Study of thick GaN crystals with low-dislocation density by the vapor phase epitaxy with an oxide gallium source

氧化镓源气相外延低位错密度厚氮化镓晶体的研究

基本信息

  • 批准号:
    20H02639
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate
Na-Flux GaN 衬底上生长的 HVPE GaN 中螺旋位错的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    havpreeta Pratap Charan;Ricksen Tandryo;Masayuki Imanishi;Kosuke Murakami;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura;Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Yusuke Mori
Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
采用 Na 助熔剂法从点晶种生长高质量 GaN 晶圆
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement
通过电阻测量通过钠通量法原位监测 GaN 晶体生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koichi Itozawa;Ricksen Tandryo;Kosuke Murakami;Masayuki Imanishi;Shigeyoshi Usami;Mihoko Maruyama;Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査
使用 Na 通量法研究 GaN 晶体同质外延生长中的位错行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山内 彪我;Ricksen Tandryo;山田 拓海;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
  • 通讯作者:
    森 勇介
Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化
使用Na熔剂法通过Li添加平坦化{2021}面GaN单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋 響;Ricksen Tandryo;濱田 和真;村上 航介;宇佐美 茂佳;今西 正幸;丸山 美帆子;吉村 政志;森 勇介
  • 通讯作者:
    森 勇介
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Imanishi Masayuki其他文献

Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation
脉冲持续时间对 300 至 1200 fs 激光诱导尿素结晶的影响:空化气泡对晶体成核的影响
  • DOI:
    10.1007/s00339-022-05909-y
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tsuri Yuka;Maruyama Mihoko;Tsukamoto Katsuo;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Usami Shigeyoshi;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Mori Yusuke
  • 通讯作者:
    Mori Yusuke
Runella slithyformis由来マンノース2-エピメラーゼ (RsME) の高活性化を指向したスクリーニング
筛选高活化性的石螈源性甘露糖 2-差向异构酶 (RsME)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nishigaki Akari;Maruyama Mihoko;Tanaka Shun-ichi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;Takano Kazufumi;内山 昌典,橋口 早紀,佐分利 亘,森 春英
  • 通讯作者:
    内山 昌典,橋口 早紀,佐分利 亘,森 春英
Structure and molecular mechanism of the tripartite drug efflux transporter, AcrB
三联药物外排转运蛋白AcrB的结构和分子机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫;Satoshi Murakami;Takao Arimori;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami;Satoshi Murakami
  • 通讯作者:
    Satoshi Murakami
Structure of the tripartite-ABC transporter, MacB
三方 ABC 转运蛋白 MacB 的结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nii Kosuke;Maruyama Mihoko;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Yoshikawa Hiroshi Y.;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Imanishi Masayuki;Tsukamoto Katsuo;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke;有森 貴夫;Satoshi Murakami
  • 通讯作者:
    Satoshi Murakami
Crystallization of aspirin form II by femtosecond laser irradiation
飞秒激光照射下阿司匹林 II 型结晶
  • DOI:
    10.7567/1882-0786/aaf419
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Tsuri Yuka;Maruyama Mihoko;Fujimoto Riki;Okada Shino;Adachi Hiroaki;Yoshikawa Hiroshi Y.;Takano Kazufumi;Murakami Satoshi;Matsumura Hiroyoshi;Inoue Tsuyoshi;Tsukamoto Katsuo;Imanishi Masayuki;Yoshimura Masashi;Mori Yusuke
  • 通讯作者:
    Mori Yusuke

Imanishi Masayuki的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Imanishi Masayuki', 18)}}的其他基金

Growth technique of High quality gallium oxide crystal by toxic gas-free OVPE method
无毒气体OVPE法高品质氧化镓晶体生长技术
  • 批准号:
    21K18910
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
用Na助熔剂法放大无缺陷GaN晶体
  • 批准号:
    18K14138
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

相似国自然基金

GaN基电泵浦激光器结构微米线生长与器件研制
  • 批准号:
    62374062
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48 万元
  • 项目类别:
    面上项目
甘氨脱氧胆酸通过FXR-FABP6促进雄激素转化代谢而改善PCOS的分子机制研究
  • 批准号:
    82371643
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目
基于胆汁酸-FXR反馈环路探究草甘膦致肝脏脂代谢紊乱的机制
  • 批准号:
    42307547
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
丝氨酸蛋白酶PR3调控肾足细胞损伤介导糖尿病肾脏病的作用及苓桂术甘汤效应机制研究
  • 批准号:
    82374171
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目
GaN基WGM光学微腔的外延剥离及其垂直注入电泵浦激光器的研制和性能调控
  • 批准号:
    12374072
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    53 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

極低抵抗・低転位密度自立基板を利用した窒化ガリウムにおける大規模伝導度変調制御
使用超低电阻和低位错密度自支撑衬底对氮化镓进行大规模电导率调制控制
  • 批准号:
    21K14210
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Growth of a thick GaN crystal with extremely low resistivity by the OVPE method
采用 OVPE 法生长极低电阻率的厚 GaN 晶体
  • 批准号:
    20H00352
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Enlargement of defect-free GaN crystals by the Na-flux method
用Na助熔剂法放大无缺陷GaN晶体
  • 批准号:
    18K14138
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
低転位バルクGaN単結晶実現に向けた新規気相成長技術の研究
新型气相生长技术研究实现低位错体GaN单晶
  • 批准号:
    16H05980
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Naフラックス法を用いた低反り・低欠陥窒化ガリウムウエハ作製技術の研究開発
Na助熔剂法低翘曲、低缺陷氮化镓晶圆制造技术的研究与开发
  • 批准号:
    14J00276
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了