Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
GeSn/Ge垂直纳米线的实现及其在下一代晶体管中的应用
批准号：
20K14796
负责人：
MATSUMURA Ryo
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Epitaxial Growth of Highly Sb-Doped Ge on p-Ge (100) for Vertical Transistor Applications
用于垂直晶体管应用的 p-Ge (100) 上高 Sb 掺杂 Ge 的外延生长
用于垂直晶体管应用的 p-Ge (100) 上高 Sb 掺杂 Ge 的外延生长
DOI：
10.1149/10202.0147ecst
发表时间：
2021
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Saputro Rahmat Hadi, Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長
采用高速连续激光退火法生长 Ge 和 GeSn 材料的晶体
采用高速连续激光退火法生长 Ge 和 GeSn 材料的晶体
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
電子デバイス界面テクノロジー研究会材料・プロセス・デバイス特性の物理プロシーディング集
影响因子：
--
作者：
[松村 亮, 深田 直樹]
通讯作者：
深田 直樹
DOI：
10.1021/acsanm.3c00669
发表时间：
2023-04
期刊：
ACS Applied Nano Materials
影响因子：
5.9
作者：
[Qinqiang Zhang;R. Matsumura;N. Fukata]
通讯作者：
Qinqiang Zhang;R. Matsumura;N. Fukata
Self-organized〈1 0 0〉direction growth of germanium film on insulator obtained by high speed continuous wave laser annealing
高速连续波激光退火绝缘体上锗薄膜自组织<1 0 0>方向生长
高速连续波激光退火绝缘体上锗薄膜自组织<1 0 0>方向生长
DOI：
10.1016/j.matlet.2021.129328
发表时间：
2021
期刊：
Materials Letters
影响因子：
3
作者：
[Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of Tensile Strained Poly Germanium Thin Film on Glass Substrates by High Speed Continuous Wave Laser Annealing, and its Application to Germanium-Tin
高速连续波激光退火在玻璃基板上生长拉伸应变多聚锗薄膜及其在锗锡中的应用
高速连续波激光退火在玻璃基板上生长拉伸应变多聚锗薄膜及其在锗锡中的应用
DOI：
10.1149/2162-8777/aba4f1
发表时间：
2020
期刊：
ECS Journal of Solid State Science and Technology
影响因子：
2.2
作者：
[Matsumura Ryo, Fukata Naoki]
通讯作者：
Fukata Naoki
共 17 条
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