Development of an in-situ method to observe CVD growth by black body radiation
Development of an in-situ method to observe CVD growth by black body radiation
开发通过黑体辐射观察 CVD 生长的原位方法
批准号：
15K13346
负责人：
Saiki Koichiro
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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金属 Cu 基板上で成長するグラフェンのリアルタイム観察に世界で初めて成功しました
全球首次成功实时观察金属铜基板上生长的石墨烯
全球首次成功实时观察金属铜基板上生长的石墨烯
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
基板加熱がグラフェン CVD 成長に与える影響の in situ 観察
原位观察衬底加热对石墨烯CVD生长的影响
原位观察衬底加热对石墨烯CVD生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[阪口利文, 田中星奈, 馬越智也, 石川輝 , 田口和典, 岡村好子, 阪口利文, 寺澤知潮，平良孝信，小幡誠司，斉木幸一朗]
通讯作者：
寺澤知潮，平良孝信，小幡誠司，斉木幸一朗
熱放射顕微法によるグラフェン成長のリアルタイム観察
使用热发射显微镜实时观察石墨烯生长
使用热发射显微镜实时观察石墨烯生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
応用物理
影响因子：
--
作者：
[Takanobu Taira, Seiji Obata, Koichiro Saiki, 斉木幸一朗，寺澤知潮]
通讯作者：
斉木幸一朗，寺澤知潮
Cu箔基板上グラフェンCVD成長における核発生支配要因
铜箔基板上石墨烯 CVD 生长的成核控制因素
铜箔基板上石墨烯 CVD 生长的成核控制因素
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takanobu Taira, Seiji Obata, Koichiro Saiki, 斉木幸一朗，寺澤知潮, T. Terasawa and K. Saiki, 斉木 幸一朗, 平良 隆信，小幡 誠司，斉木 幸一朗, 斉木 幸一朗, 平良 隆信，小幡 誠司，斉木 幸一朗]
通讯作者：
平良 隆信，小幡 誠司，斉木 幸一朗
グラフェンCVD成長における核発生点のin-situ観察
石墨烯 CVD 生长过程中成核点的原位观察
石墨烯 CVD 生长过程中成核点的原位观察
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takanobu Taira, Seiji Obata, Koichiro Saiki, 斉木幸一朗，寺澤知潮, T. Terasawa and K. Saiki, 斉木 幸一朗, 平良 隆信，小幡 誠司，斉木 幸一朗]
通讯作者：
平良 隆信，小幡 誠司，斉木 幸一朗
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