Integriertes Ionenstrahlätzsystem mit Endpunktdetektion

“Das beantragte integrierte Ionenstrahlätzsystem mit Endpunktdetektion dient zur kontrollierten Mikro- und Nanostrukturierung dünner Schichten.近几年来，我国的材料科学研究已发展成为一个高科技的激光沉积（PLD）和分子束外延（MBE）的沃登系统。Zur Vermessung der Interessierenden Physicalischen Materialeigenschaften wie z.B.在超晶格中的kritischen Ströme，在磁宽站中的自旋极化，或者在微结构组件的Varaktoreigenschaften，都是一个微结构。氧化性材料结构韦尔登是一个不可缺少的组成部分。氧化性材料结构中的系统集成主要是在现场进行预处理。在兰彭康塔滕Ebenso können in situ Substrate vorbearet韦尔登。Die Endpunktdetektion ist notwendig，um in komplexeren Bauteilen mit mehreren funktionalen Schichten in der anterierten Schicht zielgenau den tzvorgang stoppen zu können.“

„Das beantragte integrierte Ionenstrahlätzsystem mit Endpunktdetektion dient zur kontrollierten Mikro- und Nanostrukturierung dünner Schichten. Im Fachbereich Materialwissenschaft sind in den letzten Jahren zwei hochmoderne Dünnschichtsysteme zur gepulsten Laserdeposition (PLD) und reaktiven Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgebaut worden. Zur Vermessung der interessierenden physikalischen Materialeigenschaften wie z.B. der kritischen Ströme in Supraleitern, der Spinpolarisation in Magnetowiderstandsbauelementen oder der Varaktoreigenschaften für Mikrowellenkomponenten ist eine Mikrostrukturierung unabdingbar. Da überwiegend oxidische Materialien strukturiert werden sollen, ist die Verwendung von Sauerstoffionen und eine entsprechende Probenkühlung notwendig.Die Integration des Systems in das vorhandene Dünnschichtcluster erlaubt die in situ Präparation von Oberflächen für nachfolgende Schichtdepositionen wie z.B. in Rampenkontakten. Ebenso können in situ Substrate vorbereitet werden. Die Endpunktdetektion ist notwendig, um in komplexeren Bauteilen mit mehreren funktionalen Schichten in der anvisierten Schicht zielgenau den Ätzvorgang stoppen zu können.“