表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製

表面超结构控制原子层外延中自由基的产生

基本信息

  • 批准号:
    05237220
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、メゾスコピック構造を形成するために、半導体表面超構造の制御に有用な役割を果たすフリーラジカルの作製法の確立と、その役割を明確にするための、化学種の同定や表面化学反応の解明を行い、結晶成長過程を、原子レベルで制御することを目指す。具体的には、シリコン(Si)系半導体に着目し、1]有用なフリーラジカル作製とその制御法の確立、2]表面超構造変化の動的解析、3]表面化学反応過程の「その場観測」と結晶成長素過程の解明を行う。これを基に、成長の最表面を原子層レベルで制御してメゾスコピック構造を形成、評価する。我々は、表面超構造を構成する限定された数の原子に、異種の化学種を供給し、その表面化学反応を用いた新しい原子層エピタキシー法を提案し、Si系半導体の結晶成長に適用している。表面超構造は、結晶成長温度においてエネルギー的に最も安定な状態にあり、通常、表面1〜2原子層に限定されている。これを構成する原子と異種の化学種による表面化学反応を活用するので、自己制限機構が働き、原子層レベルでのメゾスコピック構造の形成に適する。本年度においては、Si上への半導体シリコンカーバイド(SiC)のヘテロエピタキシャル成長の実現に重点をおいて研究を進めた。ガスソース分子線成長法を用い、Si系およびC系原料ガスを交互に照射し、そのときの基板最表面の原子構造変化のダイナミックスを、高速反射電子線回折法で解明した。炭化水素ラジカルを用いると、低温で制御性良くSi表面改質が可能であることを明らかにし、原子レベルで平坦な表面を持つSiCの高品位単結晶成長に成功した。しきい値イオン化質量分析法を用いて、生成したラジカル種を定量的に評価し、成長素過程ならびに得られた結晶性との関連を明らかにした。
In this study, the chemical reaction system on the surface of the semi-solid is formed, the semi-solid surface is used to control the temperature, and the chemical reaction on the surface of the same chemical compound is used to make sure that the temperature is established, the chemical reaction is clear, and the results are long-range, long-range and atomic. The specific chemical reaction system (Si) is based on the observation of the semi-solid body, 1) the determination of the system, 2) the analysis of the surface chemical reaction, and 3) the chemical reaction process of the surface chemical reaction. On the basis of the growth, the most surface atoms in the growth system control the formation and formation of the system. In our laboratory, the number of atoms is limited to the number of atoms, several kinds of chemical species are supplied to us, the proposed method is proposed for the reaction of surface chemistry with new atoms, and the crystal growth of semiconductors of the Si system is used. The most stable state of the surface superalloy, the temperature dependence of the crystal growth temperature and temperature, usually, the surface 1: 2 atom temperature limit temperature. All kinds of chemical materials such as atoms, chemical agents, surface chemicals, chemical agents, chemical agents, chemical agents This year, the development of research on key projects has been greatly improved in the current year, and the development of research on key projects has been achieved in the current year. In the current year, there has been a lot of progress in the development of research on key projects in the current year. In the current year, there has been a lot of progress in the development of key-level research. The molecular line length method is used, the Si series, C series raw materials are irradiated alternately, the most surface atoms of the substrate are made of atoms, and the high-speed reflection electron line back-folding method is used to solve the problem. Carbonized water is used to improve the quality of Si surface modification at low temperature. it is possible that the surface of carbonized water is smooth, and the surface of carbonized water is smooth, SiC, high-grade, high-grade and successful. The method of quantitative analysis was used to generate a quantitative analysis of the amount of growth in the process of growth.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Takashi Fuyuki: "Atomic configuration of surface superstructures in layer-by-layer growth of cubic SiC" Proc.3rd IUMRS Intn'l Conf.on Advanced Materials. (1993)
Takashi Fuyuki:“立方 SiC 逐层生长中表面超结构的原子构型”Proc.3rd IUMRS Intnl Conf.on Advanced Materials。
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    0
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Tomoaki Hatayama: "Controlled Carbonization of Si(001)surface using hydrocarbon radicals in ultrahigh vacuum" Proc.4th Intn'l Conf.Chemical Beam Epitaxy & Related Growth Techniques,Nara. 113-114 (1993)
Tomoaki Hatayama:“在超高真空中使用烃基控制 Si(001) 表面的碳化”Proc.4th Intnl Conf.Chemical Beam Epitaxy
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Takashi Fuyuki: "Initial stage of heteroepitaxial growth of SiC on Si by gas source MBE using hydrocrarbon radicals" Proc.Material Research Society,“Interface Control of Properties". (1994)
Takashi Fuyuki:“使用烃自由基通过气源 MBE 在 Si 上异质外延生长 SiC”,Proc.Material Research Society,“Interface Control of Properties”(1994 年)。
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    $ 1.66万
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    58209030
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    $ 1.66万
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