Engineering of the Orientation Polarization of Organic Semiconductor Molecules toward the Development of Revolutionary Organic Electronic Devices
有机半导体分子取向极化工程以开发革命性有机电子器件
基本信息
- 批准号:16K14102
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(81)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Valence Electronic Structures of the CH3NH3PbI3 Single Crystal
CH3NH3PbI3 单晶的价电子结构
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Soichiro Yamanaka;Ko Tonami;Masataka Hikasa;Ryohei Tsuruta;Koki Yoshida;Kazuhiko Mase;Shinichiro Ideta;Kiyohisa Tanaka;Koji Yamada;Hiroyuki Yoshida;Yasuo Nakayama
- 通讯作者:Yasuo Nakayama
Fullerene epitaxial growth on various organic single crystals
各种有机单晶上的富勒烯外延生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ryohei Tsuruta;Masato Iwasawa;Takuya Hosokai;Tomoyuki Koganezawa;Yoichi Yamada;Yasuo Nakayama
- 通讯作者:Yasuo Nakayama
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Nakayama Yasuo其他文献
4-アミノベンゾフェノン誘導体を用いた溶媒抽出によるパラジウムの選択回収
使用 4-氨基二苯甲酮衍生物通过溶剂萃取选择性回收钯
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- 影响因子:0
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聚二甲基硅氧烷与低聚糖三嵌段共聚物的合成及微相分离结构分析
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- 影响因子:0
- 作者:
Xiaotian Rui;Ota Wataru;Sato Tohru;Furukori Minori;Nakayama Yasuo;Hosokai Takuya;Hisamura Eri;Nakamura Kazuhiro;Matsuda Kenshiro;Nakao Kohei;Monkman Andrew;Albrecht Ken;西村大輝・勝原哲・李采訓・藤原魁佑・磯野拓也・山本拓矢・田島健次・佐藤敏文 - 通讯作者:
西村大輝・勝原哲・李采訓・藤原魁佑・磯野拓也・山本拓矢・田島健次・佐藤敏文
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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佐野 航季
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- 影响因子:3.2
- 作者:
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Challenges for complete demonstration of charge carrier transport states in organic semiconductors based on ultra-high sensitivity photoelectron detection
基于超高灵敏度光电子检测完整演示有机半导体中载流子输运态的挑战
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异质外延表面吸附物晶体形态的自组织
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Fabrication of fluoride resonant tunneling devices on Si with stable electrical properties by using surface inactive layers
利用表面惰性层在硅上制备具有稳定电性能的氟化物谐振隧道器件
- 批准号:
20360004 - 财政年份:2008
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Spontaneous Symmetry Breaking in Crystal Growth
晶体生长中的自发对称破缺
- 批准号:
19540410 - 财政年份:2007
- 资助金额:
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- 资助金额:
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- 资助金额:
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