blue-green VCSELs towards high-quality light sources with three primary color

蓝绿VCSEL朝向三基色高质量光源

基本信息

  • 批准号:
    17H01055
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 28.29万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(89)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
III-Nitride Tunnel Junctions and Their Applications
  • DOI:
    10.1007/978-981-10-3755-9_8
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Rajan;T. Takeuchi
  • 通讯作者:
    S. Rajan;T. Takeuchi
GaN-based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces
使用具有分级界面的导电 AlInN/GaN DBR 的基于 GaN 的 VCSEL
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yusuke Ueshima;Wataru Muranaga;Ryosuke Iida;Sho Iwayama;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;Isamu Akasaki
  • 通讯作者:
    Isamu Akasaki
"高品質AlInN/GaN多層膜反射鏡のための その場観察反り測定"
“高质量 AlInN/GaN 多层反射器的原位翘曲测量”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    平岩 恵;村永 亘 ;岩山 章 竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕;赤﨑 勇
  • 通讯作者:
    赤﨑 勇
"Polarization characteristic of GaN-based VCSELs with AlInN/GaN DBRs "
“具有 AlInN/GaN DBR 的 GaN 基 VCSEL 的偏振特性”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kaoru Oda;Ryosuke Iida, Wataru Muranaga;Sho Iwayama;Tetsuya Takeuchi;Motoaki Iwaya;Satoshi Kamiyama;Isamu Akasaki
  • 通讯作者:
    Isamu Akasaki
Growth of GaInN yellow-green LEDs
GaInN 黄绿光 LED 的生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Junya Yoshinaga;Tatsuya Ichikawa;Tetsuya Takeuchi;Motoaki Iwaya;Satoshi Kamiyama;Isamu Akasaki
  • 通讯作者:
    Isamu Akasaki
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Takeuchi Tetsuya其他文献

Large magneto-optical effect in the topological chiral antiferromagnet Mn3Sn
拓扑手性反铁磁体 Mn3Sn 中的大磁光效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Nakashima Miho;Amako Yasushi;Nakamura Ai;Aoki Dai;Takeuchi Tetsuya;Harima Hisatomo;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;肥後友也
  • 通讯作者:
    肥後友也
GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件
  • DOI:
    10.1088/1361-6641/abeb82
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.9
  • 作者:
    Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
  • 通讯作者:
    Akasaki Isamu
心理行動実験・脳機能測定用の嗅覚刺激提示装置の開発
开发用于心理行为实验和脑功能测量的嗅觉刺激呈现装置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kumagai Shinya;Nishigori Chikako;Takeuchi Tetsuya;Bruggeman Peter;Takashima Keisuke;Takahashi Hideki;Kaneko Toshiro;Choi Eun Ha;Nakazato Kazuo;Kambara Makoto;Ishikawa Kenji;高棹圭介;小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤 なおみ
  • 通讯作者:
    小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤 なおみ
悲しみと喜びのあいだ —6つの文化間で共通する驚きの身体性—
悲伤与欢乐之间——六种文化中共有的令人惊讶的肉体——
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawakatsu Shoya;Nakaima Kenri;Kakihana Masashi;Yamakawa Yui;Miyazato Hayato;Kida Takanori;Tahara Time;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Tatetsu Yasutomi;Maehira Takahiro;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos
  • 通讯作者:
    山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos
Fermi Surfaces and Magnetoresistances of Dirac Conduction Electrons in PbX (X: S, Se, Te) and AMnBi2 (A = Ca, Sr)
PbX(X:S、Se、Te)和 AMnBi2(A = Ca、Sr)中狄拉克传导电子的费米表面和磁阻
  • DOI:
    10.7566/jpscp.29.013005
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakaima Kenri;Matsuda Shinya;Iha Wataru;Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Kida Takanori;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Gouchi Jun;Uwatoko Yoshiya;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika
  • 通讯作者:
    Onuki Yoshichika

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  • 通讯作者:
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Development of large-aperture high-power blue green VCSELs
大口径高功率蓝绿光VCSEL的研制
  • 批准号:
    20H00353
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions
用于未开发波长区域激光二极管的阴离子控制氮化物基半导体合金
  • 批准号:
    15K13959
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices
宽禁带半导体空穴注入的新方法及其在新型发光器件中的应用
  • 批准号:
    26286045
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  • 资助金额:
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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    $ 28.29万
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  • 批准号:
    24KJ0297
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
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  • 批准号:
    24K07603
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
  • 批准号:
    23K22815
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
  • 批准号:
    23K26572
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
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  • 批准号:
    24H00425
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
  • 批准号:
    23K23238
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
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半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进,以有效利用半导体器件废热
  • 批准号:
    23K26148
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
  • 批准号:
    24K00913
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.29万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了