Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source

氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究

基本信息

  • 批准号:
    20H02639
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate
Na-Flux GaN 衬底上生长的 HVPE GaN 中螺旋位错的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    havpreeta Pratap Charan;Ricksen Tandryo;Masayuki Imanishi;Kosuke Murakami;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Yusuke Mori
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
采用 Na 助熔剂法从点晶种生长高质量 GaN 晶圆
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement
通过电阻测量通过钠通量法原位监测 GaN 晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koichi Itozawa;Ricksen Tandryo;Kosuke Murakami;Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化
使用Na熔剂法通过Li添加平坦化{2021}面GaN单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋 響;Ricksen Tandryo;濱田 和真;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
  • 通讯作者:
    森 勇介
レーザースライスに向けたOVPE-GaN基板の着色低減及び電気特性評価
激光切片用OVPE-GaN衬底的减色和电学性能评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三船 浩明;宇佐美 茂佳;神山 将大;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;隅 智亮;滝野 淳一;岡山 芳央;秦 雅彦;伊勢村 雅士;森 勇介
  • 通讯作者:
    森 勇介
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Imanishi Masayuki其他文献

Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation
脉冲持续时间对 300 至 1200 fs 激光诱导尿素结晶的影响:空化气泡对晶体成核的影响
  • DOI:
    10.1007/s00339-022-05909-y
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tsuri Yuka;Maruyama Mihoko;Tsukamoto Katsuo;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Usami Shigeyoshi;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Mori Yusuke
  • 通讯作者:
    Mori Yusuke
Structure of the tripartite-ABC transporter, MacB
三方 ABC 转运蛋白 MacB 的结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫;Satoshi Murakami
  • 通讯作者:
    Satoshi Murakami
Structure and molecular mechanism of the tripartite drug efflux transporter, AcrB
三联药物外排转运蛋白AcrB的结构和分子机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫;Satoshi Murakami;Takao Arimori;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami
  • 通讯作者:
    Satoshi Murakami
Runella slithyformis由来マンノース2-エピメラーゼ (RsME) の高活性化を指向したスクリーニング
筛选高活化性的石螈源性甘露糖 2-差向异构酶 (RsME)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nishigaki Akari;Maruyama Mihoko;Tanaka Shun-ichi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;Takano Kazufumi;内山 昌典,橋口 早紀,佐分利 亘,森 春英
  • 通讯作者:
    内山 昌典,橋口 早紀,佐分利 亘,森 春英
HGF-Metシグナル伝達経路におけるHGF活性変換機構の構造基盤
HGF-Met信号通路中HGF活性转导机制的结构基础
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫
  • 通讯作者:
    有森 貴夫

Imanishi Masayuki的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Imanishi Masayuki', 18)}}的其他基金

Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
无毒气体OVPE法高品质氧化镓晶体生长技术
  • 批准号:
    21K18910
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
用Na助熔剂法放大无缺陷GaN晶体
  • 批准号:
    18K14138
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

相似国自然基金

基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
  • 批准号:
    QZQN25F050009
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    10.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
GaN基电子器件界面热输运机理研究
  • 批准号:
    2025JJ50045
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
免造影剂增强心脏CT技术:深度学习GAN与U-Net架构的融合应用
  • 批准号:
    2025JJ80644
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
基于GAN-PSO智能算法的高性能Mg-Mn系变形镁合金设计
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

相似海外基金

Quantum GaN-O-Photonics
量子 GaN-O-光子学
  • 批准号:
    EP/X040526/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
Highly integrated GaN power converter to calm the interference
高集成GaN功率转换器,平息干扰
  • 批准号:
    EP/Y002261/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号:
    24K08270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
高Al组分GaN-HEMT漏极电流传导机制的基础研究
  • 批准号:
    24K07598
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
  • 批准号:
    23K26158
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
  • 批准号:
    23K26163
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
  • 批准号:
    24KJ1270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
  • 批准号:
    24KJ0142
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Vertical GaN-on-Si membrane power transistors: Efficient power electronics for mass-market applications (VertiGaN)`
垂直硅基氮化镓薄膜功率晶体管:面向大众市场应用的高效电力电子器件 (VertiGaN)`
  • 批准号:
    EP/X014924/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
Quantum GaN-O-Photonics
量子 GaN-O-光子学
  • 批准号:
    EP/X03982X/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了