Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices
氧化物半导体低温固相结晶及其在高性能柔性器件中的应用
基本信息
- 批准号:20K22415
- 负责人:
- 金额:$ 1.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-09-11 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌
黑雄作、片冈大树、古田守、Yo Fuminho
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小野浩孝;梅原大樹;山田誠;高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ
- 通讯作者:高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ
固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm2V-1s-1)
采用固相结晶In2O3:H的薄膜晶体管的高迁移率(>100 cm2V-1s-1)
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:曲 勇作;片岡 大樹;葉 文昌;古田 守
- 通讯作者:古田 守
水素化In2O3(In2O3:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響
氢化In2O3(In2O3:H)固相结晶温度对载流子传输性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:曲 勇作;片岡 大樹;古田 守;葉 文昌
- 通讯作者:葉 文昌
High-mobility hydrogenated polycrystalline In(2)O(3) (In(2)O(3):H) thin-film transistors.
- DOI:10.1038/s41467-022-28480-9
- 发表时间:2022-02-28
- 期刊:
- 影响因子:16.6
- 作者:Magari Y;Kataoka T;Yeh W;Furuta M
- 通讯作者:Furuta M
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