Development of large-aperture high-power blue green VCSELs

大口径高功率蓝绿光VCSEL的研制

基本信息

  • 批准号:
    20H00353
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 29.87万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(63)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
偏光制御された面発光レーザー素子
偏振控制面发射激光元件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
窒化物半導体面発光レーザーの最近の動向
氮化物半导体表面发射激光器的最新趋势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masazumi Fujiwara;Simo Sun;Alexander Dohms;Yushi Nishimura;Ken Suto;Yuka Takezawa;Keisuke Oshimi;Li Zhao;Nikola Sadzak;Yumi Umehara;Yoshio Teki;Naoki Komatsu;Oliver Benson;〇Yutaka Shikano;Eriko Kage-Nakadai;竹内哲也
  • 通讯作者:
    竹内哲也
GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造
使用微小步骤的 GaN 基 VCSEL 的横向光学限制和电流限制结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 実乃里;飯田 涼介;小田 薫;稲垣 徹郎; 柴田 夏奈;長澤 剛;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕
  • 通讯作者:
    岩谷 素顕
Thermal oxidation of AlInN surfaces by mist particle supply
通过雾颗粒供应对 AlInN 表面进行热氧化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroki Matsumoto;Sho Iwayama;Norikatsu Koide;Mahito Odawara;Yusuke Ueshima;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;Takahiro Maruyama;and Isamu Akasaki
  • 通讯作者:
    and Isamu Akasaki
N-type conducting Si-doped AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers
具有 AlGaN 梯度层的 N 型导电硅掺杂 AlInN/GaN DBR
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kenta Kobayashi;Kana Shibata;Tsuyoshi Nagasawa;Ruka Watanabe;Kodai Usui;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;and Motoaki Iwaya
  • 通讯作者:
    and Motoaki Iwaya
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Takeuchi Tetsuya其他文献

Large magneto-optical effect in the topological chiral antiferromagnet Mn3Sn
拓扑手性反铁磁体 Mn3Sn 中的大磁光效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Nakashima Miho;Amako Yasushi;Nakamura Ai;Aoki Dai;Takeuchi Tetsuya;Harima Hisatomo;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;肥後友也
  • 通讯作者:
    肥後友也
心理行動実験・脳機能測定用の嗅覚刺激提示装置の開発
开发用于心理行为实验和脑功能测量的嗅觉刺激呈现装置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kumagai Shinya;Nishigori Chikako;Takeuchi Tetsuya;Bruggeman Peter;Takashima Keisuke;Takahashi Hideki;Kaneko Toshiro;Choi Eun Ha;Nakazato Kazuo;Kambara Makoto;Ishikawa Kenji;高棹圭介;小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤 なおみ
  • 通讯作者:
    小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤 なおみ
In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps
AlInN/GaN 分布式布拉格反射器在包含衬底升温步骤的生长过程中的原位曲率测量
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Hiraiwa Kei;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
  • 通讯作者:
    Akasaki Isamu
悲しみと喜びのあいだ —6つの文化間で共通する驚きの身体性—
悲伤与欢乐之间——六种文化中共有的令人惊讶的肉体——
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawakatsu Shoya;Nakaima Kenri;Kakihana Masashi;Yamakawa Yui;Miyazato Hayato;Kida Takanori;Tahara Time;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Tatetsu Yasutomi;Maehira Takahiro;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos
  • 通讯作者:
    山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos
Fermi Surfaces and Magnetoresistances of Dirac Conduction Electrons in PbX (X: S, Se, Te) and AMnBi2 (A = Ca, Sr)
PbX(X:S、Se、Te)和 AMnBi2(A = Ca、Sr)中狄拉克传导电子的费米表面和磁阻
  • DOI:
    10.7566/jpscp.29.013005
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakaima Kenri;Matsuda Shinya;Iha Wataru;Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Kida Takanori;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Gouchi Jun;Uwatoko Yoshiya;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika
  • 通讯作者:
    Onuki Yoshichika

Takeuchi Tetsuya的其他文献

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  • 发表时间:
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{{ truncateString('Takeuchi Tetsuya', 18)}}的其他基金

blue-green VCSELs towards high-quality light sources with three primary color
蓝绿VCSEL朝向三基色高质量光源
  • 批准号:
    17H01055
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions
用于未开发波长区域激光二极管的阴离子控制氮化物基半导体合金
  • 批准号:
    15K13959
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices
宽禁带半导体空穴注入的新方法及其在新型发光器件中的应用
  • 批准号:
    26286045
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 29.87万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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ワイドギャップシリコン新材料:シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか?
新型宽禁带硅材料:硅同素异形体Si46可以外延生长吗?
  • 批准号:
    24K07584
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    2024
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
  • 批准号:
    24KJ0323
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    2024
  • 资助金额:
    $ 29.87万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
リチウム金属の電気化学エピタキシャル成長
锂金属的电化学外延生长
  • 批准号:
    23K23451
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
  • 批准号:
    23K22786
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機単結晶表面を用いた有機ー有機エピタキシャル成長の初期過程解明と電子状態理解
阐明使用有机单晶表面的有机-有机外延生长的初始过程和电子态
  • 批准号:
    23K13807
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
  • 批准号:
    22H01516
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル成長を利用した高活性光触媒・光電極材料の開発
利用外延生长开发高活性光催化剂和光电极材料
  • 批准号:
    15J11523
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高スピン偏極強磁性窒化物のエピタキシャル成長とスピントロニクスデバイスの作製
高自旋极化铁磁氮化物的外延生长及自旋电子器件的制备
  • 批准号:
    12J02075
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エピタキシャル成長した3層構造シアノ錯体の機能性発現
外延生长的三层氰基络合物的功能表达
  • 批准号:
    11J00249
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高品質シリサイド半導体のエピタキシャル成長とバンドエンジニアリングの検証
高质量硅化物半导体的外延生长和能带工程验证
  • 批准号:
    10J00775
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 29.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了