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High-speed epitaxial growth of cubic SiC film by laser CVD

High-speed epitaxial growth of cubic SiC film by laser CVD
激光CVD高速外延生长立方SiC薄膜
批准号：
25630273
负责人：
GOTO Takashi
金额：
$2.33万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630273/
关键词：
炭化ケイ素化学気相析出レーザー高速成膜高配向レーザーCVDエピタキシャル成長

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发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [橋本龍真, 伊藤暁彦, 後藤孝]
通讯作者： 後藤孝
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DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
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作者： [橋本龍真, 伊藤暁彦, 後藤孝, Takashi Goto]
通讯作者： Takashi Goto
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发表时间： 2013
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  • 批准号：
    25289223
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.98万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    GOTO Takashi
  • 依托单位：
    Tohoku University
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  • 批准号：
    24730766
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $1.25万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    GOTO Takashi
  • 依托单位：
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  • 批准号：
    22246082
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $24.71万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    GOTO Takashi
  • 依托单位：
    Tohoku University
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