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Synthesis of wafer-scale two-dimensional transition metal dichalcogenide single crystals for high-performance electronic devices
用于高性能电子器件的晶圆级二维过渡金属二硫属化物单晶的合成
基本信息
- 批准号：19K15399
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（16）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Deterministic Modification of CVD Grown Monolayer MoS2 with Optical Pulses
- DOI：10.1002/admi.202002119
- 发表时间：2021-03
- 期刊：
- 影响因子：5.4
- 作者：Mikko Turunen;E. Hulkko;Kamila K. Mentel;Xueyin Bai;Suvi-Tuuli Akkanen;Mohammad Amini;Shisheng Li;H. Lipsanen;M. Pettersson;Zhipei Sun
- 通讯作者：Mikko Turunen;E. Hulkko;Kamila K. Mentel;Xueyin Bai;Suvi-Tuuli Akkanen;Mohammad Amini;Shisheng Li;H. Lipsanen;M. Pettersson;Zhipei Sun
Na2SO4-Regulated High-Quality Growth of Transition Metal Dichalcogenides by Controlling Diffusion
Na2SO4 通过控制扩散调节过渡金属二硫属化物的高质量生长
- DOI：10.1021/acs.chemmater.0c01089
- 发表时间：2020-07-14
- 期刊：
- 影响因子：8.6
- 作者：Jin, Yuanyuan;Cheng, Miao;Liu, Song
- 通讯作者：Liu, Song
Salt-Assisted Chemical Vapor Deposition of 2D Transition Metal Dichalcogenides
二维过渡金属二硫属化物的盐辅助化学气相沉积
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：森廣 邦彦;石鍋 拓郎;高津 正子;岡本 晃充;Li Shisheng
- 通讯作者：Li Shisheng
Salt-Assisted Chemical Vapor Deposition of 2D Transition Metal Dichalcogenides-Mechanism and Applications
二维过渡金属二硫属化物的盐辅助化学气相沉积-机理与应用
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taniguchi Takaaki;Li Shisheng;Nurdiwijayanto Leanddas;Kobayashi Yu;Saito Tetsuki;Miyata Yasumitsu;Obata Seiji;Saiki Koichiro;Yokoi Hiroyuki;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Tsukagoshi Kazuhito;Ebina Yasuo;Sasaki Takayoshi;Osada Minoru;Li Shisheng;Li Shisheng;Li Shisheng
- 通讯作者：Li Shisheng
Single-step chemical vapour deposition of anti-pyramid MoS2/WS2 vertical heterostructures
- DOI：10.1039/d0nr08281c
- 发表时间：2021-02-28
- 期刊：
- 影响因子：6.7
- 作者：Bai, Xueyin;Li, Shisheng;Sun, Zhipei
- 通讯作者：Sun, Zhipei
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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