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Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices

Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices
宽禁带半导体空穴注入的新方法及其在新型发光器件中的应用
批准号：
26286045
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$10.32万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26286045/
关键词：
ワイドギャップ半導体窒化物半導体p型分極ドーピングトンネル接合光デバイス分極低温成長ワイドギャップ正孔エピタキシャルトンネル現象誘電体物性半導体物性

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Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions
具有高 AlN 摩尔分数的松弛 AlGaN 异质结构中的空穴积累至极化电荷
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yasuda, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano]
通讯作者： and H. Amano
青色LEDの発明と新規発光デバイスへの展開
蓝光LED的发明及其新型发光器件的发展
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Nakahira, C. Moriyoshi, Y. Kuroiwa, Y. Ishii and S. Mori, 竹内哲也]
通讯作者： 竹内哲也
Nitride-based Tunnel Junctions towards deep UV-LEDs
面向深 UV-LED 的氮化物隧道结
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [髙須賀 大貴,南川大智,井野匡貴,竹内哲也,岩谷 素顕,上山 智, 天野 浩,赤﨑 勇]
通讯作者： 天野 浩,赤﨑 勇
GaInN-based tunnel junctions with high InN mole fractions grown by MOVPE
MOVPE 生长的高 InN 摩尔分数的 GaInN 基隧道结
DOI： 10.1002/pssb.201451507
发表时间： 2015
期刊： Physica Status Solidi (b)
影响因子： --
作者： [Daichi Minamikawa, Masataka Ino, Shunsuke Kawai, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki]
通讯作者： and Isamu Akasaki
共 80 条
    Development of large-aperture high-power blue green VCSELs
    • 批准号：
      20H00353
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.87万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    blue-green VCSELs towards high-quality light sources with three primary color
    • 批准号：
      17H01055
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.29万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions
    • 批准号：
      15K13959
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Takeuchi Tetsuya
    • 依托单位：
      Meijo University
    海外基金