選択性電析を利用した高純度化合物半導体の電析

使用选择性电沉积法电沉积高纯度化合物半导体

基本信息

  • 批准号:
    18750175
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の最終目的は選択性電析法を用いて高純度化合物半導体を製造する事を目的としてBi_2Te_3およびBi-Sb-Teが電析する条件、および得られた熱電材料の特性評価を行った。電解液としてAlCl_3-NaCl-KCl溶融塩を用いた。150℃の電解液中でBiイオン,SbイオンおよびTeイオンの共電析実験を行った。定電位電解およびパルス電解によって、熱電材料の電析を行った結果、電位制御による電析よりも電解液中のSb成分を調整することにより、目的組成のBi_<0.5>Sb_<1.5>Te_3を制御できる事がわかった。本選択電析法を用いることで、電析中にBiやTeが単独に電析した場合には、すぐに電解液中に溶解してしまうため、電極上には単体の成分が電析する事なく、効率よくBi_<0.5>Sb_<1.5>Te_3を形成できる事がわかった。また、電解槽をモニタリングしながらの電解は、電析物の成長過程が観察でき、多くの知見を得た。パルス電解では、定電位電解で得られたものより緻密な電析物が得られ、パルスの周波数および電析と溶解時間の比率の組み合わせにより(110)面への配向が強い電析物が得られた。このとき得られた電析物の評価として、熱電材料のセーベック係数と電気伝導度、熱伝導度を測定し、パワーファクターを算出した。電析法による材料のパワーファクターは、一方向凝固法によって得られた試料の値より2桁程小さい値であり、電析物中の空隙が多いことが性能を低くしている原因と考えられ、今後の改善点なども明らかになった。
The ultimate goal of this study is to evaluate the properties of thermoelectric materials by using selective electroanalysis to produce high purity compound semiconductors. Electrolyte: AlCl_3-NaCl-KCl solution. Electrodeposition of Bi,Sb and Te in electrolyte at 150℃ is carried out. Electrolysis of thermoelectric materials at constant potential results in the regulation of Sb content in the electrolyte and the control of Bi_<0.5>Sb_<1.5>Te_3 in the target composition. In this method, Bi_ Sb_Te is dissolved in the electrolyte <0.5>and formed on the electrode<1.5>. The growth process of electrolyte and electrolyte can be observed and more knowledge can be obtained. The composition of the ratio of the number of cycles and the dissolution time of the electrolyte obtained by electrolysis at constant potential and the orientation of the (110) plane obtained by electrolysis at constant potential Evaluation of thermoelectric materials, measurement of electrical conductivity, and calculation of thermal conductivity of thermoelectric materials Electroanalysis method: material quality, one-direction solidification method: material quality, two-beam quality, electroanalysis material quality, void quality, low performance, future improvement point, etc.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Electrodeposition of Sb-Te Alloy in AlCl_3-NaCl-KCl Molten Salt
AlCl_3-NaCl-KCl熔盐中电沉积Sb-Te合金
パルス電解による塩化物溶融塩からのBi-Sb-Te系熱電材料の電析
脉冲电解熔融氯化盐电沉积 Bi-Sb-Te 热电材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上田幹人;土屋翔;大塚俊明
  • 通讯作者:
    大塚俊明
溶融塩電解によるBi-Sb-Te合金の電析とその熱電特性
熔盐电解电沉积Bi-Sb-Te合金及其热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    土屋翔;上田幹人;大塚俊明
  • 通讯作者:
    大塚俊明
溶融塩電解法によるBi-Sb-Te熱電材料の電析およびその熱電特性
熔盐电解法电沉积Bi-Sb-Te热电材料及其热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    土屋翔;上田幹人;大塚俊明
  • 通讯作者:
    大塚俊明
定電位電解法による塩化物溶融塩からのSb-Te化合物半導体の電析
恒电位电解法熔融氯化盐电沉积Sb-Te化合物半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    水戸祐介;上田幹人;大塚俊明
  • 通讯作者:
    大塚俊明
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

上田 幹人其他文献

水素ポンピングによる重水素同位体分離に対する触媒の影響
催化剂对抽氢分离氘同位素的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    原田 健児;保田 諭;松島 永佳;上田 幹人
  • 通讯作者:
    上田 幹人
PEM水電解における電解効率の水素同位体分離への影響
质子交换膜水电解中电解效率对氢同位素分离的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷井 理沙子;松島 永佳;上田 幹人;佐藤 洸基;羽田 貴英
  • 通讯作者:
    羽田 貴英
高速AFMを用いた銅電析初期過程における電位依存性の研究
利用高速原子力显微镜研究铜电沉积初始过程中的电势依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉岡 大騎;松島 永佳;上田 幹人
  • 通讯作者:
    上田 幹人
各種電解液を用いた固体高分子型水電解における重水素同位体分離
使用各种电解质的固体聚合物水电解中的氘同位素分离
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐藤 華子;小河 亮太;松島 永佳;上田 幹人
  • 通讯作者:
    上田 幹人
Investigation of holographic optical elements for optical separation of crosstalk noise in reconstructed data pages
研究用于重建数据页中串扰噪声光学分离的全息光学元件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三木 昭典;西川 慶;Rosso Michel;松島 永佳;上田 幹人;K. Akaike;谷口尚也,茨田大輔,谷田貝豊彦
  • 通讯作者:
    谷口尚也,茨田大輔,谷田貝豊彦

上田 幹人的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('上田 幹人', 18)}}的其他基金

臭化物およびヨウ化物を含有する塩化物溶融塩からのアルミニウム電析
从含有溴化物和碘化物的氯化物熔盐中电沉积铝
  • 批准号:
    24K08123
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
周波数変調型原子間力顕微鏡を用いたアルミニウムイオン還元時の界面構造解析
使用调频原子力显微镜分析铝离子还原过程中的界面结构
  • 批准号:
    21K04734
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゲノム薬理学的手法によるパニック障害治療におけるファーマコダイナミクス解析
药物基因组学方法治疗惊恐障碍的药效学分析
  • 批准号:
    19790837
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
溶融塩を用いたアルミニウムドロスからのアルミニウムの回収
利用熔盐从铝渣中回收铝
  • 批准号:
    11750633
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

カルコパイライト系化合物半導体中アルカリ金属誘起酸化効果の理解の深化と特性改善
加深对碱金属诱导氧化效应的认识并改善黄铜矿基化合物半导体的性能
  • 批准号:
    24K08256
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Stream 2: South Wales Compound Semiconductor Place Based Impact Accelerator
分流 2:南威尔士化合物半导体地方影响加速器
  • 批准号:
    EP/Y024184/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Research Grant
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2881704
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2888740
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882476
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
  • 批准号:
    23H00272
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2881702
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
Development of active gate drivers for compound-semiconductor-based Net Zero energy systems
为基于化合物半导体的净零能源系统开发有源栅极驱动器
  • 批准号:
    2888285
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882390
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882400
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.73万
  • 项目类别:
    Studentship
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了