FuSe-TG: FAB: A Heterogeneous Ferroelectronics Platform for Accelerating Big Data Analytics

FuSe-TG:FAB:加速大数据分析的异构铁电子平台

基本信息

项目摘要

Data generated over social media, biomedical monitoring, and the Internet-of-Things are increasing exponentially. The ability to extract useful information from this big data is critical towards advances in varied domains. The enormity of the data is outstripping the ability for electronic systems to process, communicate and store the data that is being generated. While historically transistor scaling helped address the growth in computational needs, with scaling now reaching its limits, new approaches are needed. To this end, this project brings together experts for realizing a new ferroelectric-based platform that can provide unprecedented opportunities to scale chip designs in the third dimension, to blur the gap between memory and logic functionality through seamless integration to accelerate big data analytics. We have gathered together researchers with cross-layer expertise from materials to systems to create a ferroelectronics platform to provide transformative impetus towards accelerating big data analytics. The teaming exercise will help draw in additional expertise and engagement in workshops and pilot projects. Our cross-layer strategies will lead to concurrent advances such as novel multi-gate devices that leverage the polarization for compact implementation of complex functions, new architectures that harness the intrinsic properties of ferroelectrics, such as polarization domains and optical sensitivity, to support novel security and sensor features. and in-storage computing to support in-place analysis of large amounts of data.Novel ferroelectric systems will have transformative impact on energy efficiency of computing infrastructure from large data centers to the Internet-of-Things. A highly capable workforce will be the foundation of global leadership in this emerging area. Consequently, strategies for workforce development in partnership with community colleges, four-year institutions and industry will be a key focus. Our planning effort will also invest in pilot cross-institutional projects to accelerate engagement of individuals from underrepresented communities. Planned workshops will assess the educational structure and training programs along with process integration and technology ramp-up to rapidly establish the United States as the center of ferroelectric innovation.This award reflects NSF's statutory mission and has been deemed worthy of support through evaluation using the Foundation's intellectual merit and broader impacts review criteria.
社交媒体、生物医学监测和物联网生成的数据正在呈指数级增长。从这些大数据中提取有用信息的能力对于各个领域的进步至关重要。数据的复杂性超过了电子系统处理、通信和存储正在生成的数据的能力。虽然历史上晶体管缩放有助于解决计算需求的增长,但随着缩放现在达到极限,需要新的方法。为此,该项目汇集了专家,以实现一个新的基于铁电的平台,可以提供前所未有的机会,在第三维中扩展芯片设计,通过无缝集成来模糊内存和逻辑功能之间的差距,以加速大数据分析。我们聚集了从材料到系统的跨层专业知识的研究人员,以创建一个铁电平台,为加速大数据分析提供变革动力。协作活动将有助于吸引更多的专门知识和参与讲习班和试点项目。我们的跨层策略将带来同步进步,例如利用极化实现复杂功能的新型多门器件,利用铁电体固有特性(如极化域和光学灵敏度)的新架构,以支持新的安全和传感器功能。新型铁电系统将对从大型数据中心到物联网的计算基础设施的能源效率产生变革性影响。一支高素质的员工队伍将是这一新兴领域全球领导力的基础。因此,与社区学院、四年制院校和工业界合作的劳动力发展战略将是一个重点。我们的规划工作还将投资于试点跨机构项目,以加速代表性不足社区的个人参与。计划中的研讨会将评估教育结构和培训计划,沿着工艺整合和技术提升,以迅速将美国确立为铁电创新的中心。该奖项反映了NSF的法定使命,并通过使用基金会的知识价值和更广泛的影响审查标准进行评估,被认为值得支持。

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Magnetron-Sputtered Lead Titanate Thin Films for Pyroelectric Applications: Part 2—Electrical Characteristics and Characterization Methods
  • DOI:
    10.3390/ma17030589
  • 发表时间:
    2024-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Morteza Fathipour;Yanan Xu;Mukti Rana
  • 通讯作者:
    Morteza Fathipour;Yanan Xu;Mukti Rana
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

VIJAYKRISHNAN NARAYANAN其他文献

VIJAYKRISHNAN NARAYANAN的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('VIJAYKRISHNAN NARAYANAN', 18)}}的其他基金

