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High performance SAW devices with other element doped AlN films / layered structure substrates

High performance SAW devices with other element doped AlN films / layered structure substrates
具有其他元素掺杂AlN薄膜/层状结构衬底的高性能SAW器件
批准号：
19K15024
负责人：
Masashi Suzuki
金额：
$2.58万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15024/
关键词：
弾性表面波AlN薄膜層構造基板多層構造基板SAWデバイス分極制御周波数フィルタ窒化アルミニウム弾性表面波デバイス他元素ドープAlN膜

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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [高野 佑成, 早川 竜盛, 鈴木 雅視, 垣尾 省司]
通讯作者： 垣尾 省司
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发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
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发表时间： 2022
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
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发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [関本淳, 鈴木雅視, 垣尾省司]
通讯作者： 垣尾省司
共 31 条
    国内基金
    海外基金
    离子注入的AlN薄膜缺陷形成及其对磁性影响的正电子湮没谱学研究
    • 批准号：
      12305333
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      叶润
    • 依托单位：
      盐城师范学院
    蓝宝石衬底上低位错密度、低残留应变AlN薄膜外延生长研究
    • 批准号：
      62104011
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.0万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      张立胜
    • 依托单位：
      北京大学
    基于石墨烯的远程外延高质量AlN薄膜界面科学问题研究
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    • 批准号：
      91860117
    • 项目类别：
      重大研究计划
    • 资助金额：
      60.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      蒋洪川
    • 依托单位：
      电子科技大学