Development of a method for low-temperature fabrication of crystalline n-type germanium layers on plastic substrates with a gold catalyst
Development of a method for low-temperature fabrication of crystalline n-type germanium layers on plastic substrates with a gold catalyst
开发一种用金催化剂在塑料基板上低温制造晶体 n 型锗层的方法
批准号：
19K15458
负责人：
Kasahara Kenji
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Ge-Au同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe結晶の低温形成
使用Ge-Au共沉积薄膜通过金诱导层交换生长低温形成Ge晶体
使用Ge-Au共沉积薄膜通过金诱导层交换生长低温形成Ge晶体
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[栫昂輝, 笠原健司, 清水昇, 角田功, 眞砂卓史]
通讯作者：
眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起層交換成長法で作製した結晶性 Ge における結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导层交换生长法制备的晶体 Ge 的晶体学性能和导电性能评估
使用 GeAu 层通过金诱导层交换生长法制备的晶体 Ge 的晶体学性能和导电性能评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
Fukuoka University Science Reports
影响因子：
--
作者：
[高島 健介, 浦上 法之, 橋本 佳男, 笠原健司，栫昂輝，眞砂卓史]
通讯作者：
笠原健司，栫昂輝，眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起相関交換成長法で作製した結晶性Geにおける結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导相关交换生长制备的晶体 Ge 的晶体学性质和电导率性质的评估
使用 GeAu 层通过金诱导相关交换生长制备的晶体 Ge 的晶体学性质和电导率性质的评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
Fukuoka University Science Reports
影响因子：
--
作者：
[笠原健司, 栫昂輝, 眞砂卓史]
通讯作者：
眞砂卓史
GeAu同時蒸着金誘起層交換成長法で作製した Ge薄膜の電気伝導特性
GeAu共沉积金诱导层交换生长法制备Ge薄膜的导电性能
GeAu共沉积金诱导层交换生长法制备Ge薄膜的导电性能
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[栫昂輝, 笠原健司, 眞砂卓史]
通讯作者：
眞砂卓史
Development of method for generation of a pure spin current in germanium with ferromagnetic insulators
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批准号：16K18080
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2016
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负责人：Kasahara Kenji
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依托单位：
国内基金
海外基金
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新型贝利特硫铝酸钙水泥熟料矿物低温形成、共存机制及其组成匹配研究
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批准号：51872252
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项目类别：面上项目
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资助金额：59.0万元
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批准年份：2018
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负责人：郭伟
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依托单位：
基于铜纳米孪晶的三维集成封装层间互连低温形成机理
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批准号：51605498
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：20.0万元
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批准年份：2016
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负责人：陈卓
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依托单位：
双层辉光障碍放电及反应渗镀低温形成氮化钛梯度耐磨材料
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批准号：50764002
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项目类别：地区科学基金项目
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资助金额：19.0万元
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批准年份：2007
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负责人：高原
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依托单位：
热液黄铁矿的低温形成机制和硫同位素温度计
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批准号：49070161
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项目类别：面上项目
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资助金额：4.5万元
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批准年份：1990
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负责人：储雪蕾
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依托单位：