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Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science

Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
基于等离子体和纳米技术科学从冶金硅源直接形成高质量纳米线硅
批准号：
25289016
负责人：
Ohmi Hiromasa
金额：
$11.15万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289016/
关键词：
ナノワイヤシリコン太陽電池プラズマ水素精製ナノマイクロ加工精製プロセス

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selective formation of silicon film by chemical transport technique using a high-pressure narrow-gap hydrogen plasma
利用高压窄间隙氢等离子体通过化学输运技术选择性形成硅膜
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake]
通讯作者： K. Yasutake
Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma
在高压氢等离子体中通过化学溅射工艺选择性沉积晶体硅薄膜
DOI： 10.1063/1.4926849
发表时间： 2015
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake]
通讯作者： and Kiyoshi Yasutake
準大気圧雰囲気での水素プラズマ化学輸送法を用いたシリコンナノワイヤの形成
在负压气氛下利用氢等离子体化学输运法形成硅纳米线
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Yutaka Noguchi, Hyunsoo Lim, Takashi Isoshima, Eisuke Ito, Masahiko Hara, Whee Won Chin, Jin Wook Han, Hiroumi Kinjo, Yusuke Ozawa, Yasuo Nakayama, and Hisao Ishii, 守屋瑠璃子・松浦大輔・武田行生, 竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌]
通讯作者： 竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
成膜方法および成膜装置
成膜方法及成膜设备
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 17 条
    nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号：
      20H02049
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
    • 批准号：
      18K18809
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
    • 批准号：
      16H04245
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.48万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号：
      15K13848
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金