Study of precision control of metal-assisted wet-chemical etching of Si using metal multi-layer as a catalyst
Study of precision control of metal-assisted wet-chemical etching of Si using metal multi-layer as a catalyst
以金属多层为催化剂的金属辅助硅湿法化学刻蚀精度控制研究
批准号：
18K04916
负责人：
Tomohiro Shimizu
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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Effect of etching solution concentration on preparation of Si holes by metal-assisted chemical etching
刻蚀液浓度对金属辅助化学刻蚀制备硅孔的影响
刻蚀液浓度对金属辅助化学刻蚀制备硅孔的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[村田恭介, 依岡拓也, 白岩直哉, 伊藤健, 新宮原正三, 清水智弘]
通讯作者：
清水智弘
Influence of additives on formation of through-Si via in Si substrate using metal assisted chemical etching
添加剂对使用金属辅助化学蚀刻在硅衬底中形成硅通孔的影响
添加剂对使用金属辅助化学蚀刻在硅衬底中形成硅通孔的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Shimizu, S. Hanatani, T. Yorioka, N. Niwa, T. Ito, S. Shingubara]
通讯作者：
S. Shingubara
Effect of concentration of the etching solution on preparation of Si holes using MacEtch process
蚀刻液浓度对 MacEtch 工艺制备硅孔的影响
蚀刻液浓度对 MacEtch 工艺制备硅孔的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Murata, T. Yorioka, T. Ito, S. Shingubara, and T. Shimizu]
通讯作者：
and T. Shimizu
貴金属触媒を用いた湿式Si-TSVエッチングにおける添加剤の効果
添加剂对使用贵金属催化剂的湿法 Si-TSV 蚀刻的影响
添加剂对使用贵金属催化剂的湿法 Si-TSV 蚀刻的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[丹羽良輔, 花谷俊輔, 山口嵩人, 清水智弘, 伊藤健, 新宮原正三]
通讯作者：
新宮原正三
シリコン基板湿式エッチング及びＡｌ陽極酸化を用いた微細構造形成
使用硅衬底湿法蚀刻和铝阳极氧化形成微结构
使用硅衬底湿法蚀刻和铝阳极氧化形成微结构
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[清水智弘, 新宮原正三]
通讯作者：
新宮原正三
共 20 条
国内基金
海外基金
基于多组学联合的可解释机器学习模型预测冠心病患者MACE风险的研究
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批准号：
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项目类别：省市级项目
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资助金额：--
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批准年份：2024
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负责人：章海燕
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依托单位：
MACE纳米刻蚀与退火处理协同强化工业硅中杂质酸浸脱除研究
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批准号：51504117
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：21.0万元
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批准年份：2015
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负责人：李绍元
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依托单位：