Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
批准号:
16H04245
负责人:
Ohmi Hiromasa
金额:
$10.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果
使用氢等离子体的铜干法蚀刻中添加气体效应
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔]
通讯作者:
大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔
狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長
使用现场 SiH4 生成设备和窄间隙高密度氢等离子体进行硅外延生长
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Gai Kubo, Tetsuya Matsuda, Yoshihiko Sato, 武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌]
通讯作者:
武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発
硅片减薄工艺高密度氢等离子体刻蚀技术的开发
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shinya Sakata, Takashi Kadota, Yuki Yamada, Kenichi Nakanishi, Hayato Yoshioka, Norikazu Suzuki, Yasuhiro Kakinuma, Tien-Dat Hoang and Naoki Takano, 木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌]
通讯作者:
木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討
高压氢等离子体硅表面缺陷控制方法研究
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Tatsuya Hirano, Yusuke Kubota, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake, 遅澤伸宏,池田一畝,西山宏昭, 浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌, 小川雄也,木村 開登,梅津 寛,西山宏昭, 浜中恵一,垣内弘章,安武潔,大参宏昌, 西山宏昭, 木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌]
通讯作者:
木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用
微波氢等离子体现场硅烷发生器的研制及其应用
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tien-Dat Hoang, Yutaro Abe, Shinya Nakamura, Akio Miyoshi, Naoki Takano, 武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌]
通讯作者:
武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
共 20 条
nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
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批准号:20H02049
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.15万
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财政年份:2020
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负责人:Ohmi Hiromasa
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依托单位:
Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
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批准号:18K18809
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$3.99万
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财政年份:2018
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负责人:Ohmi Hiromasa
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依托单位:
Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
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批准号:15K13848
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:Ohmi Hiromasa
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依托单位:
Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
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批准号:25289016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.15万
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财政年份:2013
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负责人:Ohmi Hiromasa
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依托单位:
海外基金