课题基金 / 基金详情

Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source

Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source
氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究
批准号：
20H02639
负责人：
Imanishi Masayuki
金额：
$11.65万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02639/
关键词：
OVPEGaN低転位低抵抗欠陥評価格子定数気相成長

项目摘要

项目成果

Imanishi Masayuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(30)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate
Na-Flux GaN 衬底上生长的 HVPE GaN 中螺旋位错的观察
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [havpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori]
通讯作者： Yusuke Mori
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
采用 Na 助熔剂法从点晶种生长高质量 GaN 晶圆
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori]
通讯作者： Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement
通过电阻测量通过钠通量法原位监测 GaN 晶体生长
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori]
通讯作者： Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
レーザースライスに向けたOVPE-GaN基板の着色低減及び電気特性評価
激光切片用OVPE-GaN衬底的减色和电学性能评估
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [三船 浩明, 宇佐美 茂佳, 神山 将大, 今西 正幸, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 隅 智亮, 滝野 淳一, 岡山 芳央, 秦 雅彦, 伊勢村 雅士, 森 勇介]
通讯作者： 森 勇介
共 29 条
    Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
    • 批准号：
      21K18910
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Imanishi Masayuki
    • 依托单位：
      Osaka University
    Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
    • 批准号：
      18K14138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Imanishi Masayuki
    • 依托单位：
      Osaka University
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
    复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学