Sulfide-based thin film solar cell with new electrode structure

新型电极结构硫化物基薄膜太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    26820118
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Cu2ZnSnS4 Thin-Film Solar Cells Utilizing MoSi2/Mo Back Electrode
采用 MoSi2/Mo 背电极的 Cu2ZnSnS4 薄膜太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kaede Matsubayashi;Noritaka Momose;Myo Than Htay;Yoshio Hashimoto;Kentaro Ito
  • 通讯作者:
    Kentaro Ito
(研究・教育)発表
(研究/教育)演示
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
研究内容
研究内容
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
MoSi2/Mo Back Electrode Structures for CZTS-based Thin-film Solar Cells
CZTS 薄膜太阳能电池的 MoSi2/Mo 背电极结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Noritaka Momose;Kaede Matsubasyashi;Myo Than Htay;Yoshio Hashimoto;Kentaro Ito
  • 通讯作者:
    Kentaro Ito
百瀬研究室(卒業研究・専攻科特別研究)
百濑实验室(毕业研究/特别研究)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

MOMOSE Noritaka其他文献

MOMOSE Noritaka的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

カルコパイライト系化合物半導体中アルカリ金属誘起酸化効果の理解の深化と特性改善
加深对碱金属诱导氧化效应的认识并改善黄铜矿基化合物半导体的性能
  • 批准号:
    24K08256
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Stream 2: South Wales Compound Semiconductor Place Based Impact Accelerator
分流 2:南威尔士化合物半导体地方影响加速器
  • 批准号:
    EP/Y024184/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Research Grant
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2881704
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
MSc Compound Semiconductor Electronics (PhD Progression 1+3)
化合物半导体电子学理学硕士(博士升读 1 3)
  • 批准号:
    2888740
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882476
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
  • 批准号:
    23H00272
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2881702
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
Development of active gate drivers for compound-semiconductor-based Net Zero energy systems
为基于化合物半导体的净零能源系统开发有源栅极驱动器
  • 批准号:
    2888285
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882390
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理(博士进修 1 3)
  • 批准号:
    2882400
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.08万
  • 项目类别:
    Studentship
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了