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Engineering of the Orientation Polarization of Organic Semiconductor Molecules toward the Development of Revolutionary Organic Electronic Devices
有机半导体分子取向极化工程以开发革命性有机电子器件
基本信息
- 批准号：16K14102
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（81）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Valence Electronic Structures of the CH3NH3PbI3 Single Crystal
CH3NH3PbI3 单晶的价电子结构
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Soichiro Yamanaka;Ko Tonami;Masataka Hikasa;Ryohei Tsuruta;Koki Yoshida;Kazuhiko Mase;Shinichiro Ideta;Kiyohisa Tanaka;Koji Yamada;Hiroyuki Yoshida;Yasuo Nakayama
- 通讯作者：Yasuo Nakayama
Fullerene epitaxial growth on various organic single crystals
各种有机单晶上的富勒烯外延生长
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryohei Tsuruta;Masato Iwasawa;Takuya Hosokai;Tomoyuki Koganezawa;Yoichi Yamada;Yasuo Nakayama
- 通讯作者：Yasuo Nakayama
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Nakayama Yasuo其他文献
4-アミノベンゾフェノン誘導体を用いた溶媒抽出によるパラジウムの選択回収
使用 4-氨基二苯甲酮衍生物通过溶剂萃取选择性回收钯
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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青木瞭太，松本和也，寺境光俊
Carbazole‐Dendronized Luminescent Radicals
咔唑树枝状发光自由基
- DOI：
10.1002/anie.202302550 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Xiaotian Rui;Ota Wataru;Sato Tohru;Furukori Minori;Nakayama Yasuo;Hosokai Takuya;Hisamura Eri;Nakamura Kazuhiro;Matsuda Kenshiro;Nakao Kohei;Monkman Andrew;Albrecht Ken - 通讯作者：
Albrecht Ken
ポリジメチルシロキサンとオリゴ糖からなるトリブロック共重合体の合成とミクロ相分離構造解析
聚二甲基硅氧烷与低聚糖三嵌段共聚物的合成及微相分离结构分析
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Xiaotian Rui;Ota Wataru;Sato Tohru;Furukori Minori;Nakayama Yasuo;Hosokai Takuya;Hisamura Eri;Nakamura Kazuhiro;Matsuda Kenshiro;Nakao Kohei;Monkman Andrew;Albrecht Ken;西村大輝・勝原哲・李采訓・藤原魁佑・磯野拓也・山本拓矢・田島健次・佐藤敏文 - 通讯作者：
西村大輝・勝原哲・李采訓・藤原魁佑・磯野拓也・山本拓矢・田島健次・佐藤敏文
アニオン性ナノシートの対カチオンに着目した機能性ソフトマテリアルの設計と開発
以阴离子纳米片抗衡阳离子为主的功能软材料的设计与开发
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nakayama Yasuo;Tsuruta Ryohei;Koganezawa Tomoyuki;佐野 航季 - 通讯作者：
佐野 航季
Experimental and Theoretical Investigation of MALDI In-Source Decay of Peptides with a Reducing Matrix: What Is the Initial Fragmentation Step?
使用还原基质对肽进行 MALDI 源内降解的实验和理论研究：初始断裂步骤是什么？
- DOI：
10.1021/jasms.2c00066 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Asakawa Daiki;Hosokai Takuya;Nakayama Yasuo - 通讯作者：
Nakayama Yasuo
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Challenges for complete demonstration of charge carrier transport states in organic semiconductors based on ultra-high sensitivity photoelectron detection
基于超高灵敏度光电子检测完整演示有机半导体中载流子输运态的挑战
- 批准号：
15H05498 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
Single-crystalline heterostructures fabricated using all-inorganic B-site substituted metal halide perovskite-type semiconductors
使用全无机 B 位取代金属卤化物钙钛矿型半导体制备单晶异质结构
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Creation of all-epitaxial oxide superconducting spin valve using new rare earth monoxide
使用新型一氧化稀土创建全外延氧化物超导自旋阀
- 批准号：
19K15440 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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使用金属卤化物钙钛矿型半导体的发光器件的研究
- 批准号：
15H03573 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of defect reduction method for a lattice-matched III-V-N / Si laser monolithically integrated on Si-chip
开发单片集成在硅芯片上的晶格匹配 III-V-N / Si 激光器的缺陷减少方法
- 批准号：
25286049 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Self-organization of adsorbate crystal morphology on a heteroepitaxial surface
异质外延表面吸附物晶体形态的自组织
- 批准号：
23540456 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of InSb-based high-speed and low power devices on Si by using surface reconstruction controlled epitaxy
表面重构控制外延在Si上制备InSb基高速低功耗器件
- 批准号：
22560323 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of fluoride resonant tunneling devices on Si with stable electrical properties by using surface inactive layers
利用表面惰性层在硅上制备具有稳定电性能的氟化物谐振隧道器件
- 批准号：
20360004 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Spontaneous Symmetry Breaking in Crystal Growth
晶体生长中的自发对称破缺
- 批准号：
19540410 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代低温・超高速エピタキシーを可能とするナノクラスター制御メゾプラズマ技術開発
开发纳米团簇控制的介质技术，实现下一代低温、超高速外延
- 批准号：
17686062 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
ヘテロバレント・ヘテロポリタイプSiC上III族窒化物結晶成長の総合的理解と制御
全面认识和控制异价和异多型SiC上III族氮化物晶体的生长
- 批准号：
16686002 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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