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Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices

宽禁带半导体空穴注入的新方法及其在新型发光器件中的应用

基本信息

批准号：
26286045
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$ 10.32万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions

具有高 AlN 摩尔分数的松弛 AlGaN 异质结构中的空穴积累至极化电荷

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Yasuda;T. Takeuchi;M. Iwaya;S. Kamiyama;I. Akasaki;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

青色LEDの発明と新規発光デバイスへの展開

蓝光LED的发明及其新型发光器件的发展

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Nakahira;C. Moriyoshi;Y. Kuroiwa;Y. Ishii and S. Mori;竹内哲也
通讯作者：
竹内哲也

Nitride-based Tunnel Junctions towards deep UV-LEDs

面向深 UV-LED 的氮化物隧道结

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
髙須賀大貴,南川大智,井野匡貴,竹内哲也,岩谷素顕,上山智;天野浩,赤﨑勇
通讯作者：
天野浩,赤﨑勇

GaInN-based tunnel junctions with high InN mole fractions grown by MOVPE

MOVPE 生长的高 InN 摩尔分数的 GaInN 基隧道结

DOI：
10.1002/pssb.201451507
发表时间：
2015
期刊：
Physica Status Solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Daichi Minamikawa;Masataka Ino;Shunsuke Kawai;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

Low Resistive and Low Absorptive Nitride-Based Tunnel Junctions

低电阻和低吸收氮化物基隧道结

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
2014 MRS Fall Meeting Proceeding
影响因子：
0
作者：
Daichi Minamikawa;Daiki Takasuka;Masataka Ino;Motoaki Iwaya;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

DOI：
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作者：
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Takeuchi Tetsuya其他文献

Large magneto-optical effect in the topological chiral antiferromagnet Mn3Sn

拓扑手性反铁磁体 Mn3Sn 中的大磁光效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Nakashima Miho;Amako Yasushi;Nakamura Ai;Aoki Dai;Takeuchi Tetsuya;Harima Hisatomo;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;肥後友也
通讯作者：
肥後友也

GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件

DOI：
10.1088/1361-6641/abeb82
发表时间：
2021
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps

AlInN/GaN 分布式布拉格反射器在包含衬底升温步骤的生长过程中的原位曲率测量

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Hiraiwa Kei;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

心理行動実験・脳機能測定用の嗅覚刺激提示装置の開発

开发用于心理行为实验和脑功能测量的嗅觉刺激呈现装置

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumagai Shinya;Nishigori Chikako;Takeuchi Tetsuya;Bruggeman Peter;Takashima Keisuke;Takahashi Hideki;Kaneko Toshiro;Choi Eun Ha;Nakazato Kazuo;Kambara Makoto;Ishikawa Kenji;高棹圭介;小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤なおみ
通讯作者：
小早川達・小林剛史・白井真菜美・半井貴大・長野祐一郎・綾部早穂・後藤なおみ

Destabilization of Excitonic Phase by Elemental Substitution in (Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) and Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co)

(Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) 和 Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co) 中元素取代导致激子相不稳定

DOI：
10.7566/jpsj.92.084705
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Hirose Yusuke;Sano Sumika;Hirahara Takuya;Uwatoko Yoshiya;Gouchi Jun;Takeuchi Tetsuya;Settai Rikio
通讯作者：
Settai Rikio