Development of a method for low-temperature fabrication of crystalline n-type germanium layers on plastic substrates with a gold catalyst

开发一种用金催化剂在塑料基板上低温制造晶体 n 型锗层的方法

基本信息

  • 批准号:
    19K15458
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ge-Au同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe結晶の低温形成
使用Ge-Au共沉积薄膜通过金诱导层交换生长低温形成Ge晶体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    栫昂輝;笠原健司;清水昇;角田功;眞砂卓史
  • 通讯作者:
    眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起層交換成長法で作製した結晶性 Ge における結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导层交换生长法制备的晶体 Ge 的晶体学性能和导电性能评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高島 健介;浦上 法之;橋本 佳男;笠原健司,栫昂輝,眞砂卓史
  • 通讯作者:
    笠原健司,栫昂輝,眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起相関交換成長法で作製した結晶性Geにおける結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导相关交换生长制备的晶体 Ge 的晶体学性质和电导率性质的评估
GeAu同時蒸着金誘起層交換成長法で作製した Ge薄膜の電気伝導特性
GeAu共沉积金诱导层交换生长法制备Ge薄膜的导电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    栫昂輝;笠原健司; 眞砂卓史
  • 通讯作者:
    眞砂卓史
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Composition optimization of InAsxSb1-x/AlyIn1-ySb quantum wells for Hall sensors with high sensitivity and high thermal stability
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Manago Takashi;Kasahara Kenji;Shibasaki Ichiro
  • 通讯作者:
    Shibasaki Ichiro

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    $ 2.75万
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    $ 2.75万
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    26870815
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    26420264
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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