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High performance SAW devices with other element doped AlN films / layered structure substrates
具有其他元素掺杂AlN薄膜/层状结构衬底的高性能SAW器件
基本信息
- 批准号：19K15024
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（33）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Polarity Control of (0001) Oriented AlN Films by Si Doping and Applications to Polarity Inverted SiAlN/AlN Film Bulk Acoustic Wave Resonators
Si掺杂对(0001)取向AlN薄膜的极性控制及其在极性反转SiAlN/AlN薄膜体声波谐振器中的应用
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jun Sekimoto;Suzuki Masashi;Kakio Shoji
- 通讯作者：Kakio Shoji
Crドープがｃ軸配向AlN薄膜の結晶配向性と電気機械結合係数に及ぼす影響
Cr掺杂对c轴取向AlN薄膜晶体取向及机电耦合系数的影响
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高野 佑成;早川 竜盛;鈴木 雅視;垣尾 省司
- 通讯作者：垣尾 省司
Enhancement of coupling factor in 0th to 4th mode Rayleigh surface acoustic waves on polarity inverted multilayered ScAlN film/AlN and BN substrates
极性反转多层 ScAlN 薄膜/AlN 和 BN 基底上 0 至 4 模瑞利表面声波耦合因子的增强
- DOI：10.35848/1347-4065/ac5650
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Takano Yusei;Suzuki Masashi;Kakio Shoji
- 通讯作者：Kakio Shoji
ScAlN圧電層 / LiNbO3圧電基板での縦型リーキーSAW伝搬におけるオイラー角の検討
ScAlN压电层/LiNbO3压电基片垂直漏声表面波传播的欧拉角研究
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高野 佑成;鈴木 雅視;垣尾 省司
- 通讯作者：垣尾 省司
極性反転 SiAlN/AlN 多層膜 HBAR の形成、評価と極性反転 AlNFBAR の共振特性解析
极性反转SiAlN/AlN多层HBAR的形成与评估以及极性反转AlNFBAR的谐振特性分析
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：関本淳;鈴木雅視;垣尾省司
- 通讯作者：垣尾省司
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- DOI：
- 发表时间：
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2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Masashi Suzuki;Naoya Sawada;and Shoji Kakio - 通讯作者：
and Shoji Kakio
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