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Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle

Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
通过氢循环开发半导体衬底的无化学和精密制造工艺
批准号:
16H04245
负责人:
Ohmi Hiromasa
金额:
$10.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔]
通讯作者: 大参宏昌,佐藤純平,久保田雄介,平野達也,垣内弘章,安武潔
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DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Gai Kubo, Tetsuya Matsuda, Yoshihiko Sato, 武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌]
通讯作者: 武居則久,篠田史也,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
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发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 木元健太,武居則久,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
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DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 木元健太,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
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    nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号:
      20H02049
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.15万
    • 财政年份:
      2020
    • 负责人:
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位:
    Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
    • 批准号:
      18K18809
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额:
      $3.99万
    • 财政年份:
      2018
    • 负责人:
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位:
    Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
    • 批准号:
      15K13848
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位:
    Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
    • 批准号:
      25289016
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.15万
    • 财政年份:
      2013
    • 负责人:
      Ohmi Hiromasa
    • 依托单位:
    海外基金