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Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method

Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
用Na助熔剂法放大无缺陷GaN晶体
批准号：
18K14138
负责人：
Imanishi Masayuki
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K14138/
关键词：
低転位高純度化ポイントシード高速成長GaNNaフラックス法薄液成長薄液無転位Ga連続供給

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Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化
由于动态温度生长条件，Na 通量中的氮浓度较高
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Harada T., Sugawara K., Fujiwara K., Kitamura M., Ito S., Nojima T., Horiba K., Kumigashira H., Takahashi T., Sato T., Tsukazaki A., Ricksen Tandryo,村上航介,山田拓海,北村智子,今西正幸,吉村政志,森勇介]
通讯作者： Ricksen Tandryo,村上航介,山田拓海,北村智子,今西正幸,吉村政志,森勇介
Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング
使用 Na 通量方法中的电阻测量来监测与晶体生长相关的溶液状态变化
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [山﨑智也, 木村勇気, 糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,今西正幸,吉村政志,森勇介]
通讯作者： 糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,今西正幸,吉村政志,森勇介
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Ricksen Tandryo,糸澤孝一,村上航介, 北村智子,山田拓海,今西正幸,吉村政志,森勇介]
通讯作者： 北村智子,山田拓海,今西正幸,吉村政志,森勇介
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Kitamura Miho, Kobayashi Masaki, Sakai Enju, Minohara Makoto, Yukawa Ryu, Shiga Daisuke, Amemiya Kenta, Nonaka Yosuke, Shibata Goro, Fujimori Atsushi, Fujioka Hiroshi, Horiba Koji, Kumigashira Hiroshi, 糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,中村幸介,今西正幸,吉村政志,森勇介]
通讯作者： 糸澤 孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,中村幸介,今西正幸,吉村政志,森勇介
Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
  • 批准号：
    21K18910
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $4.08万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Imanishi Masayuki
  • 依托单位：
    Osaka University
Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
  • 批准号：
    20H02639
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.65万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Imanishi Masayuki
  • 依托单位：
    Osaka University
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