Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究
基本信息
- 批准号:20H02639
- 负责人:
- 金额:$ 11.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate
Na-Flux GaN 衬底上生长的 HVPE GaN 中螺旋位错的观察
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:havpreeta Pratap Charan;Ricksen Tandryo;Masayuki Imanishi;Kosuke Murakami;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori
- 通讯作者:Yusuke Mori
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
采用 Na 助熔剂法从点晶种生长高质量 GaN 晶圆
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 通讯作者:Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement
通过电阻测量通过钠通量法原位监测 GaN 晶体生长
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Koichi Itozawa;Ricksen Tandryo;Kosuke Murakami;Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 通讯作者:Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化
使用Na熔剂法通过Li添加平坦化{2021}面GaN单晶
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋 響;Ricksen Tandryo;濱田 和真;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
- 通讯作者:森 勇介
レーザースライスに向けたOVPE-GaN基板の着色低減及び電気特性評価
激光切片用OVPE-GaN衬底的减色和电学性能评估
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:三船 浩明;宇佐美 茂佳;神山 将大;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;隅 智亮;滝野 淳一;岡山 芳央;秦 雅彦;伊勢村 雅士;森 勇介
- 通讯作者:森 勇介
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- 影响因子:0
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