Fabrication of fluoride resonant tunneling devices on Si with stable electrical properties by using surface inactive layers

利用表面惰性层在硅上制备具有稳定电性能的氟化物谐振隧道器件

• 批准号: 20360004
• 负责人: TSUTSUI Kazuo
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360004/
• 关键词: 弗化物; ヘテロエピタキシー; 表面不活性; シリコン; ゲルマニウム; シリサイド; 共鳴トンネル; 超薄膜; ヘテロ構造; 化学反応抑制; バッファ層; エピタキシャルシリサイド; ニッケルシリサイド; 電子デバイス; 量子井戸; トンネル現象

For the resonant tunneling devices composed of ultra-thin fluoride multi layers fabricated on Si substrate, the strong chemical reactivity between Si and CdF_2 has been a significant problem. In this work, the inactive crystalline layers of germanium (Ge) or metal silcides were introduced at the interface between the fluoride layer and Si. This technique allowed the fluoride layers to be grown at higher temperature, which is a promising improvement for achieving device operation with good stability.

对于在Si衬底上制备的超薄氟化物多层膜构成的共振隧穿器件，Si与CdF_2之间的强化学反应性一直是一个重要的问题。在这项工作中，锗（Ge）或金属硅化物的非活性结晶层被引入氟化物层和Si之间的界面。该技术允许氟化物层在更高的温度下生长，这对于实现具有良好稳定性的器件操作是有希望的改进。

项目成果

NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上の弗化物ヘテロ構造の成長

使用NiSi_2缓冲层在Si衬底上生长氟化物异质结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 吉住友樹;齊藤昇;大下隆生;筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御

通过在 Ge 基底上高温生长来控制氟化物 RTD 中的缺陷

• 发表时间: 2010
• 作者: 高橋慶太;林優士;萱沼良介;齊藤昇;筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

Ge(lll)基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの製作

Ge(III)衬底上氟化物谐振隧道二极管的制备

• 发表时间: 2008
• 作者: 高橋慶太;横手義智;大下隆生;筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

NiSi2バッファ層を用いたSi基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの検討

基于NiSi2缓冲层的Si衬底氟化物谐振隧道二极管的研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 横手義智;高橋慶太;吉住友樹;大下隆生;筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

Epitaxial NiSi_2 Buffer Technique for Fluoride Resonant Tunneling Devices on Si

硅上氟化物谐振隧道器件外延NiSi_2缓冲技术

• 发表时间: 2010
• 作者: Keita Takahashi;Yuki Yoshizumi;Yuji Fukuoka;Noboru Saito;Kazuo Tsutsui
• 通讯作者: Kazuo Tsutsui