Development of silicon quantum dot devices toward quantum information transfer
Development of silicon quantum dot devices toward quantum information transfer
面向量子信息传输的硅量子点器件的开发
批准号：
26630151
负责人：
Kodera Tetsuo
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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高濃度ドーピングしたシリコンを用いた2重量子ドットの電子輸送特性
高掺杂硅双量子点的电子传输特性
高掺杂硅双量子点的电子传输特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山岡裕, 小田俊理, 小寺哲夫]
通讯作者：
小寺哲夫
サイドゲートによるシリコン3重量子ドットの単電子移動制御
使用侧栅控制硅三量子点的单电子转移
使用侧栅控制硅三量子点的单电子转移
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[平岡宗一郎, 堀部浩介, 小寺哲夫, 小田俊理]
通讯作者：
小田俊理
Physically-defined silicon triple quantum dots in metal-oxide-semiconductor structures
金属氧化物半导体结构中物理定义的硅三量子点
金属氧化物半导体结构中物理定义的硅三量子点
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Hiraoka, K. Horibe, R. Mizokuchi, T. Kodera, and S. Oda]
通讯作者：
and S. Oda
Fabrication and characterization of physically-defined double quantum dots without unintentional localized states on highly-doped silicon substrate
高掺杂硅衬底上无无意局域态的物理定义双量子点的制造和表征
高掺杂硅衬底上无无意局域态的物理定义双量子点的制造和表征
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yamaoka, T. Kodera, S. Oda]
通讯作者：
S. Oda
シリコン２重量子ドットにおける正孔輸送特性
硅双量子点的空穴传输特性
硅双量子点的空穴传输特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩崎一真, 小寺哲夫, 小田俊理]
通讯作者：
小田俊理
共 33 条
Development of new structures of silicon quantum dots toward quantum spin information devices
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批准号：26709023
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.64万
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财政年份：2014
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负责人：Kodera Tetsuo
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依托单位：
海外基金