Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices
Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices
氧化物半导体低温固相结晶及其在高性能柔性器件中的应用
批准号：
20K22415
负责人：
Magari Yusaku
金额：
$1.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
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曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌
黑雄作、片冈大树、古田守、Yo Fuminho
黑雄作、片冈大树、古田守、Yo Fuminho
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小野浩孝, 梅原大樹, 山田誠, 高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ]
通讯作者：
高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ
固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの 高移動度化(>100 cm2V－1s－1)
采用固相结晶In2O3:H的薄膜晶体管的高迁移率（>100 cm2V－1s－1）
采用固相结晶In2O3:H的薄膜晶体管的高迁移率（>100 cm2V－1s－1）
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[曲 勇作, 片岡 大樹, 葉 文昌, 古田 守]
通讯作者：
古田 守
水素化In2O3(In2O3:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響
氢化In2O3(In2O3:H)固相结晶温度对载流子传输性能的影响
氢化In2O3(In2O3:H)固相结晶温度对载流子传输性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[曲 勇作, 片岡 大樹, 古田 守, 葉 文昌]
通讯作者：
葉 文昌
世界最高性能の酸化物薄膜トランジスタを実現
实现世界最高性能氧化物薄膜晶体管
实现世界最高性能氧化物薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1038/s41467-022-28480-9
发表时间：
2022-02-28
期刊：
Nature communications
影响因子：
16.6
作者：
[Magari Y, Kataoka T, Yeh W, Furuta M]
通讯作者：
Furuta M
共 11 条
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