Growth of low-reisitivity diamond wafers for ultra low-loss power electronics
Growth of low-reisitivity diamond wafers for ultra low-loss power electronics
用于超低损耗电力电子器件的低电阻率金刚石晶片的生长
批准号：
15K18043
负责人：
OHMAGARI Shinya
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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熱フィラメントCVD法によるパワーデバイス用ダイヤモンド結晶成長
使用热丝 CVD 方法生长功率器件的金刚石晶体
使用热丝 CVD 方法生长功率器件的金刚石晶体
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大曲新矢, 山田英明, 坪内信輝, 田中真悟, 茶谷原昭義, 梅沢仁, 杢野由明, S. Ohmagari, 大曲新矢, 大曲新矢]
通讯作者：
大曲新矢
Selective-Area Growth of Single-Crystal Diamond Films by Hot-Filament CVD Using Metal Masks
使用金属掩模通过热丝 CVD 选择性区域生长单晶金刚石薄膜
使用金属掩模通过热丝 CVD 选择性区域生长单晶金刚石薄膜
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Ohmagari, T. Matsumoto, H. Umezawa, and Y. Mokuno]
通讯作者：
and Y. Mokuno
Low Resistivity P+ Single-Crystal Diamond Prepared by Hot-Filament CVD
热丝CVD法制备低电阻率P单晶金刚石
热丝CVD法制备低电阻率P单晶金刚石
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Ohmagari, and Y. Mokuno]
通讯作者：
and Y. Mokuno
ダイヤモンド単結晶ウェーハ開発の現状と課題
金刚石单晶片发展现状及挑战
金刚石单晶片发展现状及挑战
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
NEW DIAMOND
影响因子：
--
作者：
[杢野由明, 山田英明, 茶谷原昭義, 大曲新矢]
通讯作者：
大曲新矢
熱フィラメントCVD法で合成した低抵抗ダイヤモンド自立基板評価
热丝CVD法合成低电阻金刚石自支撑基底的评价
热丝CVD法合成低电阻金刚石自支撑基底的评价
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大曲新矢, 山田英明, 梅沢仁, 坪内信輝, 茶谷原昭義, 杢野由明]
通讯作者：
杢野由明
共 31 条
Reduction of threading dislocations in diamond via in-situ metal incorporations and their application for electric devices as a buffer layer
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批准号：19K15295
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：OHMAGARI Shinya
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依托单位：
Basic study on synthesis of heavily boron-doped diamond wafers
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批准号：25889074
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$0.92万
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财政年份：2013
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负责人：OHMAGARI Shinya
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依托单位：
海外基金