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Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions

Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions
用于未开发波长区域激光二极管的阴离子控制氮化物基半导体合金
批准号：
15K13959
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$2.5万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13959/
关键词：
価電子帯制御窒化物半導体アンチモン正孔トンネル接合低温成長サーファクタント効果

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发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
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发表时间： 2015
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通讯作者： and Isamu.Akasaki
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发表时间： 2016
期刊： Jpn. J. Appl. Phys.
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作者： [Daisuke Komori, Kaku Takarabe, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki]
通讯作者： and Isamu Akasaki
共 11 条
    Development of large-aperture high-power blue green VCSELs
    • 批准号：
      20H00353
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.87万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    blue-green VCSELs towards high-quality light sources with three primary color
    • 批准号：
      17H01055
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.29万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices
    • 批准号：
      26286045
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.32万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    海外基金