High performance SAW devices with other element doped AlN films / layered structure substrates
具有其他元素掺杂AlN薄膜/层状结构衬底的高性能SAW器件
基本信息
- 批准号:19K15024
- 负责人:
- 金额:$ 2.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Polarity Control of (0001) Oriented AlN Films by Si Doping and Applications to Polarity Inverted SiAlN/AlN Film Bulk Acoustic Wave Resonators
Si掺杂对(0001)取向AlN薄膜的极性控制及其在极性反转SiAlN/AlN薄膜体声波谐振器中的应用
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Jun Sekimoto;Suzuki Masashi;Kakio Shoji
- 通讯作者:Kakio Shoji
Crドープがc軸配向AlN薄膜の結晶配向性と電気機械結合係数に及ぼす影響
Cr掺杂对c轴取向AlN薄膜晶体取向及机电耦合系数的影响
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高野 佑成;早川 竜盛;鈴木 雅視;垣尾 省司
- 通讯作者:垣尾 省司
Enhancement of coupling factor in 0th to 4th mode Rayleigh surface acoustic waves on polarity inverted multilayered ScAlN film/AlN and BN substrates
极性反转多层 ScAlN 薄膜/AlN 和 BN 基底上 0 至 4 模瑞利表面声波耦合因子的增强
- DOI:10.35848/1347-4065/ac5650
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Takano Yusei;Suzuki Masashi;Kakio Shoji
- 通讯作者:Kakio Shoji
ScAlN圧電層 / LiNbO3圧電基板での縦型リーキーSAW伝搬におけるオイラー角の検討
ScAlN压电层/LiNbO3压电基片垂直漏声表面波传播的欧拉角研究
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高野 佑成;鈴木 雅視;垣尾 省司
- 通讯作者:垣尾 省司
極性反転 SiAlN/AlN 多層膜 HBAR の形成、評価と極性反転 AlNFBAR の共振特性解析
极性反转SiAlN/AlN多层HBAR的形成与评估以及极性反转AlNFBAR的谐振特性分析
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:関本淳;鈴木雅視;垣尾省司
- 通讯作者:垣尾省司
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