Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
GeSn/Ge垂直纳米线的实现及其在下一代晶体管中的应用
批准号：
20K14796
负责人：
MATSUMURA Ryo
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(21)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications
用于垂直晶体管应用的 p-Ge (100) 上高 Sb 掺杂 Ge 的外延生长
用于垂直晶体管应用的 p-Ge (100) 上高 Sb 掺杂 Ge 的外延生长
DOI：
10.1149/10202.0147ecst
发表时间：
2021
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Saputro Rahmat Hadi, Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長
采用高速连续激光退火法生长 Ge 和 GeSn 材料的晶体
采用高速连续激光退火法生长 Ge 和 GeSn 材料的晶体
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
電子デバイス界面テクノロジー研究会材料・プロセス・デバイス特性の物理プロシーディング集
影响因子：
--
作者：
[松村 亮, 深田 直樹]
通讯作者：
深田 直樹
DOI：
10.1021/acsanm.3c00669
发表时间：
2023-04
期刊：
ACS Applied Nano Materials
影响因子：
5.9
作者：
[Qinqiang Zhang;R. Matsumura;N. Fukata]
通讯作者：
Qinqiang Zhang;R. Matsumura;N. Fukata
Self-organized〈1 0 0〉direction growth of germanium film on insulator obtained by high speed continuous wave laser annealing
高速连续波激光退火绝缘体上锗薄膜自组织<1 0 0>方向生长
高速连续波激光退火绝缘体上锗薄膜自组织<1 0 0>方向生长
DOI：
10.1016/j.matlet.2021.129328
发表时间：
2021
期刊：
Materials Letters
影响因子：
3
作者：
[Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of High Sn Concentration Germanium-Tin Films on Insulators by Microsecond Laser Annealing
微秒激光退火在绝缘体上生长高锡浓度锗锡薄膜
微秒激光退火在绝缘体上生长高锡浓度锗锡薄膜
DOI：
10.1149/10202.0141ecst
发表时间：
2021
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
共 17 条
海外基金