Development of a method for low-temperature fabrication of crystalline n-type germanium layers on plastic substrates with a gold catalyst
开发一种用金催化剂在塑料基板上低温制造晶体 n 型锗层的方法
基本信息
- 批准号:19K15458
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ge-Au同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe結晶の低温形成
使用Ge-Au共沉积薄膜通过金诱导层交换生长低温形成Ge晶体
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:栫昂輝;笠原健司;清水昇;角田功;眞砂卓史
- 通讯作者:眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起層交換成長法で作製した結晶性 Ge における結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导层交换生长法制备的晶体 Ge 的晶体学性能和导电性能评估
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高島 健介;浦上 法之;橋本 佳男;笠原健司,栫昂輝,眞砂卓史
- 通讯作者:笠原健司,栫昂輝,眞砂卓史
GeAu層を用いた金誘起相関交換成長法で作製した結晶性Geにおける結晶学的特性と電気伝導特性の評価
使用 GeAu 层通过金诱导相关交换生长制备的晶体 Ge 的晶体学性质和电导率性质的评估
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:笠原健司;栫昂輝;眞砂卓史
- 通讯作者:眞砂卓史
GeAu同時蒸着金誘起層交換成長法で作製した Ge薄膜の電気伝導特性
GeAu共沉积金诱导层交换生长法制备Ge薄膜的导电性能
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:栫昂輝;笠原健司; 眞砂卓史
- 通讯作者:眞砂卓史
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 作者:
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Shibasaki Ichiro
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号:
20J15538 - 财政年份:2020
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$ 2.75万 - 项目类别:
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