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Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions

用于未开发波长区域激光二极管的阴离子控制氮化物基半导体合金

基本信息

批准号：
15K13959
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

高速成長（0.43 μm/h）させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価

高速（0.43 μm/h）生长的 GaInN 量子阱的弱和强激发 PL 评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
市川竜弥;高須賀大貴;財部覚;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
通讯作者：
赤﨑勇

Carrier gas dependence on GaNSb MOVPE growth

GaN MOVPE 生长对载气的依赖性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daisuke Komori;Hiroki Sasajima;Kaku Takarabe;Kenta Suzuki;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu.Akasaki
通讯作者：
and Isamu.Akasaki

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

氮化物半导体发光器件及其制造方法

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases

使用 H2 和 N2 载气生长的 GaNSb 合金

DOI：
10.7567/jjap.55.05fd01
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Daisuke Komori;Kaku Takarabe;Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

MOVPE Growth of AlNSb Alloys

AlNSb 合金的 MOVPE 生长

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Suzuki;D. Komori;H. Sasajima;K. Takarabe;T. Takeuchi;M. Iwaya;S. Kamiyama;and I. Akasaki
通讯作者：
and I. Akasaki

DOI：
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作者：
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Takeuchi Tetsuya其他文献

Large magneto-optical effect in the topological chiral antiferromagnet Mn3Sn

拓扑手性反铁磁体 Mn3Sn 中的大磁光效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Nakashima Miho;Amako Yasushi;Nakamura Ai;Aoki Dai;Takeuchi Tetsuya;Harima Hisatomo;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;肥後友也
通讯作者：
肥後友也

GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件

DOI：
10.1088/1361-6641/abeb82
发表时间：
2021
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps

AlInN/GaN 分布式布拉格反射器在包含衬底升温步骤的生长过程中的原位曲率测量

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Hiraiwa Kei;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

心理行動実験・脳機能測定用の嗅覚刺激提示装置の開発

开发用于心理行为实验和脑功能测量的嗅觉刺激呈现装置

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumagai Shinya;Nishigori Chikako;Takeuchi Tetsuya;Bruggeman Peter;Takashima Keisuke;Takahashi Hideki;Kaneko Toshiro;Choi Eun Ha;Nakazato Kazuo;Kambara Makoto;Ishikawa Kenji;高棹圭介;小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤なおみ
通讯作者：
小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤なおみ

Destabilization of Excitonic Phase by Elemental Substitution in (Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) and Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co)

(Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) 和 Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co) 中元素取代导致激子相不稳定

DOI：
10.7566/jpsj.92.084705
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Hirose Yusuke;Sano Sumika;Hirahara Takuya;Uwatoko Yoshiya;Gouchi Jun;Takeuchi Tetsuya;Settai Rikio
通讯作者：
Settai Rikio