Sputter deposition of sulfide solar-cell absorber thin films by using a hot-wall reflector toward low-temperature low-cost fabrication process

使用热壁反射器溅射沉积硫化物太阳能电池吸收薄膜，实现低温低成本制造工艺

• 批准号: 24656450
• 负责人: KUSANO Eiji
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Kanazawa Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656450/
• 关键词: スパッタリング; CZTS; 熱反射壁; スパタリング; ホットウォール; CZTS太陽電池光吸収層

项目成果

スパッタリング法により堆積した薄膜におけるボイドあるいはピンホール発生要因とその対策，「気泡･ボイドの発生メカニズムと未然防止･除去技術」，6章6節[5}

溅射沉积薄膜中产生空洞或针孔的因素及其对策，“气泡和空洞的产生机理及预防/去除技术”，第6章第6节[5]

• 发表时间: 2014
• 作者: M. Sakamoto;E. Kusano;坂上拓哉，中村一貴，稲葉駿介，坂本宗明，草野英二;Eiji Kusano;草野 英二
• 通讯作者: 草野 英二

Model calculation of dynamic mass-balance changes in reactive sputtering

反应溅射动态质量平衡变化的模型计算

• 发表时间: 2013
• 期刊: The proceedings of the 12nd International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kyoto, Japan, July 10-12, 2013
• 作者: Mune-aki Sakamoto;Eiji Kusano;Eiji Kusano
• 通讯作者: Eiji Kusano

One-step deposition of Cu2ZnSnS4 thin films by hot-wall sputtering

热壁溅射一步沉积 Cu2ZnSnS4 薄膜

• 发表时间: 2013
• 期刊: The proceedings of the 12nd International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kyoto, Japan, July 10-12, 2013
• 作者: Mune-aki Sakamoto;Eiji Kusano
• 通讯作者: Eiji Kusano

Evaluation of time-dependent compound layer formation and removal at target surface by model calculation of mass balance change in reactive sputtering

通过反应溅射中质量平衡变化的模型计算来评估靶材表面随时间变化的化合物层的形成和去除

• 发表时间: 2013
• 作者: Eiji Kusano.;Mune-aki Sakamoto
• 通讯作者: Mune-aki Sakamoto

Refractive index enhancement by rf-plasma assistance in reactive dc and pulsed dc sputter deposition of Ta2O5 and TiO2 films

通过射频等离子体辅助 Ta2O5 和 TiO2 薄膜的反应直流和脉冲直流溅射沉积提高折射率

• 作者: M. Sakamoto;E. Kusano;坂上拓哉，中村一貴，稲葉駿介，坂本宗明，草野英二;Eiji Kusano
• 通讯作者: Eiji Kusano