征系统
  • 批准号:
    181019484
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Major Research Instrumentation
Laserbasierte Herstellung und Charakterisierung von NiTi-Nanopartikeln (C11*)
NiTi 纳米颗粒 (C11*) 的激光生产和表征
  • 批准号:
    165561514
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Collaborative Research Centres
Herstellung, Charakterisierung und Modellierung feuerfester Werkstoffe mit zellularer Matrix
多孔基质耐火材料的制造、表征和建模
  • 批准号:
    113663279
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Priority Programmes
Entwurf, Optimierung, CMOS-kompatible Herstellung und Charakterisierung von abstimmbaren planaren/koplanaren DGS-Filtern
可调谐平面/共面 DGS 滤波器的设计、优化、CMOS 兼容制造和表征
  • 批准号:
    130543330
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Herstellung und Charakterisierung transparenter und leitfähiger ZnSnxOy-Mischoxidschichten
透明导电 ZnSnxOy 混合氧化物层的生产和表征
  • 批准号:
    163313481
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Herstellung und Charakterisierung von Volumenkristallen aus der Mischkristallreihe (AIN)x(SiC)1-x
混合晶体系列 (AIN)x(SiC)1-x 体积晶体的生产和表征
  • 批准号:
    114687075
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Herstellung und Charakterisierung immobilisierter Flüssigmembranen aus funktionalisierten anorganischen Flüssigsalzen in keramischen Trägern
陶瓷载体中功能化无机液体盐固定化液膜的生产和表征
  • 批准号:
    65902590
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了