Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究
基本信息
- 批准号:20H02639
- 负责人:
- 金额:$ 11.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate
Na-Flux GaN 衬底上生长的 HVPE GaN 中螺旋位错的观察
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:havpreeta Pratap Charan;Ricksen Tandryo;Masayuki Imanishi;Kosuke Murakami;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori
- 通讯作者:Yusuke Mori
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
采用 Na 助熔剂法从点晶种生长高质量 GaN 晶圆
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 通讯作者:Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement
通过电阻测量通过钠通量法原位监测 GaN 晶体生长
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Koichi Itozawa;Ricksen Tandryo;Kosuke Murakami;Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 通讯作者:Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査
使用 Na 通量法研究 GaN 晶体同质外延生长中的位错行为
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山内 彪我;Ricksen Tandryo;山田 拓海;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
- 通讯作者:森 勇介
Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化
使用Na熔剂法通过Li添加平坦化{2021}面GaN单晶
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋 響;Ricksen Tandryo;濱田 和真;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
- 通讯作者:森 勇介
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation
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- 影响因子:0
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内山 昌典,橋口 早紀,佐分利 亘,森 春英
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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Satoshi Murakami
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三方 ABC 转运蛋白 MacB 的结构
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫;Satoshi Murakami - 通讯作者:
Satoshi Murakami
Crystallization of aspirin form II by femtosecond laser irradiation
飞秒激光照射下阿司匹林 II 型结晶
- DOI:
10.7567/1882-0786/aaf419 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Tsuri Yuka;Maruyama Mihoko;Fujimoto Riki;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Yoshikawa Hiroshi Y.;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Tsukamoto Katsuo;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke - 通讯作者:
Mori Yusuke
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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