Development of production process of high gas barrier films by plasma chemical vapor deposition
Development of production process of high gas barrier films by plasma chemical vapor deposition
等离子体化学气相沉积高阻气薄膜生产工艺开发
批准号：
25630357
负责人：
KAWASE MOTOAKI
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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プラズマＣＶＤ法を用いたシリカ系ガスバリア膜の作製とガス透過速度の測定
采用等离子体CVD法制备二氧化硅基阻气膜并测量气体透过率
采用等离子体CVD法制备二氧化硅基阻气膜并测量气体透过率
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Erika Takeda, Toshiki Deguchi, Hiroyuki Otsu and Motoaki Kawase, 竹田依加 ・出口利樹 ・大津啓幸 ・河瀬元明, 大津啓幸・竹田依加・河瀬元明]
通讯作者：
大津啓幸・竹田依加・河瀬元明
プラズマCVD法で作製したシリカ膜構造へのキャリアガスの影響
载气对等离子体CVD法制备二氧化硅薄膜结构的影响
载气对等离子体CVD法制备二氧化硅薄膜结构的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Erika Takeda, Toshiki Deguchi, Motoaki Kawase, 竹田依加・出口利樹・河瀬元明]
通讯作者：
竹田依加・出口利樹・河瀬元明
Effects of feed gas composition on the properties of silica film prepared by plasma CVD
原料气组成对等离子体CVD制备二氧化硅薄膜性能的影响
原料气组成对等离子体CVD制备二氧化硅薄膜性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Erika Takeda, Toshiki Deguchi, Motoaki Kawase]
通讯作者：
Motoaki Kawase
CVD OF SILICA FILM FROM HEXAMETHYLDISILOXANE AND OXYGEN
用六甲基二硅氧烷和氧气 CVD 制备二氧化硅薄膜
用六甲基二硅氧烷和氧气 CVD 制备二氧化硅薄膜
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Erika Takeda, Ryo Takahashi, Sho Nagaya, Motoaki Kawase]
通讯作者：
Motoaki Kawase
プラズマCVD 法で製膜したシリカ膜の膜応力
等离子CVD法形成的二氧化硅膜的膜应力
等离子CVD法形成的二氧化硅膜的膜应力
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Akimitsu Miyaji, Teppei Miyoshi, Ken Motokura, Toshihide Bab, 宮地 輝光・テキ ブンカ・馬場 俊秀, 宮地輝光,中川聡矢,本倉 健,馬場俊秀, 宮地輝光・本倉健・馬場俊秀, 宮地輝光・馬場俊秀, 脇坂知樹･竹田依加･河瀬元明]
通讯作者：
脇坂知樹･竹田依加･河瀬元明
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