Dislocation passivation in InGaN by intentinally using immiscible nature during MBE growth by DERI method

通过 DERI 方法在 MBE 生长过程中有意利用不混溶性质来钝化 InGaN 中的位错

• 批准号: 26600090
• 负责人: NANISHI YASUSHI
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Ritsumeikan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26600090/
• 关键词: InN; InGaN; 窒化物半導体; 混晶組成; 極微領域評価; MBE; 転位; リーク電流; 不活性化

项目成果

Strain Relaxation Analysis Using In-situ X-ray Reciprocal Space Mapping Measurements in RF-MBE Growth of GaInN

在 GaInN 的 RF-MBE 生长中使用原位 X 射线倒易空间映射测量进行应变弛豫分析

• 发表时间: 2016
• 作者: T. Yamaguchi; T. Sasaki;M. Takahasi; T. Honda; T. Onuma; Y. Nanishi
• 通讯作者: Y. Nanishi

Study on Microstructure and Thermal Stability of Rf-Plasma Nitridated α-(AlGa)2O3 Grown by Mist-CVD

雾化CVD生长射频等离子体氮化α-(AlGa)2O3的微观结构和热稳定性研究

• 发表时间: 2016
• 作者: A. Buma;N. Masuda;T. Araki;Y. Nanishi;M. Oda;T. Hitora
• 通讯作者: T. Hitora

RF-MBE Growth of GaInN Ternary Alloys Using in-situ Monitoring Techniques

使用原位监测技术 RF-MBE 生长 GaInN 三元合金

• 发表时间: 2016
• 作者: T. Yamaguchi;T. Sasaki;M. Takahashi;T. Araki;T. Onuma;T. Honda and Y. Nanishi
• 通讯作者: T. Honda and Y. Nanishi

Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN

通过积极利用 InGaN 中的相分离来钝化位错的想法

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Nanishi;T. Yamaguchi;and T. Araki
• 通讯作者: and T. Araki

Progress in GaInN Growth by RF-MBE and Development to Optical Device Fabrication

RF-MBE 生长 GaInN 的进展和光学器件制造的发展

• 发表时间: 2015
• 作者: T. Yamaguchi;T. Araki;T. Onuma;T. Honda;Y. Nanishi
• 通讯作者: Y. Nanishi