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Herstellung und Charakterisierung von Niobpentoxid-Schichten mit schaltbarer elektrischer Leitfähigkeit

Herstellung und Charakterisierung von Niobpentoxid-Schichten mit schaltbarer elektrischer Leitfähigkeit
具有可切换电导率的五氧化二铌层的生产和表征
批准号:
163258215
负责人:
Professor Dr.-Ing. Thomas Mikolajick
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2010
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2009-12-31 至 2013-12-31

项目摘要

项目成果

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Im Rahmen des gemeinsamen Projektes des Institutes für Elektronik- und Sensormaterialien und des Institutes für Werkstoffwissenschaft soll Nb2O5 mit Hilfe der physikalischen Schichtabscheidung (PVD) hergestellt und in Metall-Isolator-Metall-Strukturen integriert werden. Zunächst sollen dabei Elektro-nenstrahl verdampfte Schichten und in der zweiten Phase gesputterte Schichten verwendet werden. Durch eine Kombination von mikrostrukturanalytischen und elektrischen Charakterisierungsmethoden soll der Schaltmechanismus in Nb2O5 geklärt werden. Insbesondere soll dabei der Zusammenhang zwischen den Herstellungsbedingungen des Nioboxides und des Elektrodenmaterials der Phasensta-bilität und der Mikrostruktur der Schichten, der Morphologie der Grenzflächen zwischen Metall und Isolator und den elektrischen Kennwerten des Schaltprozesses herausgearbeitet werden. Die Ergebnisse des Forschungsprojektes tragen ebenfalls zur Klärung der Alterungsmechanismen in Nb2O5-basierten Metall-Isolator-Metall-Strukturen bei.
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1016/j.sse.2012.01.005
发表时间: 2012-06
期刊: Solid-state Electronics
影响因子: 1.7
作者: [H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick]
通讯作者: H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick
DOI: 10.1088/0268-1242/29/10/104002
发表时间: 2014-10-01
期刊: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
影响因子: 1.9
作者: [Maehne, H., Wylezich, H., Mikolajick, T.]
通讯作者: Mikolajick, T.
Thermally activated crystallization of Nb2O5 grown on Pt electrode
Pt 电极上生长的 Nb2O5 的热激活结晶
DOI: 10.1007/s00339-012-6905-7
发表时间: 2012
期刊: Applied Physics A
影响因子: --
作者: [L. Berger, H. Mähne, V. Klemm, A. Leuteritz, T. Mikolajick, D. Rafaja]
通讯作者: D. Rafaja
New wide-gap semiconductor materials for opto-electronics and for fundamental research
Role of Carbon on the electrical, optical and structural properties of GaN
Locally active memristive data processing (LAMP)
Ferroelectric Hafnium Oxide Material Enhanced Reliability
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