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Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma

Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
非平衡高压氢等离子体硅尺寸变换软工艺开发
批准号：
15K13848
负责人：
Ohmi Hiromasa
金额：
$2.5万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13848/
关键词：
シリコン水素プラズマナノ粒子ナノシリコン水素プラズマ微粒子精製金属級シリコン

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スリット型狭ギャッププラズマ源を用いたオンサイトSiH4生成
使用狭缝型窄间隙等离子体源现场生成 SiH4
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiromasa Ohmi, F. Shinoda, N. Takei, H. Kakiuchi, K. Yasutake, 武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌]
通讯作者： 武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma
窄间隙微波氢等离子体高速硅蚀刻中硅烷气体的产生效率
DOI： 10.1088/0022-3727/49/3/035202
发表时间： 2016
期刊： J. Physics D: Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake]
通讯作者： Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
狭ギャップ高密度水素プラズマを用いたオンサイトSiH4生成装置の開発
窄间隙高密度氢等离子体现场SiH4生成设备的开发
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake, 篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌]
通讯作者： 篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap
使用窄缝型放电间隙中产生的高密度微波 H2 等离子体现场生成 SiH4
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Hiromasa Ohmi, F. Shinoda, N. Takei, H. Kakiuchi, K. Yasutake]
通讯作者： K. Yasutake
共 6 条
    nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号：
      20H02049
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
    • 批准号：
      18K18809
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
    • 批准号：
      16H04245
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.48万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
    • 批准号：
      25289016
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金