Formulation of multiscale thermal model in SiC power semiconductor device
Formulation of multiscale thermal model in SiC power semiconductor device
SiC功率半导体器件多尺度热模型的建立
批准号：
18K13707
负责人：
KIBUSHI Risako
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2023-03-31
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SiC MOSFET のホットスポット温度予測手法の検討 - ドレイン電圧と冷却面温度の影響
SiC MOSFET热点温度预测方法研究——漏极电压和冷却表面温度的影响
SiC MOSFET热点温度预测方法研究——漏极电压和冷却表面温度的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小西太一, 木伏 理沙子, 畠山友行, 石塚 勝]
通讯作者：
石塚 勝
Heat Generation and Temperature Distribution of SiC Power MOSFET Using Electro-Thermal Analysis
使用电热分析研究 SiC 功率 MOSFET 的发热和温度分布
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Kibushi, T. Hatakeyama, K. Yuki, N. Unno and M. Ishizuka]
通讯作者：
N. Unno and M. Ishizuka
Evaluation of Amount of Heat Through Each Component of SiC Package Using CFD Analysis
使用 CFD 分析评估 SiC 封装各组件的热量
使用 CFD 分析评估 SiC 封装各组件的热量
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Konishi, R. Kibushi, T. Hatakeyama, S. Nakawaga, M. Ishizuka]
通讯作者：
M. Ishizuka
VALUATION OF HEAT FLOW IN A TO-220 PACKAGE MADE OF SIC USING CFD SIMULATION
使用 CFD 模拟评估由 SIC 制成的 TO-220 封装中的热流
使用 CFD 模拟评估由 SIC 制成的 TO-220 封装中的热流
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Kibushi, T. Konishi, T. Hatakeyama, S. Nakagawa, N. Unno, K. Yuki, M. Ishizuka, M. Edatsugi]
通讯作者：
M. Edatsugi
次世代SiCパワー半導体パッケージにおける信頼性向上のための熱設計手法の開発
开发热设计方法以提高下一代 SiC 功率半导体封装的可靠性
开发热设计方法以提高下一代 SiC 功率半导体封装的可靠性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kako Iwamoto, Masaki Okado, Junya Utsumi, Hirokazu Tatsuoka, and Yosuke Shimura, 枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸]
通讯作者：
枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸
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