Collaborative Research: FET: Medium:Compact and Energy-Efficient Compute-in-Memory Accelerator for Deep Learning Leveraging Ferroelectric Vertical NAND Memory
合作研究:FET:中型:紧凑且节能的内存计算加速器,用于利用铁电垂直 NAND 内存进行深度学习
  • 批准号:
    2312886
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
EFRI BRAID: Neuroscience Inspired Visual Analytics
EFRI BRAID:神经科学启发的视觉分析
  • 批准号:
    2318101
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SHF: Small: Leveraging Monolithic 3D for Architectural Innovations
SHF:小型:利用整体 3D 进行建筑创新
  • 批准号:
    2008365
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Visual Cortex on Silicon
合作研究:硅上视觉皮层
  • 批准号:
    1317560
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Planning Grant: I/UCRC for Nexys: Next Generation Electronic System Design
规划补助金:I/UCRC for Nexys:下一代电子系统设计
  • 批准号:
    1160980
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
TC:Small:Improving Lifetime Reliability for Reconfigurable Embedded Systems
TC:Small:提高可重新配置嵌入式系统的使用寿命可靠性
  • 批准号:
    0916887
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
CPATH CDP: Integrating Biology and Computing: Empowering Future Computer Professionals
CPATH CDP:整合生物学和计算:赋予未来计算机专业人员权力
  • 批准号:
    0829607
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
EMT/NANO: Co-Exploration of Device and System Architecture for Quantum NanoElectronics
EMT/NANO:量子纳米电子器件和系统架构的共同探索
  • 批准号:
    0829926
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
HoDoo: Holistic Design of On-chip Interconnects
HoDoo:片上互连的整体设计
  • 批准号:
    0702617
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CRI: SEAT: Soft Error Analysis Toolset
CRI:SEAT:软错误分析工具集
  • 批准号:
    0454123
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Continuing Grant

相似国自然基金

小白链霉菌TG02的ε-聚赖氨酸合成代谢调控机制研究
  • 批准号:
    2025JJ60150
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
小肠定向黏附型 TG-RosA 双相脂质体水凝胶 递送及转运的分子机制
  • 批准号:
    R24C200014
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
TG酶交联对β型球蛋白致敏性的影响机制研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2024
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
sTREM2通过TG2抑制神经元内tau蛋白磷酸化的机制研究
  • 批准号:
    82301356
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
多模态超声联合FNA-Tg评估分化型甲状腺癌颈部转移淋巴结
  • 批准号:
    2023JJ50385
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
新型扭转解聚生物正交激活探针用于TG2调控胃癌血管生成的可视化研究
  • 批准号:
    n/a
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
LncRNA编码肽EDP14的发现及调控TG2入核抑制血管平滑肌细胞表型转化在主动脉夹层进展中的作用机制研究
  • 批准号:
    82370482
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目
用于内窥镜柔性压阻传感器高Tg压敏复合材料的力学设计与制备
  • 批准号:
    LZ23A020005
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
TG2调控白血病干细胞的生物力学特性及干性维持
  • 批准号:
    82370159
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

口腔に分布する新規抗菌物質6-TG産生ブドウ菌種の探索と分子疫学的解析
口腔中分布的新型抗菌物质产6-TG葡萄球菌的寻找及分子流行病学分析
  • 批准号:
    24K13012
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
FuSe-TG: Ultra-low-power and Robust Autonomy of Edge Robotics with 2D Semiconductors
FuSe-TG:采用 2D 半导体的边缘机器人的超低功耗和鲁棒自主性
  • 批准号:
    2235207
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Co-Design of Germanium Oxide-based Semiconductors from Deposition to Devices
FuSe-TG:氧化锗基半导体从沉积到器件的协同设计
  • 批准号:
    2235208
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Physical Computing Co-Design using Three-terminal Devices
FuSe-TG:使用三端设备的物理计算协同设计
  • 批准号:
    2235316
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Reconfigurable Threshold Logic via Flexible Thin Film Electronics: A Pathway to Semiconductor Workforce Development
FuSe-TG:通过柔性薄膜电子器件的可重构阈值逻辑:半导体劳动力发展的途径
  • 批准号:
    2235385
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Open, Multiscale, Application-Agnostic Platform for Heterogeneous System-in-Package Co-Design
FuSe-TG:开放、多尺度、与应用无关的异构系统级封装协同设计平台
  • 批准号:
    2235414
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Co-design based Wide bandgap Semiconductor Research Center
FuSe-TG:基于协同设计的宽带隙半导体研究中心
  • 批准号:
    2235373
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Monolithic Heterointegration of GeSn and SiGeSn Alloys with Silicon Platforms
FuSe-TG:GeSn 和 SiGeSn 合金与硅平台的单片异质集成
  • 批准号:
    2235447
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Co-designing Novel Memristor Heterostructures for Brain Inspired Computers
FuSe-TG:为类脑计算机共同设计新型忆阻器异质结构
  • 批准号:
    2235474
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Electro-Thermal Co-Design Center for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices
FuSe-TG:超宽带隙半导体器件电热协同设计中心
  • 批准号:
    2234479
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 60万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了