Potential induced degradation mechanism due to Na impurities in Si megasolar systems investigated by in-situ transmission electron microscopy
Potential induced degradation mechanism due to Na impurities in Si megasolar systems investigated by in-situ transmission electron microscopy
原位透射电子显微镜研究硅巨型太阳能系统中钠杂质引起的电势诱导降解机制
批准号：
18K05009
负责人：
Yutaka Ohno
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響
Ar原子束辐照表面活化对Si/GaAs键界面结构的影响
Ar原子束辐照表面活化对Si/GaAs键界面结构的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝, 大野裕, 大野裕]
通讯作者：
大野裕
Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces
低阻硅/宽禁带半导体异质界面表面活化直接键合的显微照片
低阻硅/宽禁带半导体异质界面表面活化直接键合的显微照片
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, and Y. Nagai]
通讯作者：
and Y. Nagai
低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価
使用低温 FIB 方法和原子探针/STEM 组合方法精确评估半导体晶界的结构和成分
使用低温 FIB 方法和原子探针/STEM 组合方法精确评估半导体晶界的结构和成分
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中山 大輝, 毛利真一郎, 福田安莉, 高林佑介, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努, 小倉 裕介，林 啓太，下村 優，西村 隆宏，谷田 純, 大野 裕]
通讯作者：
大野 裕
Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding
表面活化键合高热稳定性金刚石/Si和金刚石/GaAs异质界面的形成过程
表面活化键合高热稳定性金刚石/Si和金刚石/GaAs异质界面的形成过程
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ohno, J. Liang, Y. Shimizu, H. Yoshida, N. Shigekawa]
通讯作者：
N. Shigekawa
結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明
利用晶体学和计算科学阐明 Si 和 Na 的反应机理
利用晶体学和计算科学阐明 Si 和 Na 的反应机理
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝, 大野裕]
通讯作者：
大野裕
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