权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Proposal of integratable two dimensional tunnel FET structure and demonstration of its ultra-low power operation

可集成二维隧道FET结构的提出及其超低功耗操作的演示

基本信息

批准号：
22H00206
负责人：
長汐晃輔
金额：
$ 28.54万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

新型コロナウイルス感染症の影響により社会基盤のデジタル・トランスフォーメーションだけでなく個人の生活様式の変革が進み，IoTデバイスの爆発的な増加が予想されるが，IoTデバイスの普及には電子デバイスの超低消費電力化が本質的なボトルネックである．これまでに我々は，原子レベルで急峻かつ電気的に不活性な2次元層状積層界面をハンドメイドでトンネルFETに組み込むことで，MOSFET限界の60 mV/dec以下のサブスレッショルドスイングを実証してきた．しかしながら，集積化が非常に困難な積層デバイス構造では，真の実用化に繋がらない．本研究では，“集積化可能な“デバイス構造に基づいた二次元トンネルトジスタを初めて提案し，そのデバイスプロセスの確立及び超低消費電力動作を実証することを目的とした．2022年度では，新規高濃度n+ドープ2次元結晶ソースの探索を進めた．TFETにおいて高いオン電流を得るためには，高濃度にドーピングされた２D結晶ソースが必須である．現時点で未開拓なn+の高濃度置換型結晶を育成できれば，素子材料の選択肢が大きく広がる．そこで，これまでに多くの成長実績のあるMoS2において，n+となることが予想されるReを出発材料で10%ドープし得た結晶のキャリア数をホール測定により1.3×10^20 cm^-3であることが分かった．このことから期待された高濃度結晶であり，実際，剥離・転写後に単層の輸送特性を計測した結果，ゲート変調しないことが確認できた．2022年4月末に基盤研究(S)が採択されたことから，本研究は廃止となった．

The new type of infectious disease is not related to the health of the society. the health care of the society is in a state of contagion. In the wake of the recent revolution in the personal life of the IoT, the impact of the explosion of the IoT is that you want to buy it, and that the IoT is used to popularize the computer. The ultra-low consumer power of the computer is used to reduce the cost of the computer. The inactive two-dimensional active interface of a nuclear power plant is characterized by an inactive two-dimensional interface. the MOSFET limit is below 60 mV/dec. The MOSFET limit is below the limit of 60 mV/dec. It is very difficult to build a computer, which is very difficult to achieve. It is possible to improve the performance of the two-dimensional environmental protection system, the establishment of the environmental protection system and the purpose of the ultra-low energy dissipation electrical activity. in the year 2022, the new regulations high temperature, high It is necessary to improve the mechanical properties of the high-temperature and high-temperature 2D structures. at present, we have not developed the crystal of the high-temperature temperature setting type, and now we have developed the crystal of the high-temperature temperature setting type, and the pure material is full of high temperature, high temperature, high temperature If you want to use the Re for 10% of the material, you can get the results of the test. You can measure the temperature of 1.3 × 10 ^ 20cm ^-3. The temperature of the material is very high. You can expect the results of the high-temperature properties of the material. At the end of April 2022, the basic study (S)