Investigation of 3C-SiC as a novel spintronic compound semiconductor
Investigation of 3C-SiC as a novel spintronic compound semiconductor
3C-SiC作为新型自旋电子化合物半导体的研究
批准号：
20K22413
负责人：
Shigematsu Ei
金额：
$1.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-09-11 至 2023-03-31
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DOI：
10.1103/physrevb.102.174442
发表时间：
2020-11
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[M. Aoki;E. Shigematsu;Masayuki Matsushima;R. Ohshima;S. Honda;T. Shinjo;M. Shiraishi;Y. Ando]
通讯作者：
M. Aoki;E. Shigematsu;Masayuki Matsushima;R. Ohshima;S. Honda;T. Shinjo;M. Shiraishi;Y. Ando
DOI：
10.1063/5.0088343
发表时间：
2022-06
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[E. Shigematsu;E. Tamura;R. Ohshima;Y. Ando;M. Shiraishi]
通讯作者：
E. Shigematsu;E. Tamura;R. Ohshima;Y. Ando;M. Shiraishi
Current-induced out-of-plane torque in a single permalloy layer controlled by geometry
由几何结构控制的单个坡莫合金层中电流感应的面外扭矩
由几何结构控制的单个坡莫合金层中电流感应的面外扭矩
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青木 基, 安藤 裕一郎, 重松 英, 大島 諒, 新庄 輝也, 白石 誠司]
通讯作者：
白石 誠司
DOI：
10.1103/physrevb.104.094401
发表时间：
2021-09
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[M. Aoki;E. Shigematsu;R. Ohshima;T. Shinjo;M. Shiraishi;Y. Ando]
通讯作者：
M. Aoki;E. Shigematsu;R. Ohshima;T. Shinjo;M. Shiraishi;Y. Ando
University of Maryland/NIST(米国)
马里兰大学/NIST（美国）
马里兰大学/NIST（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
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