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Dislocation passivation in InGaN by intentinally using immiscible nature during MBE growth by DERI method

Dislocation passivation in InGaN by intentinally using immiscible nature during MBE growth by DERI method
通过 DERI 方法在 MBE 生长过程中有意利用不混溶性质来钝化 InGaN 中的位错
批准号：
26600090
负责人：
NANISHI YASUSHI
金额：
$2.58万
依托单位：
Ritsumeikan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26600090/
关键词：
InNInGaN窒化物半導体混晶組成極微領域評価MBE転位リーク電流不活性化

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DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Buma, N. Masuda, T. Araki, Y. Nanishi, M. Oda, T. Hitora]
通讯作者： T. Hitora
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发表时间： 2016
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通讯作者： T. Honda and Y. Nanishi
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发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yamaguchi, T. Araki, T. Onuma, T. Honda, Y. Nanishi]
通讯作者： Y. Nanishi
共 44 条
    国内基金
    海外基金
    基于纳米柱的InGaN单量子点构建及超低 功耗光电突触器件
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      15.0万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吕泽升
    • 依托单位：
      中山大学
    外差式InGaN量子阱梁光机电一体化微腔加速度计传感机理 研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
    • 依托单位：
      南京邮电大学
    AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
    • 批准号：
      2024JJ7377
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      张顺如
    • 依托单位：
      怀化学院