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High-speed epitaxial growth of cubic SiC film by laser CVD
激光CVD高速外延生长立方SiC薄膜
基本信息
- 批准号：25630273
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
レーザー CVD による β-SiC 膜の高速合成と成膜雰囲気の影響
激光CVD高速合成β-SiC薄膜及成膜气氛的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋本龍真;伊藤暁彦;後藤孝
- 通讯作者：後藤孝
Laser chemical vapor deposition for high-speed thick coating
高速厚涂层激光化学气相沉积
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋本龍真;伊藤暁彦;後藤孝;Takashi Goto
- 通讯作者：Takashi Goto
レーザーCVD によるSiC の高速成膜と成膜温度が微細組織に与える影響
激光CVD高速SiC沉积及沉积温度对显微组织的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋本龍真;伊藤暁彦;後藤孝
- 通讯作者：後藤孝
Effect of deposition atmosphere on the phase composition and microstructure of silicon carbide films prepared by laser chemical vapour deposition
- DOI：10.1016/j.ceramint.2015.01.142
- 发表时间：2015-06-01
- 期刊：
- 影响因子：5.2
- 作者：Hashimoto, Ryuma;Ito, Akihiko;Goto, Takashi
- 通讯作者：Goto, Takashi
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GOTO Takashi其他文献
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 作者：
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GOTO Takashi
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$ 2.33万 - 项目类别：
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22246082 - 财政年份：2010
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$ 2.33万 - 项目类别：
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22830071 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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从人类服务工作内容文本数据到 ICF 编码程序开发
- 批准号：
22530573 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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19530467 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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激光CVD高速制备生物相容性陶瓷涂层
- 批准号：
18360310 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of noble metal nano-composite electrode for gas sensors
气体传感器用贵金属纳米复合电极的研制
- 批准号：
13555184 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
09450255 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
07J07689 - 财政年份：2007
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
化学気相析出法によるカルサイト膜の合成と光学的性質
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- 批准号：
05855094 - 财政年份：1993
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- 批准号：
63750728 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
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- 批准号：
63750764 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化学気相析出法によるSiC-B_4C系複合セラミックスの合成とそのナノ複合構造
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- 批准号：
63750730 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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- 批准号：
60750690 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化学気相析出法による酸化物薄膜センサーの作製とその評価
化学气相沉积法氧化物薄膜传感器的制备与评价
- 批准号：
58208009 - 财政年份：1983
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research